0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

SpeedVal Kit生態(tài)系統(tǒng)簡化碳化硅部件評估過程并縮短設(shè)計時間

星星科技指導(dǎo)員 ? 來源:wolfspeed ? 作者:wolfspeed ? 2023-05-19 11:30 ? 次閱讀

新一代功率半導(dǎo)體的高功率應(yīng)用正在越來越多地使用碳化硅 (SiC) 部件,來滿足電動汽車 (EV)、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)和可再生能源領(lǐng)域?qū)Ω吖β拭芏?、更高效率及更小系統(tǒng)尺寸日益增長的需求。Arrow 提供種類豐富的 SiC 部件來滿足這一需求,其中包括 Wolfspeed 的 600 V 至 1700 V 分立式 SiC MOSFET 和 SiC 肖特基二極管的廣泛產(chǎn)品組合,以及符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)且經(jīng)過封裝優(yōu)化的多種功率模塊。

目前為止,工程師們通常只能利用 SiC 評估套件進(jìn)行一小部分組件的選擇。例如,在測試以不同方式封裝的 MOSFET 時需要使用不同的評估板,這些評估板上可能焊有不同的柵極驅(qū)動器。通常,如果工程師想要測試不同封裝的 MOSFET 或柵極驅(qū)動器,他們需要購買多種評估套件,或自行設(shè)計測試板來執(zhí)行評估。這種方式會對成本、評估和開發(fā)時間造成不利影響。

SpeedVal Kit 解決方案簡介

為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn),領(lǐng)先的 SiC 解決方案供應(yīng)商 Wolfspeed 采用模塊化方法,推出了 SpeedVal Kit 模塊化評估平臺。該評估平臺利用強大的合作伙伴和產(chǎn)品組合來助力整個行業(yè)采用 SiC。模塊化生態(tài)系統(tǒng)的一個關(guān)鍵賦能因素是,與 Arrow 及其建立的技術(shù)制造商和服務(wù)提供商網(wǎng)絡(luò)的緊密合作。由此形成的廣泛生態(tài)系統(tǒng)可提供技術(shù)支持,并通過 Wolfspeed 的功率應(yīng)用在線討論平臺 (Power Applications Forum) 提供設(shè)計方案討論機會。

該套件的中心是一塊母板,其金手指防呆連接器作為子卡的接口,是所開發(fā)功率級功能的基礎(chǔ)。這使工程師可以快速評估各種半橋功率模塊、柵極驅(qū)動器、控制卡和其他潛在配件。設(shè)計人員可以測試高達(dá) 1200 V 的所有 Wolfspeed 分立器件,同時搭配生態(tài)系統(tǒng)中多家制造商生產(chǎn)的系列豐富的柵極驅(qū)動器。

該套件可作為降壓或升壓變換器(同步或異步),或用于執(zhí)行雙脈沖測試 (DPT),能夠測量:
– 時序,包括 TDELAY-ON、TDELAY-OFF、TRISE、TFALL
– 過沖,包括 VDS-MAX、ID-MAX
– 開關(guān)速度,包括 di/dt、dv/dt
– 開關(guān)損耗相關(guān)參數(shù),包括反向恢復(fù)電荷 Qrr、開關(guān)開通能量 EON、開關(guān)關(guān)斷能量 EOFF 和反向恢復(fù)能量(損耗)ERR

通過調(diào)整該套件上的外部柵極電阻 RG,設(shè)計人員可以優(yōu)化其選擇的柵極驅(qū)動器的所有上述參數(shù)。

半橋母板可支持功率子卡,這些子卡裝配有完整的熱管理系統(tǒng),其中包括散熱器和隔熱體。金手指防呆連接方案使工程師能夠快速更換 SiC 器件,而無需焊接,同時保持與直流母線的低電感連接,確保最佳的開關(guān)性能。

借助這種在幾秒鐘內(nèi)更換 Wolfspeed SiC MOSFET 的能力,設(shè)計人員能夠在同一個平臺上測試不同的器件,采用相同的布局和柵極驅(qū)動器,從而迅速將測量到的任何差異歸因到器件自身,并顯著加快器件選擇過程。

該平臺中包括精心挑選的合作伙伴所提供的許多可兼容的柵極驅(qū)動卡。用戶可以在保持所有其他變量不變的情況下,比較不同柵極驅(qū)動器的器件性能,從而迅速獲得適合于其應(yīng)用場景的器件和柵極驅(qū)動器最佳組合。通過將這種配對納入工程師自己的設(shè)計中,可以降低設(shè)計風(fēng)險、縮短產(chǎn)品開發(fā)周期。

構(gòu)建自己的評估

SpeedVal Kit 平臺可與以下模塊搭配使用:

功率子卡(需要 1 個)- 兩個 MOSFET 的半橋配置,經(jīng)過了優(yōu)化,可準(zhǔn)確測量高帶寬電流和電壓

柵極驅(qū)動卡(需要 1 個)- 雙通道驅(qū)動卡,其中包括柵極電源

控制卡和用戶界面(可選)- 通過直觀易用的 GUI 在設(shè)計中實現(xiàn)更多控制功能

升降壓濾波器板(可選)- 用于高功率測試

空心電感器(可選)- 用于雙脈沖測試

pYYBAGRm7S6AMF3WAARjMi9S8yw346.png

chaijie_default.png

該套件由與 Arrow 構(gòu)建起的獨特合作提供支持,能夠更輕松、經(jīng)濟高效且快速地測試各種部件。此生態(tài)系統(tǒng)中囊括了行業(yè)中多家優(yōu)秀的 Arrow 產(chǎn)品供應(yīng)商,包括但不限于 Analog Devices (ADI)、Skyworks、Bourns、NXP、Kemet、AllegroMolex。通過這種合作關(guān)系,將持續(xù)開發(fā)更多電路板,以滿足不斷變化的新設(shè)計要求。

審核編輯:郭婷

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 電動汽車
    +關(guān)注

    關(guān)注

    156

    文章

    12155

    瀏覽量

    231915
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    334

    文章

    27605

    瀏覽量

    220844
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    29

    文章

    2858

    瀏覽量

    62789
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點

    )碳化硅功率器件的正反向特性隨溫度和時間的變化很小,可靠性好?! ?7)碳化硅器件具有很好的反向恢復(fù)特性,反向恢復(fù)電流小,開關(guān)損耗小。碳化硅功率器件可工作在高頻(>20KHz)。
    發(fā)表于 01-11 13:42

    碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

    硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過,自1893 年以來,粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
    發(fā)表于 07-02 07:14

    碳化硅深層的特性

    。強氧化氣體在1000℃以上與SiC反應(yīng),分解SiC.水蒸氣能促使碳化硅氧化在有50%的水蒸氣的氣氛中,能促進(jìn)綠色碳化硅氧化從100℃開始,隨著溫度的提高,氧化程度愈為明顯,到1400℃時為最大
    發(fā)表于 07-04 04:20

    碳化硅MOSFET的SCT怎么樣?

    本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實驗的重點是在不同條件下進(jìn)行專門的實驗室測量,借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值,對短路行為的動態(tài)變化進(jìn)行深度評估。
    發(fā)表于 08-02 08:44

    碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些?

    200V,但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復(fù)時間實踐,同時在正向電壓也減少,耐壓也大大超過200V,典型的電壓有650V、1200V等,另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢。在
    發(fā)表于 06-28 17:30

    碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

    電子設(shè)備的能耗,因此碳化硅器件也被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源器件”。各類電機系統(tǒng)在高壓應(yīng)用領(lǐng)域,使用碳化硅陶瓷基板的半導(dǎo)體碳化硅功率器件,功耗降低效果明顯,設(shè)備的發(fā)熱量大幅減少
    發(fā)表于 01-12 11:48

    碳化硅器件的特點是什么

    今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
    發(fā)表于 03-16 08:00

    什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

    什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
    發(fā)表于 06-18 08:32

    碳化硅的應(yīng)用

    碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢?
    發(fā)表于 08-19 17:39

    傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

    組件高出一大截,但其開關(guān)速度、切換損失等性能指針,也是硅組件難以望其項背的。碳化硅具有極佳的材料特性,可以顯著降低開關(guān)損耗,因此電源開關(guān)的操作頻率可以大為提高,從而使電源系統(tǒng)的尺寸明顯縮小。至于在轉(zhuǎn)換
    發(fā)表于 09-23 15:02

    什么是STM32Cube生態(tài)系統(tǒng)?

    什么是STM32Cube生態(tài)系統(tǒng)
    發(fā)表于 09-29 06:12

    請教碳化硅刻蝕工藝

    最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在
    發(fā)表于 08-31 16:29

    淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動的區(qū)別

    風(fēng)險,配置合適的短路保護(hù)電路,可以有效減少開關(guān)器件在使用過程中因短路而造成的損壞。與硅IGBT相比,碳化硅MOSFET短路耐受時間更短?! ?)硅IGBT:  硅IGBT的承受退保和短路的時間
    發(fā)表于 02-27 16:03

    碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

    時,恢復(fù)時間和恢復(fù)電流就越大,損耗也就越大。  碳化硅肖特基二極管是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件(單極性器件),在工作過程中不會發(fā)生少數(shù)載流子存儲的現(xiàn)象,也不會產(chǎn)生過大的正反向切換瞬態(tài)沖擊電流,只有結(jié)電容放電
    發(fā)表于 02-28 16:34

    碳化硅快速測試套件Wolfspeed SpeedVal Kit研討會,帶您詳細(xì)了解這個高效的平臺

    、 NXP、Skyworks共同開發(fā)了一款專為碳化硅快速測試而全新模塊化評估平臺Wolfspeed SpeedVal Kit?。
    的頭像 發(fā)表于 12-25 17:05 ?1086次閱讀