PCSEL的工藝流程

PCSEL的工藝流程比較簡(jiǎn)潔，但也存在難點(diǎn)。

根據(jù)參考文獻(xiàn)，可以將工藝流程分為以下幾步：

設(shè)計(jì)外延片參數(shù)，第一次外延，制備光子晶體，第二次外延，制備臺(tái)面和電極。

設(shè)計(jì)外延片參數(shù)：自己完成外延片參數(shù)設(shè)計(jì)。

第一次外延：激光器的外延技術(shù)比較成熟，所以有很多商業(yè)公司可以提供該步工藝服務(wù)，或者自己有設(shè)備自己完成該步工藝。

制備光子晶體：PCSEL中的光子晶體周期和小孔直徑，一般在幾十納米到幾百納米，這個(gè)尺度需要EBL加工。EBL加工技術(shù)也比較成熟，有很多商業(yè)公司可以提供該步工藝服務(wù)，或者自己有設(shè)備自己完成該步工藝。該步工藝可以細(xì)分為以下幾步流程：

第二次外延：該步工藝是難點(diǎn)，也是研究工藝中的重點(diǎn)，外延過(guò)程中需要保留氣孔，可以算是PCSEL的專用工藝。目前應(yīng)該很少有商業(yè)公司能夠提供該工藝服務(wù)，一般需要自己摸索該工藝，所以要么自己有設(shè)備自己摸索該工藝，要么租用別人的設(shè)備自己摸索該工藝。目前，也有很多該工藝的文獻(xiàn)[1][2]。

制備臺(tái)面和電極：該步工藝也比較成熟，有很多商業(yè)公司可以提供該步工藝服務(wù)，或者自己有設(shè)備自己完成該步工藝。該步工藝可以細(xì)分為以下幾步流程：