電鍍工藝具有哪些優(yōu)勢(shì)呢？

電鍍又稱電沉積，是一種功能性金屬薄膜的制備方法。電鍍本質(zhì)上屬于種電化學(xué)還原過程，即借助外電 場(chǎng)提供的電子，在所需的基材上將水溶液中的金屬離子還原成原子態(tài)金屬，并通過控制溶液中的金屬離子種類、存在形態(tài)、濃度、微量添加劑，以及溫度、電流密度、酸堿度、攪拌程度等，來調(diào)控沉積金屬的結(jié)晶形態(tài)、晶體取向、晶粒大小、表面平整度及金屬成分等，最終獲得所需要的具備特殊功能的金屬薄膜。

由于電鍍是以金屬薄膜制備為主，因此，在電子封裝中主要涉及各種金屬布線、焊盤、凸點(diǎn)，接插件中的電接觸鍍層等的制備。

電鍍具有以下優(yōu)勢(shì)：配合各種光刻、掩模技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)高密度、高精度金屬薄膜或線路制造；與物理/化學(xué)等氣相沉積技術(shù)相比，電鎮(zhèn)設(shè)備投資少、工藝簡(jiǎn)單，可實(shí)現(xiàn)大規(guī)模低成本工業(yè)化制造；通過金屬種類的選擇和多層組合，可實(shí)現(xiàn)各種特殊功能，滿足產(chǎn)品需求。

在電子封裝中，電鍍工藝是必不可少的。針對(duì)不同的封裝，電鍍的加工精度和功能要求有所不同。

在傳統(tǒng)的引線框型（如 DIP、QFP、QFN、SOP、SON 等）封裝中，鍍銅、鑊銀、鍍鎳、鑊鈀和鑊金 主要用于銅或鐵鎳合金引線框架表面的處理，其目的是保證框架表面的可焊性、鍵合性和防護(hù)性。為了降低成本，貴金屬電鍍多采用局部電鍍。

球珊陣列型（如 BGA、FC-BGA 等）封裝所用到的有機(jī)封裝基板內(nèi)部銅布線及Flip Chip表面再布線（RDL)，生采用化學(xué)鑊銅與電鍍銅相結(jié)合的辦法來完成。表面的焊盤多需要鍍鎳打底，表面再鍍銀、鍍金或鎮(zhèn)錫，線寬一般在5~50μm 范圍內(nèi)。

在圓片級(jí)封裝（WIP）中，除了表面再布線（RDL） 用到鍍銅、鍍鎳或鍍金，對(duì)于焊點(diǎn)密度較高的產(chǎn)品，焊接凸點(diǎn)（Bump）也是通過電鍍制作的，包括掩模鍍銅柱、鍍錫或鍍錫合金凸點(diǎn)。RDL 線寬一般為 1~25μm，Bump 高度可達(dá) 200μm。

隨著電 子封裝技術(shù)與產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，電鍍?cè)诟呙芏戎圃臁⒏呔戎圃旌偷统杀局圃旆矫鎸?huì)發(fā)揮越來越大的作用。

審核編輯：劉清