UltraRAM 原語(也稱為 URAM)可在 Xilinx UltraScale + 架構(gòu)中使用,而且可用來高效地實現(xiàn)大容量深存儲器。由于大小和性能方面的要求,通常這類存儲器不適合使用其他存儲器資源來實現(xiàn)。URAM 原語具有實現(xiàn)高速內(nèi)存訪問所需的可配置流水線屬性和專用級聯(lián)連接。流水線階段和級聯(lián)連接是使用原語上的屬性來配置的。
本篇博文描述的是通過將 URAM 矩陣配置為使用流水線寄存器來實現(xiàn)最佳時序性能的方法。
流水線需求
通過在矩陣結(jié)構(gòu)中連接多個 URAM,從可用的 URAM 原語實現(xiàn)大容量深存儲器。
矩陣由 URAM 的行和列組成。一列中的 URAM 使用內(nèi)置級聯(lián)電路級聯(lián),且多列 URAM 通過外部級聯(lián)電路互連,這被稱為水平級聯(lián)電路。
作為示例,圖 1 示出了針對 64K 深 x 72 位寬存儲器的 4x4 URAM 矩陣的矩陣分解。
4 行 4 列的 URAM 矩陣(可實現(xiàn) 64K 深 72 位寬的存儲器)
在沒有流水線設(shè)計的情況下,深度聯(lián)結(jié)構(gòu)會導(dǎo)致內(nèi)存訪問出現(xiàn)大的時鐘輸出延遲。例如,在默認(rèn)情況下,上述 URAM 矩陣可以達(dá)到約 350 MHz。要以更快的速度訪問內(nèi)存,應(yīng)插入流水線。如果在網(wǎng)表中指定了一定數(shù)量的輸出時延,Vivado Synthesis 即會自動實現(xiàn)此功能。
指定RTL設(shè)計中的流水線
有兩種方法可以用來指定 RTL 設(shè)計中的流水線的用途,可以通過使用 XPM 流程,也可以通過行為 RTL 來推斷內(nèi)存。
如果 RTL 設(shè)計通過 XPM 流程來創(chuàng)建 URAM 內(nèi)存,則用戶可以將對流水線的要求指定為 XPM 實例的參數(shù)。參數(shù)“READ_LATENCY_A/B”用于捕獲內(nèi)存的時延要求。
可用的流水線階段數(shù)是 LATENCY 值減去 2。例如,如果 Latency 設(shè)置為 10,則允許 8 個寄存器階段用于流水線操作。另外兩個寄存器可用來創(chuàng)建 URAM 本身。
使用 XPM 設(shè)置流水線設(shè)計
如果用戶使用 Vivado 用戶指南中提供的模板來編寫 RTL,并通過此方法來創(chuàng)建 URAM,那么,他們可以在 URAM 的輸出時創(chuàng)建盡可能多的寄存器階段。唯一的要求是,與數(shù)據(jù)一起,流水線寄存器的啟用也需要流水線化。
圖 3 顯示數(shù)據(jù)和流水線的啟用。
URAM 塊輸出時的數(shù)據(jù)及流水線啟用規(guī)范
圖 4 示出了 RTL 級 RAM 流水線設(shè)計示例。
用來指定數(shù)據(jù)和流水線啟用的 verilog 模板
分析日志文件:
Vivado Synthesis 根據(jù)上下文環(huán)境和場景發(fā)布與 URAM 流水線相關(guān)的不同消息。下表說明要在 vivado.log 文件中查找的一些消息和要采取的相應(yīng)操作。
請注意,推薦的流水線階段基于可實現(xiàn)最高性能(800 MHz+)的完全流水線化的矩陣。此建議不受實際時序約束的限制。
時間性能估計:
下表說明流水線寄存器的數(shù)量與可實現(xiàn)的最大估計頻率之間的關(guān)系。
請注意,實際的時間數(shù)仍將取決于最終地點和路線結(jié)果。
下列數(shù)字基于 speedgrade-2 Virtex UltraScale+ 部件以及我們使用 4x4 矩陣實現(xiàn)的 64K x 72 URAM 示例工程。
數(shù)據(jù)路徑延遲具有以下一個或多個組件。
Tco = 1.38 ns, Clk To CascadeOut on URAM
Tco = 0.82 ns, Clk To CascadeOut on URAM with OREG=true
Tco = 0.726 ns, Clk to Dataout on URAM with OREG=true, CASCADE_ORDER = LAST
URAM -> URAM級聯(lián)延遲= 0.2 ns
URAM -> LUT信號網(wǎng)絡(luò)延遲= 0.3 ns
LUT傳輸延遲= 0.125 ns
LUT -> LUT信號網(wǎng)絡(luò)延遲= 0.2 ns
LUT5 -> FF延遲= 0.05
結(jié) 論
URAM 原語是創(chuàng)建容量非常大的 RAM 結(jié)構(gòu)的有效方法。它們被設(shè)置為易于級聯(lián)以便在您的設(shè)計中創(chuàng)建容量更大的 RAM。
但是,太多這類結(jié)構(gòu)級聯(lián)在一起可能會通過 RAM 產(chǎn)生很大的延遲。從長遠(yuǎn)來看,花時間讓您的 RAM 完全流水線化會帶來很多好處。
URAM 原語是創(chuàng)建容量非常大的 RAM 結(jié)構(gòu)的有效方法。它們被設(shè)置為易于級聯(lián)以便在您的設(shè)計中創(chuàng)建容量更大的 RAM。
但是,太多這類結(jié)構(gòu)級聯(lián)在一起可能會通過 RAM 產(chǎn)生很大的延遲。從長遠(yuǎn)來看,花時間讓您的 RAM 完全流水線化會帶來很多好處。
審核編輯:湯梓紅
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原文標(biāo)題:干貨 | 如何通過 Vivado Synthesis 中的 URAM 矩陣自動流水線化來實現(xiàn)最佳時序性能
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