在使用ROS機(jī)器人構(gòu)建地圖的過程中,需要在房間內(nèi)自主運(yùn)行,采集地圖信息。這個(gè)過程中需要控制電機(jī)的正反轉(zhuǎn),電機(jī)的轉(zhuǎn)速,以適應(yīng)機(jī)器人直行,轉(zhuǎn)彎等動(dòng)作。
正反轉(zhuǎn)控制原理
有刷電機(jī)的正反轉(zhuǎn)非常簡(jiǎn)單,只需要交換電機(jī)供電線正負(fù)極,便可以實(shí)現(xiàn)電機(jī)正反轉(zhuǎn)控制。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,我們不可能手動(dòng)去不停交換電機(jī)正負(fù)極供電順序,需要使用程序配合硬件電路去實(shí)現(xiàn)。
如下圖所示,使用4個(gè)功率管(可以為MOS管或者IGBT)搭建成橋式電路,在橋臂中心引出兩根導(dǎo)線,連接到電機(jī)的供電引腳上。
當(dāng)使用單片機(jī)控制Q2,Q3導(dǎo)通,Q1,Q4截止時(shí)。電流經(jīng)過過電源正極,經(jīng)過Q3,電機(jī)線圈,Q2流到GND。假設(shè)這種狀態(tài)時(shí)電機(jī)正轉(zhuǎn)。
當(dāng)使用單片機(jī)控制Q1,Q4導(dǎo)通,Q2,Q3截止時(shí)。電流經(jīng)過過電源正極,經(jīng)過Q1,電機(jī)線圈,Q4流到GND。假設(shè)這種狀態(tài)時(shí)電機(jī)反轉(zhuǎn)。
通過橋式電路的兩種狀態(tài)切換便可以輕松實(shí)現(xiàn)電機(jī)正反轉(zhuǎn)控制。對(duì)于有刷電機(jī)的正反轉(zhuǎn)控制還可以使用2個(gè)繼電器簡(jiǎn)單實(shí)現(xiàn),但是這種方式不便于調(diào)速控制,這里就不介紹了。
直流有刷電機(jī)調(diào)速****原理
根據(jù)電機(jī)電壓平衡方程
從公式中可以看出電機(jī)轉(zhuǎn)速n和供電電壓成正比。所以通過改變電機(jī)供電電壓可以達(dá)到到調(diào)速的目的。
在電力電子中可以通過PWM波控制開關(guān)管導(dǎo)通與關(guān)閉來調(diào)制直流電壓。并且調(diào)制電壓滿足關(guān)系Vout=D*Vin,式中D為PWM波的占空比,等于在一個(gè)PWM周期內(nèi)高電平持續(xù)的時(shí)間與PWM周期的比值。
調(diào)速方法:在進(jìn)行晶體管控制時(shí),可以選擇不同的三種斬波方式HPWM-LON,HON-LPWM,PWM-ON-PWM。我通常使用的為HPWM-LON方式即上管PWM,下管導(dǎo)通。
直流有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路
H橋電路采用4顆大電流NMOS管,柵極100歐姆電阻起到抑制浪涌電流的作用,10K電阻組成柵源寄生電容泄放回路,柵極二極管提供一個(gè)低阻抗MOS管關(guān)斷路徑,加快MOS管關(guān)斷。(電路中元件參數(shù)看根據(jù)實(shí)際PCB進(jìn)行調(diào)整)
半橋驅(qū)動(dòng)電路,當(dāng)MOS管柵源電壓高于閾值電壓時(shí)MOS管開始導(dǎo)通,IRF3710的閾值電壓為4V。但是只是使用4V電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)MOS管時(shí),MOS管Rds比較大,MOS管不能流過過大電流,如下圖所示:
從圖中可以看出,隨著柵源電壓的增大MOS管的通流能力也就隨著增大。所以在驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)過程中,我使用了12V電源作為MOS管的驅(qū)動(dòng),當(dāng)MOS管導(dǎo)通時(shí),MOS能夠有很小的Rds,使MOS管有更大的通流能力。
電路中C7作為自舉電容,當(dāng)驅(qū)動(dòng)H橋電路中的上橋臂時(shí),由于上橋MOS管源級(jí)踩在較高的電壓上(24V),所以MOS管G極電壓應(yīng)該比源極高12V時(shí)才能夠?qū)ǎ╒gs=36V),這里利用電容兩端電壓不能突變的特性,半橋驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)部電路將MOS管柵極抬升至36V,此時(shí)MOS柵源電壓滿足導(dǎo)通條件。由于自舉電容C7需要不斷地間隔進(jìn)行充電,也就導(dǎo)致了此種電路PWM占空比不能達(dá)到100%,在編程時(shí)需要特別注意。
光偶隔離電路,使用光耦器件將驅(qū)動(dòng)器與主控進(jìn)行電氣隔離,防止電機(jī)驅(qū)動(dòng)器對(duì)主控制器的干擾。
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