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低噪聲Silent Switcher模塊和LDO穩(wěn)壓器有助于改善超聲噪聲和圖像質(zhì)量

星星科技指導員 ? 來源:ADI ? 作者:Yu Lu 和 Hugh Yu ? 2023-06-14 15:44 ? 次閱讀

本文將簡要介紹超聲成像系統(tǒng)進行,并詳細分析超聲電源管理設計方面的一些挑戰(zhàn)和解決方案。文中主要討論了4個設計考慮因素:系統(tǒng)噪聲電平、開關噪聲、電磁干擾(EMI),以及與其電源相關的超聲散熱。本文還將說明Silent Switcher? μModule?模塊和低噪聲LDO技術(shù)如何幫助解決常見的問題并改善系統(tǒng)噪聲,提高圖像質(zhì)量。

簡介

自2000年(GE)首次推出數(shù)字超聲技術(shù)以來,超聲市場發(fā)展迅速。超聲技術(shù)已從基于靜態(tài)轉(zhuǎn)向動態(tài),并從黑白轉(zhuǎn)向彩色多普勒。隨著超聲應用越來越多,對組件的要求也不斷提高,例如與探頭、AFE和電源系統(tǒng)相關的要求。

在醫(yī)療診斷領域,越來越多的應用需要超聲成像系統(tǒng)輸出更高的圖像質(zhì)量。提高圖像質(zhì)量的關鍵技術(shù)之一是提高系統(tǒng)的信噪比(SNR)。下文將討論影響噪聲的不同因素,特別是電源。

超聲的工作原理是什么?

超聲系統(tǒng)由換能器、發(fā)射電路、接收電路、后端數(shù)字處理電路、控制電路和顯示模塊等組成。數(shù)字處理模塊通常包含現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA),F(xiàn)PGA根據(jù)系統(tǒng)的配置和控制參數(shù)生成發(fā)射波束成形器及相應的波形圖案。然后,發(fā)射電路中的驅(qū)動和高壓電路生成高壓信號來激勵超聲換能器。超聲換能器通常采用PZT陶瓷制成。換能器將電壓信號轉(zhuǎn)換為超聲波進入人體,同時接收人體組織產(chǎn)生的回波?;夭ㄞD(zhuǎn)換成小電壓信號,并傳輸至發(fā)射/接收(T/R)開關。T/R開關的主要目的是防止高壓發(fā)射信號損壞低壓接收模擬前端。模擬電壓信號經(jīng)過信號調(diào)理、放大和濾波后,傳輸至AFE的集成ADC,然后轉(zhuǎn)換成數(shù)字數(shù)據(jù)。數(shù)字數(shù)據(jù)通過JESD204B或LVDS接口發(fā)射到FPGA進行接收波束成形,然后發(fā)射到后端數(shù)字部分進一步處理,從而創(chuàng)建超聲圖像。

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圖1.超聲系統(tǒng)方框圖。

電源如何影響超聲系統(tǒng)?

從上述超聲架構(gòu)來看,系統(tǒng)噪聲會受到許多因素的影響,如發(fā)射信號鏈、接收信號鏈、TGC增益控制、時鐘和電源。在本文中,我們將討論電源如何影響噪聲。

超聲系統(tǒng)提供不同類型的成像模式,每種成像模式對動態(tài)范圍有不同的要求。這也意味著,SNR或噪聲要求取決于不同的成像模式。黑白模式需要70 dB動態(tài)范圍,脈沖波多普勒(PWD)模式需要130 dB,連續(xù)波多普勒(CWD)模式需要160 dB。對于黑白模式,本底噪聲非常重要,它會影響在遠場能夠看到的最小超聲回波的最大深度,也就是穿透性,這是黑白模式的關鍵特性之一。對于PWD和CWD模式,1/f噪聲尤為重要。PWD和CWD圖像均包括1 kHz以下的低頻譜,相位噪聲會影響1 kHz以上的多普勒頻譜。由于超聲換能器頻率通常為1 MHz至15 MHz,因此該范圍內(nèi)的任何開關頻率噪聲都會對其造成影響。如果PWD和CWD頻譜(從100 Hz至200 kHz)中存在互調(diào)頻率,多普勒圖像中將會出現(xiàn)明顯的噪聲頻譜,這在超聲系統(tǒng)中是不可接受的。

另一方面,通過考慮相同的因素,良好的電源可改善超聲圖像。設計人員為超聲應用設計電源時,應了解多個因素。

開關頻率

如前所述,必須避免將意外的諧波頻率引入采樣頻帶(200 Hz至100 kHz)。在電源系統(tǒng)中,很容易找到此類噪聲。

大多數(shù)開關穩(wěn)壓器使用電阻來設置開關頻率。該電阻的誤差會在PCB上引入不同的開關標稱頻率和諧波。例如,在400 kHz DC/DC穩(wěn)壓器中,1%精度電阻提供±1%誤差和4 kHz諧波頻率。更好的解決方案是選擇具有同步功能的電源轉(zhuǎn)換開關。外部時鐘將通過SYNC引腳向所有穩(wěn)壓器發(fā)送信號,使所有穩(wěn)壓器切換到相同頻率和相同相位下工作。

此外,出于EMI考量或更高的瞬態(tài)響應,一些穩(wěn)壓器具有20%的可變開關頻率,這會導致400 kHz電源中產(chǎn)生0 kHz至80 kHz諧波頻率。恒頻開關穩(wěn)壓器有助于解決這一問題。ADI的Silent Switcher穩(wěn)壓器和μModule穩(wěn)壓器系列具有恒定頻率開關功能,同時在不開啟擴頻的情況下,仍保持出色的EMI性能,以及出色的瞬態(tài)響應。

白噪聲

超聲系統(tǒng)中也有許多白噪聲源,這會導致超聲成像中出現(xiàn)背景噪聲。該噪聲主要來自信號鏈、時鐘和電源。

現(xiàn)在,在模擬處理組件的模擬電源引腳添加LDO穩(wěn)壓器是常見的做法。ADI的下一代LDO穩(wěn)壓器具有大約1 μV rms的超低噪聲,涵蓋200 mA至3 A的電流。電路和規(guī)格參數(shù)如圖2和圖3所示。

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圖3.下一代LT3073的低噪聲譜密度。

PCB布局

在設計超聲系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)采集板時,通常需要考慮高電流電源部分和高度敏感的信號鏈部分之間的權(quán)衡。開關電源產(chǎn)生的噪聲很容易耦合到信號路徑走線中,并且很難通過數(shù)據(jù)處理去除。開關噪聲通常由開關輸入電容(圖4)以及上側(cè)或下側(cè)開關生成的熱回路產(chǎn)生。添加緩沖電路可幫助管理電磁輻射;但同時也會降低效率。即使在高開關頻率下,Silent Switcher架構(gòu)也有助于提高EMI性能,并保持高效率。

手持式數(shù)字探頭

除了因吸收超聲而引起的發(fā)熱,換能器本身的溫度對換能器附近組織的溫度影響很大。通過向換能器施加電信號,可生成超聲脈沖。一些電能在元件、鏡頭和基底材料中耗散,導致?lián)Q能器發(fā)熱。此外,對換能器頭中收到的信號進行電子處理也可能會產(chǎn)生電熱。從換能器表面排出熱量會使表面組織的溫度升高幾攝氏度。IEC標準60601-2-37(2007版)中指定了最大容許換能器表面溫度(TSURF)。1當換能器信號發(fā)射到空氣中時,最大容許換能器表面溫度為50°C;當發(fā)射到合適的假體時,該溫度為43°C。后一項限制意味著,皮膚溫度(通常為33°C)最高可升高10°C。在復雜的換能器中,換能器發(fā)熱是重要的設計考量,在一些情況下,這些溫度限制可能會有效約束能夠達到的聲輸出。

當換能器在空氣中運行時,安全標準IEC 60601-2-37(2007版)1將換能器表面的溫度限制到50°C以下,當換能器在33°C(對于外部應用的換能器)或37°C(對于內(nèi)部換能器)與假體接觸時,該標準將其表面溫度限制到43°C以下。通常這些溫度限制(而不是對波束中最大強度的限制)約束了換能器的聲輸出。Silent Switcher設備將功率(具有最高3 MHz的寬開關帶寬)轉(zhuǎn)換到數(shù)字探頭的不同電壓域的效率最高。這意味著,功率轉(zhuǎn)換期間的功率損耗很低。這對冷卻系統(tǒng)大有幫助,因為沒有太多額外功率以熱量形式損耗。

Silent Switcher模式大有幫助

Silent Switcher μModule穩(wěn)壓器技術(shù)是進行超聲電源軌設計時的明智選擇。引入該模塊技術(shù)是為了幫助改善EMI和開關頻率噪聲。傳統(tǒng)上,我們應該關注每個開關穩(wěn)壓器在熱回路上的電路和布局設計。對于降壓電路,如圖4所示,熱回路包含輸入電容、頂部MOSFET、底部MOSFET,以及由走線、路由、邊界(bounding)等引起的寄生電感。

Silent Switcher模塊主要提供兩種設計方法:

第一,如圖4和圖5所示,通過創(chuàng)建反向的熱回路,由于雙向輻射,大多數(shù)EMI將被抵消。通過該方法,將優(yōu)化輻射近20 dB。

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圖5.比較靜音開關和非靜音開關EMI性能。

第二,如圖6所示,Silent Switcher模塊不是直接在晶圓周圍綁定接線,而是采用銅柱倒裝芯片封裝,有助于減少寄生電感,優(yōu)化尖峰和死區(qū)時間。

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圖6.與傳統(tǒng)綁定技術(shù)(LT8610)相比較的銅柱倒裝芯片封裝及其性能(LT8614)。

此外,如圖7所示,Silent Switcher技術(shù)提供高功率密度設計,并且能夠在小封裝中實現(xiàn)大電流能力,從而保持低θ JA,實現(xiàn)高效率(例如, LTM4638能夠在6.25 mm × 6.25 mm × 5.02 mm封裝中實現(xiàn)15 A)。

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圖7.Silent Switcher電源模塊封裝內(nèi)視圖。

低頻噪聲 開關噪聲諧波 高散熱性能
架構(gòu) Silent Switcher 3設備中的超低噪聲基準 Silent Switcher技術(shù)與銅柱封裝 封裝中的Silent Switcher技術(shù)與散熱器
特性 在低f噪聲方面,性能與LDO穩(wěn)壓器相同 低EMI,低開關噪聲

快速開關頻率,短死區(qū)
高功率密度

更小的熱阻
應用中的優(yōu)勢 不再需要后置LDO穩(wěn)壓器,同時保持相同的圖像質(zhì)量 高頻率與高效率

更高的頻率,更小的濾波器尺寸
對于相同電流電平,最大程度減小降幅
開關頻率 控制模式 開關抖動 功率級架構(gòu) EMI 有效值噪聲
LTM8053-1 200 kHz 至 3 MHz 固定頻率峰值電流 Silent Switcher 2模塊 超低 0.8 μV rms(帶有 LT3045
LTM8060 200 kHz 至 3 MHz 固定頻率峰值電流 Silent Switcher 2模塊 超低 0.8 μV rms(帶有LT3045)
LT8625S 300 kHz 至 4 MHz 固定頻率峰值電流 Silent Switcher 3變換器 超低 4 μV rms(不帶LT3045)

此外,許多Silent Switcher μModule穩(wěn)壓器也具有固定頻率、寬頻率范圍和峰值電流架構(gòu),從而實現(xiàn)低抖動和快速瞬態(tài)響應。該產(chǎn)品系列中的熱門產(chǎn)品參見表2。

結(jié)論

ADI的Silent Switcher電源μModule穩(wěn)壓器模塊和LDO產(chǎn)品為超聲電源軌設計提供了完整的解決方案,盡可能減少了系統(tǒng)噪聲電平和開關噪聲。這有助于改善圖像質(zhì)量,而且有助于限制溫度升高,并簡化PCB布局設計復雜性。

審核編輯:郭婷

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