基于IRFP240和IRFP9240MOSFET的100W功率放大器電路

此處顯示了基于 IRFP240 和 IRFP9240 MOSFET 的 100W MOSFET 功率放大器電路。該放大器采用+45/-45 V DC雙電源供電，可為8歐姆揚(yáng)聲器提供100瓦有效值，為4歐姆揚(yáng)聲器提供160瓦有效值。該Hi-Fi放大器電路適用于許多應(yīng)用，如通用放大器，吉他放大器，鍵盤放大器。放大器也可以用作低音炮放大器，但必須在輸入級(jí)之前添加低音炮濾波器級(jí)。該放大器具有0.1%的低失真，阻尼因數(shù)大于200，輸入靈敏度為1.2V，帶寬為4Hz至4 KHz。

電路圖。

100W 場(chǎng)效應(yīng)管功率放大器電路

關(guān)于電路。

電容C8是輸入直流去耦電容，用于阻斷來(lái)自輸入源的直流電壓（如果有的話）。如果斷開，該直流電壓將改變后續(xù)級(jí)的偏置設(shè)置。電阻R20將輸入電流限制在Q1 C7旁路來(lái)自輸入的任何高頻噪聲。晶體管Q1和Q2構(gòu)成輸入差分對(duì)和圍繞Q9和Q10提供1mA電流的恒流源電路。預(yù)設(shè)R1用于調(diào)節(jié)放大器輸出端的電壓。電阻R3和R2設(shè)置放大器的增益。第二差分級(jí)由晶體管Q3和Q6形成，而晶體管Q4和Q5形成電流鏡，使第二差分對(duì)消耗相同的電流。這樣做是為了改善線性度和增益。功率放大級(jí)基于在AB類模式下工作的Q7和Q8。預(yù)設(shè)R8可用于調(diào)節(jié)放大器的靜態(tài)電流。由電容器C3和電阻R19組成的網(wǎng)絡(luò)提高了高頻穩(wěn)定性并防止了振蕩的機(jī)會(huì)。F1 和 F2 是安全保險(xiǎn)絲。

電路設(shè)置。

在上電前將R1設(shè)置為中點(diǎn)，然后緩慢調(diào)整以獲得最小電壓（輸出端小于50mV0）。下一步是設(shè)置靜態(tài)電流，將預(yù)設(shè)的R8保持在最小電阻，并在電路圖中標(biāo)記為X和Y的點(diǎn)上連接萬(wàn)用表?，F(xiàn)在調(diào)整R8，使萬(wàn)用表讀數(shù)為16.5mV，對(duì)應(yīng)于50mA靜態(tài)電流。

筆記。

將電路組裝在高質(zhì)量的PCB上。

使用+45/-45 V DC、3A雙電源為電路供電。

電源電壓不得超過(guò) +55/-55 V DC。

在連接揚(yáng)聲器之前，請(qǐng)檢查放大器的零信號(hào)輸出電壓，在任何情況下都不應(yīng)高于50mV。如果高于50mV，請(qǐng)檢查電路是否有任何錯(cuò)誤。用另一組替換Q1，Q2也可以解決這個(gè)問(wèn)題。

將 Q7 和 Q8 安裝到 2°C/W 散熱器上。Q7和Q8必須使用云母片與散熱器隔離。幾乎所有封裝類型的功率晶體管/MOSFET 的散熱器安裝套件在市場(chǎng)上都很容易買到。

除 R10、R11 和 R19 外的所有電阻均為 1/4 W 金屬膜電阻器。R10和R11是5W繞線型，而R19是3W繞線型。

100W MOSFET 功率放大器的電源。

+45 / -45 雙電源，用于 100W MOSFET 功率放大器

放大器電路使用基本的雙電源。如果沒有 6A 安培電橋，則使用四個(gè) 6A6 二極管制作一個(gè)。C10和C11是高頻旁路電容器。濾波電容C8和C9必須至少為10000uF，值越高紋波越小?？蛇x的 3A 保險(xiǎn)絲可以添加到 +45 和 -45 線路中。變壓器T1可以是230V初級(jí)，35-0-35V次級(jí)，300VA降壓變壓器。