投資228億！意法半導體與三安光電將合資建廠

來源：滿天芯，謝謝

編輯：感知芯視界

6月7日，意法半導體和三安光電先后官宣，雙方擬合資建造一座可實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)的8英寸碳化硅器件工廠。該合資廠全部建設總額預計約32億美元（約合人民幣228億元）。上述項目仍需監(jiān)管部門批準。

228億元聯(lián)手建廠

據(jù)意法半導體介紹，預計合資工廠建設總投資約32億美元，其中未來5年資本支出約24億美元。具體到三安光電，其將通過子公司湖南三安在重慶設立全資子公司重慶三安半導體有限責任公司（暫定名）參與合資工廠建設，預計投資總額為70億元。

合資公司的注冊資本為6.12億美元，湖南三安持股比例為51%，意法半導體持股比例為49%，均以貨幣資金分期出資。

預計2028年全面達產(chǎn)

上述合資廠在取得各項手續(xù)批復后開始建設，預計2025年完成階段性建設并逐步投產(chǎn)，2028年達產(chǎn)，規(guī)劃達產(chǎn)后生產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓10000片/周。

合資工廠相關產(chǎn)品的銷路，雙方已有約定。據(jù)ST官網(wǎng)6月7日披露，該合資廠將采用意法半導體的碳化硅專利制造工藝技術(shù)，專注于為意法半導體生產(chǎn)碳化硅器件。三安光電也披露，該工廠制造的碳化硅外延、芯片將獨家銷售給ST或其指定的任何實體。

另外，為滿足該合資廠的襯底需求，三安光電也將利用自有碳化硅襯底工藝，單獨建造和運營一個新的8英寸碳化硅襯底制造廠。合資公司將與湖南三安簽訂長期碳化硅襯底供應協(xié)議，以保證合資公司未來材料的工藝需求，每年規(guī)劃生產(chǎn)的8英寸碳化硅襯底為48萬片。

垂直整合的碳化硅價值鏈

三安光電首席執(zhí)行官林科闖表示：“合資廠的成立將有力推動碳化硅器件在中國市場的廣泛采用。這是公司朝著成為碳化硅專業(yè)晶圓代工廠這一目標邁出的重要一步。

意法半導體總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery表示：“對ST來說，與中國本地的重要合作伙伴一起成立一個專門的晶圓廠，這將幫助我們以最高效的方式滿足中國客戶不斷增長的需求。將三安光電未來的8英寸襯底制造廠、雙方新成立的前端合資制造廠、以及ST在中國深圳現(xiàn)有的后端制造廠相結(jié)合，ST將有能力為我們的中國客戶提供一個完全垂直整合的SiC價值鏈。此舉將成為繼ST在意大利和新加坡的持續(xù)重大投資外，進一步擴大其全球SiC制造業(yè)務的重要一步。新合資廠將助力ST實現(xiàn)到2030年取得50億美元以上SiC營收這一目標。

全球碳化硅市場高速成長

碳化硅是一種第三代寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大、臨界磁場高、電子飽和遷移速率較高、熱導率極高等性質(zhì)，其產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)大致分為襯底、外延片、設計、制造及模塊。其中，襯底環(huán)節(jié)的價值量最高，占碳化硅器件成本超過40%。

碳化硅功率器件應用領域廣泛，新能源汽車是碳化硅功率器件的主要應用市場之一，也是產(chǎn)業(yè)近年來的核心增長引擎。

意法半導體是一家全球知名的IDM模擬芯片廠商。其在最新財報溝通會上表示，預計2023年碳化硅業(yè)務將帶來約12億美元收入，廣泛分布于主要客戶，較此前預計的10億美元有所增長。

汽車業(yè)務被視為意法半導體在2027年實現(xiàn)200億美元收入目標的關鍵支撐。意法半導體CEO在去年年底的訪華行程中，拜訪了多位國內(nèi)汽車和工業(yè)戰(zhàn)略客戶，包括長安汽車、賽力斯汽車、寧德時代、固德威、威邁斯新能源、埃泰克汽車電子等。另外，與意法半導體形成合作的中國廠商包括：比亞迪、吉利、長城、現(xiàn)代、小鵬等OEM，以及臺達、華為、匯川、廣達、欣銳科技、陽光電源、威邁斯新能源等。

三安光電是國內(nèi)布局碳化硅產(chǎn)業(yè)最為完整的企業(yè)，涉及長晶、襯底制作、外延生長、芯片制備及封裝環(huán)節(jié)。其在2022年年報中表示，公司碳化硅各環(huán)節(jié)業(yè)務順利推進，襯底已通過幾家國際大客戶驗證，其中一家實現(xiàn)批量出貨，且2023年、2024年供應已基本鎖定；碳化硅芯片應用于光伏、儲能、新能源汽車等可靠性要求高的領域。

三安光電碳化硅器件在國內(nèi)上車進展加速。三安光電碳化硅MOSFET代工業(yè)務已與龍頭新能源汽車及配套企業(yè)展開合作，與某知名車企簽署芯片戰(zhàn)略采購意向協(xié)議總金額達38億元，另一重要客戶訂單金額19億元。該公司2022年年報顯示，已簽署的碳化硅MOSFET長期采購協(xié)議總金額超70億元，另有幾家新能源汽車客戶的合作意向在跟進。產(chǎn)品方面，三安光電車規(guī)級1200V 16mΩ MOSFET芯片已在戰(zhàn)略客戶處進行模塊驗證，預計于2024年正式上車量產(chǎn)。

仍有較大降本空間

國內(nèi)一位頭部功率半導體廠商高管表示：“從單品看，碳化硅器件比硅基器件要貴1.5-2倍。但從系統(tǒng)角度看，因為用了碳化硅器件，散熱器、電容電感會減少，體積會減小，所以光伏行業(yè)也開始用了；而在新能源汽車行業(yè)，因為碳化硅器件能效高，電池用量就會減少。電池很貴，用得少系統(tǒng)成本就會降下來。因為系統(tǒng)成本優(yōu)勢，所以終端客戶才會導入。

還有產(chǎn)業(yè)人士表示：“國內(nèi)碳化硅仍有較大降本空間。碳化硅襯底目前占碳化硅芯片成本的約60%，因此降低襯底成本是重點。目前碳化硅襯底生產(chǎn)工藝仍面臨三大瓶頸：一是晶體質(zhì)量，二是長晶效率，三是切磨拋的損耗。價格下降除了生產(chǎn)技術(shù)良率要提升，此外整個設備原材料的國產(chǎn)化和技術(shù)創(chuàng)新也會帶來成本降低?！半S著產(chǎn)業(yè)化推進和產(chǎn)學研合作，未來有很大降本空間。”

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審核編輯黃宇