1,RAM的分類
RAM分為兩大類,第一種稱為靜態(tài)RAM(static RAM/SRAM),這種RAM讀寫速度非常快,但價格昂貴,通常在要求苛刻的地方使用,比如CPU的一級二級緩沖;
第二種為動態(tài)RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM的速度比SRAM慢很多,但依然遠比ROM快,且價格比SRAM便宜,計算機的內(nèi)存就是DRAM;
計算機使用的內(nèi)存稱為DDR RAM(Date-Rate RAM),它的基本特性與DRAM相同,區(qū)別是它可以在一個時鐘讀寫兩次數(shù)據(jù),這樣數(shù)據(jù)傳輸速度就加倍了。(我們常說的“內(nèi)存”基本等同于DRAM)
2,兩種FLASH
由于FLASH本身具備電子可擦除可編程(EEPROM)的性能,不會斷電丟失數(shù)據(jù)且可以快速讀取數(shù)據(jù),因此幾乎全面替代了ROM,被用于存儲bootloader或者操作系統(tǒng)或者直接當U盤使用;
FLASH分為Nor flash與Nand flash,Nor flash與DRAM類似,用戶可以直接運行裝載在nor flash中的代碼,由于價格比SRAM便宜,因此可以減少SRAM容量進而節(jié)約成本;
用戶使用NorFlash還是Nand Flash取決于成本與空間,通常,容量不大且要求讀取速度的,會使用Nor Flash,而容量較大的信息則存儲于Nand Flash;
舉例
已知:這塊開發(fā)板來自三星,它的存儲包括:一塊4MB NOR FLASH,一塊256MB NAND Flash,64M 內(nèi)存;
方法一:從NOR Flash啟動
Nor Flash啟動模式下,將編譯完成的bin文件燒入NorFlash,Nor Flash的基地址是0地址,片內(nèi)RAM的0地址的0x40000000,Nor Flash直接與CPU傳輸數(shù)據(jù),不需要通過片內(nèi)RAM的中轉就可以啟動并運行;
方法二:從NAND Flash啟動
上一種方法可以正常啟動,但NorFlash價格較高,性價比低,因此可以采用方法二,S3C2440內(nèi)部自帶一塊容量為4K的bootSRAM(叫做起步階石“Steppingstone”),0地址處為bootSRAM, 啟動前他里面是空的,啟動后S3C2440 先通過硬件機制將NANDFLASH的前4K內(nèi)容拷貝他里面去,之后從0地址處開始執(zhí)行。
S3C2440的NAND控制器會自動把NAND FLASH中的前4K代碼數(shù)據(jù)搬到內(nèi)部SRAM中(地址為0x40000000),同時還把這塊SRAM地址映射到了0x00000000地址,CPU從0x00000000位置開始運行程序。
注:
如果程序編譯鏈接后大小小于4K,那么系統(tǒng)的啟動代碼中無需將程序從NANDFLASH 搬運到SDRAM 中后再去執(zhí)行,因為所有的程序在啟動時即全部由NANDFLASH 拷貝到了bootSRAM中執(zhí)行了;
如果系統(tǒng)中所編的程序編譯后大于4K,那么系統(tǒng)的啟動代碼中需要包含一段將系統(tǒng)的全部程序從NAND FLASH 搬運到SDRAM的代碼,系統(tǒng)啟動時 只將NAND FLASH 的前4K 拷貝到BootSRAM中;由于程序在NAND FLASH中是無法被執(zhí)行的,所以前4K被拷貝到BootSRAM中需要有能將程序拷貝到SDRAM中的代碼。
審核編輯:劉清
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原文標題:RAM,ROM與Flash(2)
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