MCU之SDRAM參數(shù)配置

本公司目前MCU系列，到目前為止, SWM34x 支持外接8M16M SDRAM，SWD34S系列已經(jīng)把SDRAM合封入芯片，合封的SDRAM大小根據(jù)芯片型號(hào)不同，具體見官方手冊(cè)。

在SDRAM使用過程中，需要對(duì)SDRAMC控制的各個(gè)參數(shù)進(jìn)行配置，具體參數(shù)如下表格，不同系列芯片參數(shù)稍微有點(diǎn)區(qū)別，但是配置原理一樣。下面以SWM34x SDRAM_CTRL控制器外接Winbond W9812G6KH-6為例進(jìn)行參數(shù)配置說明。

表一 MCU端需要配置的參數(shù)

以SWM34x 為例

分別說明表一中各項(xiàng)參數(shù)的計(jì)算方法

1、Bank:指的是SDRAM分了幾個(gè)塊，這個(gè)在SDRAM芯片手冊(cè)里面有說明，如W9812G6KH-6文檔中列明Bank等于4

如下圖

2. RowAddr:SDRAM中每個(gè)bank單元每一頁的地址，如W9812G6KH-6 一個(gè)Bank有4096個(gè)頁，所以頁地址占用12bit，故RowAddr=12。

3.ColAddr:SDRAM中每個(gè)Bank單元每一頁中每一行的地址，如W9812G6KH-6 一個(gè)Bank有4096個(gè)頁，每頁有512行，所以行地址暫用9bit，故ColAddr=9，根據(jù)寄存器規(guī)范，PageSize需設(shè)置為0x001

圖下圖

4. RR: SDRAM的REFRESH_RATE，即刷新頻率，根據(jù)W9812G6KH-6芯片手冊(cè)，刷新周期為64mS,在150M時(shí)鐘下,則一個(gè)clk=6.67nS, RR的計(jì)算公式為64000000(nS)/4096(頁數(shù)量)/6.67nS(每一個(gè)clk的時(shí)間)=需要的clk數(shù)量。所以RR=0x926.

5. RFC（從刷新或加載模式到刷新或激活的最小CLK周期數(shù)）: SDRAM的手冊(cè)有列明參數(shù)最小值，以W9812G6KH-6芯片手冊(cè)為例，RFC最小值為60nS（圖3）, 在MCU工作在150M時(shí)鐘下，轉(zhuǎn)換成寄存器值：RFC=60ns/6.67=8，即可得SDRAM需要的最小值8（圖4）。

（圖3）

（圖4）

6.RP（從預(yù)充電到激活或刷新的最小CLK周期數(shù)）:SDRAM手冊(cè)會(huì)有寫明，如W9812G6KH-6芯片RP=15nS，MCU端計(jì)算RP方法為RP=15nS/6.67=2.

7. RCD（從激活到讀取或?qū)懭氲淖钚LK周期數(shù)）：SDRAM手冊(cè)會(huì)有寫明，如W9812G6KH-6芯片RCD=15nS, MCU端計(jì)算RCD方法為RCD=15nS/6.67=2.

8.WR(從上次寫入傳輸?shù)筋A(yù)充電的最小CLK周期數(shù)): 固定為2.

9.RAS(從激活到預(yù)充電的最小CLK周期數(shù)): SDRAM手冊(cè)會(huì)有寫明，如W9812G6KH-6芯片RCD=42nS, MCU端計(jì)算RAS方法為RAS=42nS/6.67=6.

10.RC(從激活到激活的最小CLK周期數(shù)): SDRAM手冊(cè)會(huì)有寫明，如W9812G6KH-6芯片RC=60nS, MCU端計(jì)算RC方法為RC=60nS/6.67=8. 如下圖

11.RRD(對(duì)于不同的bank,從激活到激活的最小CLK周期數(shù)):SDRAM手冊(cè)會(huì)有寫明，如W9812G6KH-6芯片RRD=12nS, MCU端計(jì)算RRD方法為RRD=12nS/6.67=1.

12.XS(從自刷新退出到發(fā)出任何命令的最小CLK周期數(shù)減1): SDRAM手冊(cè)會(huì)有寫明，如W9812G6KH-6芯片RRD=72nS, MCU端計(jì)算XS方法為XS=72nS/6.67=10.

13.CASLatency:等于3或者2.

14.RD_Delay: 等于CASLatency、或等于CASLatency+1.

實(shí)際應(yīng)用

如果SWM34x 系統(tǒng)頻率為150M，則SDRAM控制器讀寫W9812G6KH-6(16M SDRAM)，各項(xiàng)參數(shù)配置如下：

SDRAM_InitStruct.ClkDiv = SDRAM_CLKDIV_1;

SDRAM_InitStruct.NbrBank = 2;//SDRAM_BANK_4

SDRAM_InitStruct.NbrRowAddr = 12;//SDRAM_ROW_12

SDRAM_InitStruct.NbrColAddr = 1;//SDRAM_COLUMN_9

SDRAM_InitStruct.CASLatency =3;//SDRAM_CASLATENCY_3

SDRAM_InitStruct.TimeTRC =8 ;

SDRAM_InitStruct.TimeTRRD = 1;

SDRAM_InitStruct.TimeTRCD = 2;

SDRAM_InitStruct.TimeTRAS = 6;

SDRAM_InitStruct.TimeTRP = 2;

SDRAM_InitStruct.TimeRFC =8;

SDRAM_InitStruct.TimeTXS=10;

SDRAMC->T64 = 0x926;

SDRAMC->RDDELAY = SDRAM_InitStruct.CASLatency+1;

（以上只介紹了配置方法，部分參數(shù)并沒有完全配對(duì)，需要修改驗(yàn)證）

審核編輯：劉清