在存儲器密度低、性能緩慢且需要昂貴的硅空間的時(shí)代。然后我快進(jìn)到未來,當(dāng)內(nèi)存技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到支持巨大的密度,超快的速度,同時(shí)保持低功耗,所有這些都在非常小的幾何結(jié)構(gòu)中。
我概述了各種內(nèi)存技術(shù)及其支持的細(xì)分市場。為了跟上這種內(nèi)存技術(shù)發(fā)展的步伐,設(shè)計(jì)和驗(yàn)證工具以及創(chuàng)建和產(chǎn)品化這些技術(shù)的方法也得到了發(fā)展。
這種存儲器的演變給驗(yàn)證工程師帶來了一系列全新的挑戰(zhàn)。為了取得成功,驗(yàn)證必須在設(shè)計(jì)周期的早期發(fā)展為徹底、高效和有效。此外,它必須依賴于對SystemVerilog的本機(jī)支持,利用最先進(jìn)的驗(yàn)證技術(shù)進(jìn)行測試平臺創(chuàng)建和定制,以及調(diào)試和覆蓋率收斂。
需要更快、經(jīng)過驗(yàn)證且最先進(jìn)的前端內(nèi)存驗(yàn)證基礎(chǔ)設(shè)施來解決最新內(nèi)存創(chuàng)新帶來的復(fù)雜性。利用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的通用驗(yàn)證方法 (UVM),支持高級協(xié)議級調(diào)試,以及具有內(nèi)置覆蓋范圍和計(jì)劃的加速驗(yàn)證收斂,驗(yàn)證工程師可以在短時(shí)間內(nèi)自信地驗(yàn)證內(nèi)存技術(shù)。
審核編輯:郭婷
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