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安森美推出下一代1200 V EliteSiC M3S器件

qq876811522 ? 來源:騰訊網(wǎng) 蓋世汽車 ? 2023-05-16 14:41 ? 次閱讀

蓋世汽車訊 ,近日,智能電源傳感技術公司安森美(onsemi)宣布推出最新一代1200 V EliteSiC碳化硅(SiC)M3S器件,使電力電子設計人員能夠實現(xiàn)一流的效率和更低的系統(tǒng)成本。

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圖片來源:安森美

新產(chǎn)品組合包括EliteSiC MOSFET和模塊,可促進更高的開關速度,以支持越來越多的800 V電動汽車(EV)車載充電器(OBC)和能源基礎設施應用,例如EV充電、太陽能和儲能系統(tǒng)。

產(chǎn)品組合還包括半橋功率集成模塊(PIM)中的新型EliteSiC M3S器件,采用標準F2封裝,具有行業(yè)領先的最低Rds(on)。這些模塊旨在應用于工業(yè),非常適合DC-AC、AC-DC和DC-DC大功率轉換級。通過優(yōu)化的直接鍵合銅設計,新型EliteSiC M3S器件可提供更高級別的集成,以實現(xiàn)并聯(lián)開關之間的平衡電流共享和熱分布。該PIM旨在為能源基礎設施、EV直流快速充電和不間斷電源(UPS)提供高功率密度。

安森美高級副總裁兼高級電源部門總經(jīng)理Asif Jakwani表示:“憑借安森美最新一代的汽車和工業(yè)EliteSiC M3S產(chǎn)品,設計人員能夠減少應用足跡和降低系統(tǒng)冷卻要求,從而開發(fā)出具有更高效率和更高功率密度的大功率轉換器?!?/p>

該1200 V EliteSiC MOSFET符合汽車標準,專為高達22 kW的大功率OBC和高壓至低壓DC-DC轉換器定制。M3S技術專為高速開關應用而開發(fā),具有一流的開關損耗品質(zhì)因數(shù)。

審核編輯 :李倩

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原文標題:安森美推出下一代1200 V EliteSiC M3S器件 提高EV和能源基礎設施應用效率

文章出處:【微信號:汽車半導體情報局,微信公眾號:汽車半導體情報局】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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