從應(yīng)用角度對常用半導(dǎo)體元件模型作總結(jié)。
1.晶體管(Transistor)模型
放大狀態(tài):發(fā)射結(jié)D正偏,集電結(jié)Dz反偏并處于反向擊穿狀態(tài);
飽和狀態(tài):D和Dz均正偏,基極電流失去對集電極電流的控制作用,D處于穩(wěn)定反向擊穿狀態(tài);
截止?fàn)顟B(tài):發(fā)射結(jié)正偏電壓小于開啟電壓Uon
晶閘管(Thyristor)
觸發(fā)電流Ig流入晶體管Q2基極,產(chǎn)生集電極電流Ic2 ,Ic2構(gòu)成了Q1的基極電流,放大而成Q1集電極電流Ic1 ,Ic1又反饋至Q2基極,從而形成強(qiáng)烈正反饋,使Q1和Q2快速進(jìn)入飽和狀態(tài),晶閘管導(dǎo)通。
3.絕緣柵雙極晶體管(IGBT)
由NMOS管和PNP型三極管組成的達(dá)林頓結(jié)構(gòu),由MOSFET去驅(qū)動厚基區(qū)的PNP晶體管。Rn為晶體管基區(qū)內(nèi)的調(diào)制電阻。
4.二極管(Diode)
其為半導(dǎo)體元件基本單元,圖中彈簧彈力,類似二極管門檻電壓,A端相當(dāng)于陽極,K端相當(dāng)于陰極。
|
審核編輯:湯梓紅
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
原文標(biāo)題:常用半導(dǎo)體元件模型作總結(jié)
文章出處:【微信號:電子技術(shù)控,微信公眾號:電子技術(shù)控】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
相關(guān)推薦
半導(dǎo)體元器件是用半導(dǎo)體材料制成的電子元器件,隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,各種新型半導(dǎo)體元器件層出不窮。半導(dǎo)體元器件是組成各種電子電路的核心元件,
發(fā)表于 05-24 10:29
常用半導(dǎo)體器件本章要求:一、理解PN結(jié)的單向?qū)щ娦?,三極管的電流分配和 &
發(fā)表于 09-30 18:12
基本半導(dǎo)體元件搭建門電路
發(fā)表于 08-29 16:05
1.常用半導(dǎo)體器件型號命名的國家標(biāo)準(zhǔn)常用半導(dǎo)體器件的型號命名由五個部分組成,第一部分用數(shù)字表示電極的數(shù)目;第二部分用漢語拼音字母表示器件的材料和極性;第三部分表示器件的類別;第四部分表
發(fā)表于 11-06 14:03
摘要:介紹了氧化物半導(dǎo)體甲烷氣體敏感元件的工作機(jī)理,論述了改善氧化物半導(dǎo)體甲烷氣敏傳感器性能的幾種途徑。采用加入催化劑、控制材料的微細(xì)結(jié)構(gòu)、利用新制備工藝和表面修飾等新方法、新技術(shù)可提高氧化物
發(fā)表于 10-24 14:21
基于霍耳效應(yīng)的半導(dǎo)體磁電轉(zhuǎn)換傳感器。在磁場測量以及利用磁場作為媒介對位移、速度、加速度、壓力、角度、角速度、流量、電流、電功率等許多非電量測量中,半導(dǎo)體磁敏元件是一種重要的器件。磁敏元件
發(fā)表于 09-10 10:42
`本資源為Altium Designer可用的常用元器件3D封裝庫(STEP模型),包括常用貼片元件3D模型庫42款;電感電阻電容17款;
發(fā)表于 10-10 09:33
1、半導(dǎo)體元件與芯片的區(qū)別按照國際標(biāo)準(zhǔn)分類方式,在國際半導(dǎo)體的統(tǒng)計(jì)中,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)只分成四種類型:集成電路,分立器件,傳感器和光電子。所有的國際半導(dǎo)體
發(fā)表于 11-01 07:21
!!1、半導(dǎo)體元件與芯片的區(qū)別按照國際標(biāo)準(zhǔn)分類方式,在國際半導(dǎo)體的統(tǒng)計(jì)中,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)只分成四種類型:集成電路,分立器件,傳感器和光電子。所有的國際
發(fā)表于 11-01 09:11
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些?
發(fā)表于 11-02 07:13
半導(dǎo)體性能以及在輸入電感和濾波器尺寸減小方面可獲得的優(yōu)勢來進(jìn)行評估。盡管這是正確的方法,但考慮轉(zhuǎn)換器工作模式和工作頻率之間的所有可能變化既乏味又具有挑戰(zhàn)性。這是因?yàn)樗枰槍Σ煌@組和磁芯結(jié)構(gòu)的精確磁性元件損耗和熱模型。
發(fā)表于 02-21 16:01
半導(dǎo)體光敏元件
基于半導(dǎo)體光電效應(yīng)的光電轉(zhuǎn)換傳感器,又稱光電敏感器。采用光、電技術(shù)能實(shí)現(xiàn)無接觸、遠(yuǎn)距離、快速和精確測量,因此半導(dǎo)體光敏元件
發(fā)表于 11-12 16:03
?1803次閱讀
半導(dǎo)體氣敏元件semiconduct-gassensitive element 利用氣敏半導(dǎo)體與可燃?xì)怏w接觸時電阻率變化的性質(zhì)制成的傳感器,又稱半導(dǎo)體氣敏電阻。
發(fā)表于 11-23 15:27
?1638次閱讀
隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展,元件尺寸已經(jīng)可以達(dá)到奈米級的水準(zhǔn),并且根據(jù)市場的需求,發(fā)展出不同材料以及製程技術(shù)提供使用,而利用不同的材料與製程技術(shù)所設(shè)計(jì)的元件就可以使
發(fā)表于 12-20 17:35
?25次下載
常用半導(dǎo)體器件常用半導(dǎo)體器件常用半導(dǎo)體器件常用
發(fā)表于 11-13 15:47
?0次下載
評論