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常用半導(dǎo)體元件模型總結(jié)

dytfki8u8yql ? 來源:電子技術(shù)控 ? 2023-05-22 09:40 ? 次閱讀

從應(yīng)用角度對常用半導(dǎo)體元件模型作總結(jié)。

1.晶體管(Transistor)模型

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放大狀態(tài):發(fā)射結(jié)D正偏,集電結(jié)Dz反偏并處于反向擊穿狀態(tài);

飽和狀態(tài):D和Dz均正偏,基極電流失去對集電極電流的控制作用,D處于穩(wěn)定反向擊穿狀態(tài);

截止?fàn)顟B(tài):發(fā)射結(jié)正偏電壓小于開啟電壓Uon

晶閘管(Thyristor)

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觸發(fā)電流Ig流入晶體管Q2基極,產(chǎn)生集電極電流Ic2 ,Ic2構(gòu)成了Q1的基極電流,放大而成Q1集電極電流Ic1 ,Ic1又反饋至Q2基極,從而形成強(qiáng)烈正反饋,使Q1和Q2快速進(jìn)入飽和狀態(tài),晶閘管導(dǎo)通。

3.絕緣柵雙極晶體管(IGBT

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由NMOS管和PNP型三極管組成的達(dá)林頓結(jié)構(gòu),由MOSFET去驅(qū)動厚基區(qū)的PNP晶體管。Rn為晶體管基區(qū)內(nèi)的調(diào)制電阻。

4.二極管Diode

其為半導(dǎo)體元件基本單元,圖中彈簧彈力,類似二極管門檻電壓,A端相當(dāng)于陽極,K端相當(dāng)于陰極。

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審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:常用半導(dǎo)體元件模型作總結(jié)

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