半導(dǎo)體發(fā)光設(shè)備包括半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED)、數(shù)字管、符號管、米管和點(diǎn)陣顯示屏(矩陣管)。事實(shí)上,數(shù)字管、符號管、米管和矩陣管中的每個發(fā)光單元都是一個發(fā)光二極管。
發(fā)光二極管是由Gaas(砷化鎵)、Gap(磷化鎵)、Gaasp(磷砷化鎵)等半導(dǎo)體制成的,其核心是PN結(jié)。因此,它具有一般P-N結(jié)的-N特性,即反向直線、擊穿特性。此外,在一定條件下,它還具有發(fā)光特性。在正電壓下,電子從N區(qū)注入P區(qū),空穴從P區(qū)注入N區(qū)。進(jìn)入對方區(qū)域的少數(shù)載流子(少子)與多數(shù)載流子(多子)復(fù)合發(fā)光。
假設(shè)發(fā)光發(fā)生在P區(qū),那么注入的電子和價帶孔徑直接復(fù)合發(fā)光,或者先被發(fā)光中心捕獲,再與孔徑復(fù)合發(fā)光。除了這種發(fā)光復(fù)合材料外,還有一些電子被非發(fā)光中心(靠近導(dǎo)帶和介帶中間)捕獲,然后與孔徑復(fù)合。每次釋放的能量不大,無法形成可見光。與非發(fā)光復(fù)合相比,發(fā)光復(fù)合的比例越大,光量子效率越高。由于復(fù)合物在少子擴(kuò)散區(qū)發(fā)光,光只在PN結(jié)面附近的μm內(nèi)產(chǎn)生。理論和實(shí)踐證明,光的峰值波長與發(fā)光區(qū)半導(dǎo)體材料的禁帶寬度Eg有關(guān),即1240/Eg(mm)Eg為電子伏特(ev)。半導(dǎo)體材料的Eg應(yīng)在3.26~1.63ev之間,如果能產(chǎn)生可見光(波長為380nm紫光~780nm紅光)。紅外光比紅光波長?,F(xiàn)在有紅外、紅、黃、綠、藍(lán)光發(fā)光二極管,但其中藍(lán)光二極管成本高,使用不廣泛。
LED的基本工作條件是由電流驅(qū)動的低壓單向?qū)щ娧b置,必須滿足以下基本要求,以保證LED的正常運(yùn)行。
(1)輸入直流電壓不得低于LED的正電壓降,否則LED不會導(dǎo)通并發(fā)光。
(2)由直流電流或單向脈沖電流驅(qū)動,當(dāng)驅(qū)動并聯(lián)LED或LED串時,需要恒流而不是恒壓供電。
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led
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發(fā)光二極管
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