半導體材料方阻電阻率、霍爾遷移率非接觸式測量技術(shù)

我們專注于半導體量測分析設備的研發(fā)、生產(chǎn)和服務。l攻克關(guān)鍵核心技術(shù)，為晶圓、晶錠、硅材料、碳化硅等材料的生產(chǎn)和品質(zhì)監(jiān)控提供一整套完整測試和解決方案，助力半導體相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。l產(chǎn)品廣泛應用于半導體、光伏、科研以及平板材料測試領(lǐng)域。

<1> 渦流法電阻率分析儀（晶錠和晶片），應用于半導體Wafer及Ingot的電阻率分析；

<2> 渦流法電阻率探頭（晶錠和晶片），應用于光伏、太陽能Si片的檢測；

<3> SPV法PN探頭，應用于光伏、太陽能Si片的檢測；

<4> 電容法厚度探頭，應用于Wafer的厚度測量，分辨率0.1μm；

<5> 遷移率（霍爾）測試儀，應用于載流子遷移率及載流子濃度的測量；

<6> JPV法薄膜方阻探頭及分析系統(tǒng)，應用于電池片方阻測量；

<7> 半自動Wafer電阻率、厚度、PN、溫度分析系統(tǒng)（解決樣片翹曲度影響）。

審核編輯黃宇