簡要介紹晶振的負(fù)載電容與外接電容的區(qū)別與關(guān)系

經(jīng)常遇到有人把晶振的負(fù)載電容與外接電容混淆，甚至還有人誤以為這是指同樣的參數(shù)。這里需要特別指出的是：若你這樣想，就大錯(cuò)特錯(cuò)了。

下面就為您進(jìn)行分析與區(qū)分：

負(fù)載電容指的是晶振的一個(gè)內(nèi)部重要電氣參數(shù)。

一般情況下，對(duì)功耗不太敏感的電子設(shè)備PCBA上，常見的晶振負(fù)載電容為 15PF、18PF、20PF。

那么，諸如腕表、手機(jī)、藍(lán)牙耳機(jī)等對(duì)低功耗明顯有較高需求的電子產(chǎn)品，PCBA上常采用的為負(fù)載電容較小的晶振，比如6PF、7PF、9PF、10PF、12PF。

晶振的負(fù)載電容在生產(chǎn)環(huán)節(jié)已經(jīng)根據(jù)需求通過加工工藝鎖定，在應(yīng)用中無法更改。

晶振的外接電容是指在PCBA板上分別與晶振頻率輸入腳與輸出腳串聯(lián)的電子元件。外接電容值的大小由晶振負(fù)載電容與電路板雜散電容(包括IC電容在內(nèi))所決定，通常為這兩者之和。

在振蕩電路應(yīng)用中，晶振負(fù)載電容、雜散電容與外接電容之間的關(guān)系示意圖如下：

注：

1、 CL: 石英晶體諧振器的負(fù)載電容。

2、CS: 指雜散電容，包括IC內(nèi)部的雜散容值、電路板布線間的電容量、PCB板各層之間的寄生電容等。

3、C1 和 C2:分別指石英晶體諧振器在電路應(yīng)用中的兩顆外接電容。

外接電容的應(yīng)用目的有兩個(gè)：

針對(duì)晶振頻率進(jìn)行微調(diào)，使其盡量靠近目標(biāo)頻率。規(guī)則：外接電容越大，晶振輸出頻率越偏負(fù)向。反之，外接電容越小，晶振輸出頻率則趨于正向變化。

外接電容可以起到對(duì)振蕩電路的穩(wěn)定作用。這也是為何建議在晶振頻率輸入腳與輸出腳分別加一顆同值電容的原因。

最后需要提醒兩點(diǎn)：

1、外接電容所起到的作用僅僅是對(duì)晶振頻率進(jìn)行微調(diào)。若晶振工作時(shí)頻偏過大，就需要考慮晶振本身精度的原因，比如晶振精度是否不能滿足芯片要求而更改為精度更高的晶振。

2、外接電容僅用于無源晶振的應(yīng)用。在有源晶振的電路應(yīng)用中，無需外接電容。

審核編輯：湯梓紅