在開始這篇文章前,我們先了解一下什么是電子元器件。 電子元器件是電子元件和小型的機(jī)器、儀器的組成部分,其本身常由若干零件構(gòu)成,可以在同類產(chǎn)品中通用;常指電器、無(wú)線電、儀表等工業(yè)的某些零件,如電容、晶體管、游絲、發(fā)條等子器件的總稱,常見的有二極管等。 通俗點(diǎn)來(lái)說(shuō),用于制造或組裝電子整機(jī)用的基本零件可以被稱為元器件,元器件是電子電路中的獨(dú)立個(gè)體。
常用電子元器件的識(shí)別
一、電阻
電阻器我們習(xí)慣稱之為電阻,是電子設(shè)備中最常應(yīng)用的電子元件之一,電阻在電路中用“r”加數(shù)字表示,如:r13表示編號(hào)為13的電阻。電阻在電路中的主要作用為分流、限流、分壓、偏置、濾波(與電容器組合使用)和阻抗匹配等。
參數(shù)識(shí)別:電阻的單位為歐姆(Ω),倍率單位有:千歐(kΩ),兆歐(MΩ)等。換算方法是:1兆歐(mΩ)=1000千歐(kΩ)=1000000歐 電阻的參數(shù)標(biāo)注方法有3種,即直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法。 1.數(shù)標(biāo)法主要用于貼片等小體積的電路,如:472 表示 47×100Ω=即4.7k;103 表示10000Ω(10后面加三個(gè)0)也就是10kΩ 2.色環(huán)標(biāo)注法使用最多,第一道色環(huán)表示阻值的最大一位數(shù)字,第二道色環(huán)表示第二位數(shù)字,第三道色環(huán)表示阻值未應(yīng)該有幾個(gè)零,第四道色環(huán)表示阻值的誤差。
電阻的色標(biāo)位置和倍率關(guān)系如下表所示:
二、電容
電容是由兩片金屬膜緊靠,中間用絕緣材料隔開而組成的元件。電容在電路中一般用“c”加數(shù)字表示,如c223表示編號(hào)為223的電容電容的特性主要是隔直流通交流。
電容器的主要參數(shù)也有兩個(gè),標(biāo)稱電容量和允許誤差。
1、標(biāo)稱電容量,指電容器上標(biāo)注的電容量,電容容量的大小就是表示能貯存電能的大小,電容對(duì)交流信號(hào)的阻礙作用稱為容抗,它與交流信號(hào)的頻率和電容量有關(guān)。
容抗xc=1/2πf c
(f表示交流信號(hào)的頻率,c表示電容容量)
識(shí)別方法:電容的識(shí)別方法與電阻的識(shí)別方法基本相同,也分直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法三種。電容的基本單位用法拉(f)表示,其它單位還有:毫法(mf)、微法(uf)、納法(nf)、皮法(pf)。其中,1法拉=10^3毫法=10^6微法=10^9納法=10^12皮法
直標(biāo)法:容量大的電容其容量值在電容上直接標(biāo)明,如2200 uf/10v
字母表示法:152m=1500pf
數(shù)字表示法:一般用三位數(shù)字表示容量大小,前兩位表示有效數(shù)字,第三位數(shù)字是倍率。如:10^2表示10×10^2pf=1000pf
2、允許誤差分三級(jí),同于電阻器誤差的表示方法。微調(diào)電容器和可變電容器標(biāo)出了它的電容量的最小值和最大值,如7/270p
三、電感
電感線圈是將絕緣的導(dǎo)線在絕緣的骨架上繞一定的圈數(shù)制成。直流可通過線圈,直流電阻就是導(dǎo)線本身的電阻,壓降很?。划?dāng)交流信號(hào)通過線圈時(shí),線圈兩端將會(huì)產(chǎn)生自感電動(dòng)勢(shì),自感電動(dòng)勢(shì)的方向與外加電壓的方向相反,阻礙交流的通過,所以電感的特性是通直流阻交流,頻率越高,線圈阻抗越大。電感在電路中可與電容組成振蕩電路。
電感在電路中常用“L”加數(shù)字表示,如:L3表示編號(hào)為3的電感。
電感一般有直標(biāo)法和色標(biāo)法,色標(biāo)法與電阻類似。電感的基本單位為:亨(h) 換算單位有:1h=10^3mh=10^6uh。
四、二極管
二極管又稱晶體二極管,簡(jiǎn)稱二極管(diode),另外,還有早期的真空電子二極管;它是一種具有單向傳導(dǎo)電流的電子器件。在半導(dǎo)體二極管內(nèi)部有一個(gè)PN結(jié)兩個(gè)引線端子,這種電子器件按照外加電壓的方向,具備單向電流的轉(zhuǎn)導(dǎo)性。一般來(lái)講,晶體二極管是一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體燒結(jié)形成的p-n結(jié)界面。在其界面的兩側(cè)形成空間電荷層,構(gòu)成自建電場(chǎng)。當(dāng)外加電壓等于零時(shí),由于p-n 結(jié)兩邊載流子的濃度差引起擴(kuò)散電流和由自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài),這也是常態(tài)下的二極管特性。
五、三極管 三極管, 也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件。其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào),也用作無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)。 三極管是半導(dǎo)體基本元器件之一,具有電流放大作用,是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結(jié),兩個(gè)PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分,中間部分是基區(qū),兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū),排列方式有PNP和NPN兩種。
六、MOSFET管 mos管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬-絕緣體(insulator)-半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。 場(chǎng)效應(yīng)管通過投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過晶體管的電流。事實(shí)上沒有電流流過這個(gè)絕緣體,所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管,或,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。因?yàn)镸OS管更小更省電,所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。
編輯:黃飛
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原文標(biāo)題:這些元器件基礎(chǔ)知識(shí)都不懂,怎么混電子圈
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