ZnGeP2的本征缺陷計算之準(zhǔn)PREPARE

DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Package)是一款半導(dǎo)體缺陷和雜質(zhì)性質(zhì)的第一性原理計算模擬軟件包，該軟件包能針對輸入的半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)，基于材料基因組數(shù)據(jù)庫和第一性原理軟件包，自動計算并輸出半導(dǎo)體的熱力學(xué)穩(wěn)定性，缺陷和雜質(zhì)形成能及離化能級，半導(dǎo)體樣品中缺陷、雜質(zhì)和載流子濃度及費米能級，關(guān)鍵缺陷和雜質(zhì)誘導(dǎo)的光致發(fā)光譜、載流子輻射和非輻射俘獲截面及少子壽命。

針對任一半導(dǎo)體，DASP軟件可以計算給出如下性質(zhì)：熱力學(xué)穩(wěn)定性、元素化學(xué)勢空間的穩(wěn)定范圍、缺陷（含雜質(zhì)，下同）形成能、缺陷轉(zhuǎn)變能級、各生長條件下的費米能級、載流子和缺陷濃度、缺陷的光致發(fā)光譜、缺陷對載流子的俘獲截面、輻射和非輻射復(fù)合速率等。

本期將給大家介紹DASP ZnGeP2的本征缺陷計算 5.4-5.4.1.1 的內(nèi)容。

5.4. ZnGeP2的本征缺陷計算

ZnGeP2是一種非線性光學(xué)材料，但是其帶隙內(nèi)存在的較多光吸收峰限制了其應(yīng)用，實驗上認(rèn)為這些吸收與點缺陷相關(guān)。因此，有必要對ZnGeP2的點缺陷性質(zhì)開展理論計算，分析不同制備環(huán)境下其吸收峰的來源。

以下開始為使用DASP軟件包計算ZnGeP2本征點缺陷的實例：

5.4.1. 準(zhǔn)備計算PREPARE

5.4.1.1. 準(zhǔn)備POSCAR與dasp.in

獲得ZnGeP2材料的結(jié)構(gòu)文件POSCAR，使用VASP優(yōu)化其晶格常數(shù)，或修改其晶格常數(shù)從而匹配實驗值（此步驟由用戶自行完成）。顯示如下：

在晶體可視化軟件中如圖1所示。

ZnGeP2的晶體結(jié)構(gòu)。

在dasp.in中寫入必要參數(shù)

接下來將對dasp.in中所有列出的參數(shù)進行說明。

編輯：黃飛