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一種高壓直流母線電壓的采樣電路(二)

CHANBAEK ? 來(lái)源:頭條號(hào)模擬電路愛(ài)好者 ? 作者:頭條號(hào)模擬電路愛(ài) ? 2023-04-25 09:35 ? 次閱讀

目前,在電力系統(tǒng)自動(dòng)化領(lǐng)域、新能源電動(dòng)汽車領(lǐng)域以及高壓儲(chǔ)能領(lǐng)域,經(jīng)常需要采樣、檢測(cè)高壓直流母線電壓,一般直流高壓可能達(dá)到100Vdc~1000Vdc,結(jié)合電路成本和采樣精度,我們?cè)O(shè)計(jì)人員就需要選擇合適的采樣電路方案。昨天,我講解了一種采用電阻分壓法來(lái)檢測(cè)高壓直流母線電壓的方法,這種方法具有電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低的優(yōu)勢(shì),但在實(shí)際應(yīng)用中卻也存在一定的缺陷(詳見(jiàn)上一篇文章)。今天,我再講解另外一種高壓直流母線電壓的采樣電路,它可以做到強(qiáng)電和弱電完全隔離、絕緣,降低高壓部分對(duì)低壓部分的電磁干擾,能夠極大提高高壓直流母線電壓采樣精度,詳細(xì)電路原理如圖1所示。

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圖1 采用線性光電耦合器HCNR200實(shí)現(xiàn)高壓直流母線電壓的精確采樣

信號(hào)隔離的方法一般分為磁耦隔離和光耦隔離,光耦隔離使用光電耦合器件,把發(fā)光器件和光敏器件組裝在一起,以光為媒介,實(shí)現(xiàn)輸入和輸出之間的電氣隔離。光耦隔離是一種簡(jiǎn)單有效的隔離技術(shù),切斷了“地”干擾的傳播途徑,有效地抑制了尖峰脈沖和各種噪聲干擾。HCNR200屬于電流型光耦隔離器件,與普通非線性光耦不同,它具有更高的線性度,更高的精度和穩(wěn)定性。

圖1所示高壓直流母線電壓檢測(cè)電路由運(yùn)放U1~U3、線性光電耦合器U4、電阻R1~R10、電容C1~C7以及TVS管VD1組成,Vbus+和Vbus-分別為高壓直流母線正極和負(fù)極,Vout+和Vout-分別為電壓檢測(cè)電路輸出正、負(fù)極,Vout+/Vout-可以直接接入A/D轉(zhuǎn)換器CPU的A/D管腳進(jìn)行運(yùn)算處理。

線性光電耦合器HCNR200(廠家:AVAGO)內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖2所示,它由發(fā)光二極管D1、反饋光電二極管D2和輸出光電二極管D3組成,其工作原理為:當(dāng)驅(qū)動(dòng)電流IF通過(guò)發(fā)光二極管D1時(shí),D1發(fā)出紅外光(伺服光通量),該光分別照射在D2、D3上,反饋光電二極管D2吸收D1的一部分光通量,從而產(chǎn)生控制電流IPD1,該電流用來(lái)調(diào)節(jié)IF以補(bǔ)償D1的非線性和漂移特性。同時(shí),輸出光電二極管D3產(chǎn)生的輸出電流IPD2與D1發(fā)出的伺服光通量成線性比例。由芯片規(guī)格書(shū)可知,輸入光敏二極管電流傳輸比K1 = IPD1 / IF = 0.5%(典型值),傳輸增益K3 = IPD2 / IPD1 = 1(典型值)。

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圖2 線性光電耦合器HCNR200內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖

詳細(xì)工作原理分析:電阻R1~R7、運(yùn)放U1、線性光電耦合器U4中的D1、D2以及電容C1、C2共同構(gòu)成輸入電壓電流轉(zhuǎn)換電路,電阻R1~R6的作用是將輸入的高壓直流母線電壓轉(zhuǎn)換為輸入電流,采用多個(gè)電阻進(jìn)行串并聯(lián)是為了增大電氣安全距離以及電阻耐受功率,電容C2可以防止電路產(chǎn)生振蕩,濾除電路中的毛刺,R7為發(fā)光二極管D1的限流電阻,C1為電源濾波電容。

根據(jù)理想運(yùn)放“虛短”和“虛斷”的概念,有關(guān)系式:VU1- = VU1+ = 0,IU1-=0,因此流經(jīng)電阻R1~R6的電流會(huì)直接流向線性光電耦合器U4中的反饋光電二極管D2,即IPD1=[(Vbus+) - (Vbus-)] / (R1//R2 + R3//R4 + R5//R6);IPD1反過(guò)來(lái)調(diào)節(jié)運(yùn)放U1輸出及驅(qū)動(dòng)電流IF,使VU1-維持在參考電壓0V,運(yùn)放U1及其周邊器件實(shí)質(zhì)上構(gòu)成了一個(gè)電流并聯(lián)負(fù)反饋電路。

電阻R8~R10、運(yùn)放U2~U3、線性光電耦合器U4中的D3以及電容C3~C7共同構(gòu)成輸出電流電壓轉(zhuǎn)換電路,因?yàn)檩敵龉怆姸O管D3受到發(fā)光二極管D1的光照,輸出電流IPD2也跟著穩(wěn)定線性變化,運(yùn)放U2和電阻R8組成電流電壓轉(zhuǎn)換器,將D3電流IPD2轉(zhuǎn)換成電壓VU2OUT,且VU2OUT = R8 * IPD2;電容C3與電阻R8并聯(lián)構(gòu)成低通濾波器,以濾除線性光電耦合器U4產(chǎn)生的高頻噪聲;運(yùn)放U3構(gòu)成射極跟隨器,用來(lái)提高檢測(cè)電路的輸出帶載能力,隔離前級(jí)輸出電路和后級(jí)處理電路,最終達(dá)到提升電壓采樣精度的目的;電阻R9、電容C5以及電阻R10、電容C7為傳輸線路上的濾波電路,用于濾除高頻噪聲和干擾;VD1是TVS管,用于后端芯片的過(guò)電壓保護(hù)。

因此,圖1所示電路輸出電壓和輸入電壓之間的轉(zhuǎn)換關(guān)系為:[(Vout+) - (Vout-)]=VU2OUT = R8 * IPD2=R8 * IPD1 = R8 * [(Vbus+) - (Vbus-)] / (R1//R2 + R3//R4 + R5//R6);把這個(gè)數(shù)學(xué)表達(dá)關(guān)系通過(guò)反推并轉(zhuǎn)換為程序語(yǔ)言,便可計(jì)算出輸入端的直流高壓。

輸入電壓電流轉(zhuǎn)換電路與輸出電流電壓轉(zhuǎn)換電路,即線性光電耦合器U4兩邊供電電源電氣隔離,分開(kāi)不共地,以達(dá)到強(qiáng)電和弱電完全隔離絕緣,減小高壓部分對(duì)低壓部分的電磁干擾,另外,為了提高信號(hào)分辨率和抗干擾能力,兩邊供電均采取12Vdc電源。

圖1直流母線電壓檢測(cè)電路所有電子元器件的參數(shù)如表1所示,為了提高電壓采樣精度,部分關(guān)鍵電子元器件的參數(shù)計(jì)算如下(*非常重要*):

(1)確定最大驅(qū)動(dòng)電流IF值:HCNR200規(guī)格書(shū)中給出的輸入光敏二極管電流傳輸比K1= IPD1/IF = 0.5%(典型值),傳輸增益K3 = IPD2 / IPD1 = 1(典型值),而測(cè)試IPD2、IPD1的電流范圍是5nA~50uA,如圖3所示;顯然在這個(gè)區(qū)間內(nèi),IPD2和IPD1是高度一致的,該區(qū)間段對(duì)應(yīng)的IF = 1uA~10mA,所以取最大的IF為10mA;

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圖3 線性光電耦合器HCNR200規(guī)格書(shū)中主要參數(shù)(a)

(2)電阻R1~R6計(jì)算:如前所述,IPD1能取的最大值為50uA,這也就是被測(cè)輸入電壓最大時(shí)的IPD1,電動(dòng)汽車高壓直流母線最高電壓一般不超過(guò)750Vdc,所以R1~R6總電阻R1-6的計(jì)算公式為:R1-6≥750Vdc/50uA=15MΩ,因此R1~R6選取相同規(guī)格電阻,阻值/功率/精度為10MΩ/1W/1%;

(3)電阻R7計(jì)算:HCNR200規(guī)格書(shū)中給出的LED正向壓降VF=1.6Vdc(典型值,如圖4所示),當(dāng)運(yùn)放U1輸出電壓為0V時(shí),IF取最大值10mA,所以R7的計(jì)算公式為:R7≥(12Vdc-1.6Vdc)/10mA=1.04KΩ,因此R7阻值/功率/精度選用1KΩ/0.25W/5%;

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圖4 線性光電耦合器HCNR200規(guī)格書(shū)中主要參數(shù)(b)

(4)電阻R8計(jì)算:因?yàn)閂out+/Vout-會(huì)直接接入A/D轉(zhuǎn)換器或CPU的A/D管腳進(jìn)行運(yùn)算處理,假如后端選擇CPU型號(hào)為:STM32F107VCT6,其內(nèi)部ADC基準(zhǔn)電平VREF擬定為3.3Vdc,為了使檢測(cè)電路輸出不越限,應(yīng)控制VU2OUT ≤3.3Vdc,即R8≤3.3Vdc / IPD2 = 3.3Vdc / 50uA = 66 KΩ,因此R8阻值/功率/精度選用64.9KΩ/0.1W/1%;

(5)運(yùn)放U1~U3:如果輸入直流母線電壓較低,經(jīng)過(guò)電流傳輸、光電感應(yīng)和電流電壓變換后,最后的輸出電壓幅度可能會(huì)比較小,在運(yùn)放端甚至?xí)霈F(xiàn)截止失真(下限截止),同時(shí),運(yùn)放的失調(diào)電壓、偏置電流對(duì)電壓采樣精度也有很大影響,因此,選擇運(yùn)放型號(hào)為:OPA2171AIDR,該運(yùn)放屬于高精度型,輸入失調(diào)電壓典型值為0.25mV,輸入偏置電流小于15pA,基本可以滿足采樣精度的要求。

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表1 本文提出的直流母線電壓檢測(cè)電路所有電子元器件參數(shù)規(guī)格表

利用圖1電路及表1參數(shù)設(shè)計(jì)的高壓直流母線電壓檢測(cè)電路,通過(guò)高壓直流電源模擬輸入,實(shí)測(cè)0~500Vdc電壓范圍的采樣精度如表2所示,可見(jiàn)該采樣電路能實(shí)現(xiàn)較高精度的高壓直流檢測(cè)。

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表2 按照?qǐng)D1電路及表1參數(shù)設(shè)計(jì)的高壓直流母線電壓檢測(cè)電路實(shí)測(cè)結(jié)果對(duì)比

在設(shè)計(jì)電路時(shí)還需要注意以下幾點(diǎn):其一,雖然我將線性光電耦合器HCNR200的特性講解的比較清楚了,但大家在應(yīng)用該電路時(shí)還是需要詳細(xì)閱讀一下芯片HCNR200的規(guī)格書(shū);其二,大家要根據(jù)具體直流總壓檢測(cè)范圍來(lái)選擇電阻R1~R6的值,也不限定只使用6只電阻,可以多也可以少(但要滿足爬電距離要求),如果選擇阻值過(guò)大會(huì)影響電壓低端檢測(cè)精度,如果選擇阻值過(guò)小會(huì)導(dǎo)致電阻發(fā)熱,甚至使IPD1值越限;其三,運(yùn)放的選擇要特別注意,注意運(yùn)放的失調(diào)電壓、偏置電流不能過(guò)大,另外很多高精度運(yùn)放是需要雙電源供電(即正、負(fù)電源),如果運(yùn)放規(guī)格書(shū)沒(méi)有指出可支持單電源供電,千萬(wàn)不要將雙電源運(yùn)放采取單電源供電,不然的話,輕則影響精度,重則運(yùn)放不能正常工作。

最后我想告訴大家:其實(shí)圖1所示高壓直流檢測(cè)電路就是目前市場(chǎng)上可以買到的“直流電壓變換器”或者叫“直流電壓傳感器”的內(nèi)部電路原理圖,單價(jià)在200元左右,如果大家掌握了該電路即可巧妙的應(yīng)用在各種控制器中。本文通過(guò)使用線性光電耦合器HCNR200可以實(shí)現(xiàn)高壓直流母線電壓的精確檢測(cè),以及系統(tǒng)高壓部分和低壓部分的電氣隔離,有效降低了高壓強(qiáng)電對(duì)低壓弱電的電磁干擾,同時(shí),因?yàn)镠CNR200中間傳輸?shù)氖请娏餍盘?hào)而非電壓信號(hào),消除了大部分電壓噪聲的影響,極大地提高了電壓采樣精度。

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