α-BBO晶體
福晶科技擁有業(yè)內(nèi)最大的α-BBO晶體生產(chǎn)規(guī)模,大尺寸毛坯生長(zhǎng)技術(shù)引領(lǐng)世界水平
光在非均質(zhì)體中傳播時(shí),其傳播速度和折射率值隨振動(dòng)方向不同而改變,其折射率值不止一個(gè)。光波入射非均質(zhì)體,除特殊方向以外,都要發(fā)生雙折射,分解成振動(dòng)方向互相垂直、傳播速度不同、折射率不等的兩種偏振光,此現(xiàn)象即為雙折射(如圖1所示)。產(chǎn)生雙折射現(xiàn)象的晶體叫做雙折射晶體,其作用類(lèi)似于兩個(gè)透振方向互相垂直的起偏器。
圖1 雙折射現(xiàn)象
α-BBO晶體是一種性能突出的雙折射晶體,具有大的雙折射率、寬的透光范圍等優(yōu)異的光學(xué)特性,廣泛應(yīng)用于光偏轉(zhuǎn)技術(shù)、高功率激光和超快激光應(yīng)用等領(lǐng)域。主要用于制作:
紫外偏振棱鏡如格蘭泰勒棱鏡、渥拉斯頓棱鏡;
高功率光隔離器;
超快激光的群速失配補(bǔ)償器等。
一
α-BBO晶體的一些特性
雙折射晶體的種類(lèi)眾多,α-BBO以其優(yōu)異的光學(xué)特性彌補(bǔ)了YVO4、CaCO3等傳統(tǒng)雙折射晶體的不足,是一種理想的紫外雙折射晶體。
1
α-BBO晶體簡(jiǎn)介
偏硼酸鋇(BaB2O4)存在著高溫相(α-BBO )和低溫相(β-BBO)兩種多型體,熔點(diǎn)為1095℃,其相變溫度為925℃左右[1]。
眾所周知,低溫相 β- BBO晶體是一種優(yōu)良的非線(xiàn)性光學(xué)晶體,在激光倍頻、混頻和光參量振蕩等方面應(yīng)用廣泛。福晶科技是BBO晶體世界領(lǐng)導(dǎo)者,全球市場(chǎng)份額高達(dá)70%以上,在三十余年的發(fā)展歷程中對(duì)超快激光、量子科學(xué)發(fā)展起到了巨大的推動(dòng)作用,
高溫相α-BBO晶體屬三方晶系,單胞參數(shù)為:a=b=0.7235nm,c=3.9192 nm。高溫相α-BBO晶體為負(fù)光軸晶體,具有大的雙折射率,透光范圍為189~3500nm,物理化學(xué)性能穩(wěn)定,機(jī)械加工性能優(yōu)異。但因?yàn)榫哂?a target="_blank">中心對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu),因此不同于β-BBO,α-BBO晶體無(wú)二階非線(xiàn)性效應(yīng)。
2
光在α-BBO晶體中的傳播
α- BBO晶體為負(fù)光軸晶體,根據(jù)o光、e光的特點(diǎn),利用惠更斯原理可作出o、e光在晶體中的傳播方向[2],下面我們分情況進(jìn)行討論:
(1)斜入射:
①由于光軸在入射面內(nèi)(此處是紙面),兩主截面重合,所以,兩光均在入射面內(nèi),o光光矢量垂直于入射面,e光光矢量平行于入射面(如圖2所示)。
②若光軸不在入射面內(nèi)時(shí),兩主截面不再重合,E點(diǎn)已不在入射面內(nèi),e光也不在入射面內(nèi)。
③當(dāng)入射方向與光軸平行時(shí),e光將與入射線(xiàn)在法線(xiàn)同側(cè)(如圖3所示)。
圖2 o光光矢量垂直于入射面,
e光光矢量平行于入射面
圖3入射方向與光軸平行,
e光與入射線(xiàn)在法線(xiàn)同側(cè)
(2)垂直入射:
①光軸垂直于晶體表面且平行于入射面。o、e光速度相同,方向相同,不發(fā)生雙折射(如圖4所示)。
圖4 o、e光速度相同,方向相同,不發(fā)生雙折射
②光軸平行于晶體表面且垂直于入射面。o、e光方向相同,但光速不同,直觀上不分開(kāi),要發(fā)生雙折射(如圖5所示)。
圖5 o、e光方向相同,但光速不同,發(fā)生雙折射
③光軸平行于晶體表面且平行于入射面。o、e光方向相同,但速度不同,直觀上不分開(kāi),要發(fā)生雙折射(如圖6所示)。
圖6 o、e光方向相同,但光速不同,發(fā)生雙折射
3
α-BBO晶體的光學(xué)特性
α-BBO晶體具有非常良好的光學(xué)性能,在紫外到中紅外都具有很好的透過(guò),它有如下一些特征:
(1)具有大的雙折射率;
(2)透光范圍為189~3500nm;
(3)物理化學(xué)性能穩(wěn)定;
(4)機(jī)械加工性能優(yōu)異;
(5)尤其在紫外區(qū)的透過(guò)率很高(95%),其性能優(yōu)于YVO4和CaCO3晶體。表1列舉了α-BBO晶體與二者的對(duì)比:
表1 α-BBO晶體與其他雙折射晶體的光學(xué)特性對(duì)比[3]
二
福晶科技α-BBO晶體的發(fā)展情況
福晶科技從事α-BBO晶體生長(zhǎng)研發(fā)多年,在原料配方設(shè)計(jì)、原料合成處理、溫場(chǎng)設(shè)計(jì)優(yōu)化等方面積累了大量研究實(shí)驗(yàn)的成果和經(jīng)驗(yàn),擁有業(yè)內(nèi)最大的α-BBO晶體生產(chǎn)規(guī)模,并于2022年在大尺寸α-BBO晶體毛坯生長(zhǎng)技術(shù)領(lǐng)域取得了重要突破,實(shí)現(xiàn)了1公斤級(jí)別大尺寸、高質(zhì)量毛坯的穩(wěn)定生長(zhǎng),將現(xiàn)有報(bào)道中世界α-BBO晶體生長(zhǎng)水平向前推進(jìn)了一步。
福晶科技的α-BBO晶體生長(zhǎng)經(jīng)過(guò)多年研發(fā)創(chuàng)新,技術(shù)水平處于世界領(lǐng)先水平。
1、通過(guò)特殊的離子摻雜技術(shù),保證晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定[3][4],同時(shí)改善了內(nèi)部應(yīng)力,減少了晶體加工過(guò)程中的開(kāi)裂。
偏硼酸鋇(BaB2O4)存在著高溫相(α-BBO)和低溫相(β- BBO)兩種多型體,熔點(diǎn)為1095℃,其相變溫度為925℃左右[1]。通常α-BBO晶體采用提拉法(CZ法)從BBO熔體生長(zhǎng),但在生長(zhǎng)過(guò)程中,開(kāi)始可以長(zhǎng)出十分透明、完整的α- BBO單晶,但隨著晶體冷卻通過(guò)相變點(diǎn)溫度(925℃)時(shí),晶體就從α相轉(zhuǎn)變成β相,結(jié)果引起了晶體失透及破壞性破碎。而且提拉法生長(zhǎng)的α-BBO晶體容易沿著(001)解理。因此,采用CZ法從BBO熔體中生長(zhǎng)出大尺寸完整的、高質(zhì)量的α-BBO晶體是非常困難的。
項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)對(duì)α-BBO原料進(jìn)行特殊的離子摻雜,使得α-BBO晶體從高溫降至低溫的情況下不發(fā)生相變,仍然保持α相晶體結(jié)構(gòu),從而避免了因結(jié)構(gòu)變化而導(dǎo)致的晶體嚴(yán)重開(kāi)裂現(xiàn)象。另一方面,由于晶體高溫生長(zhǎng),內(nèi)部不可避免存在熱應(yīng)力,在后續(xù)的切割拋光等加工過(guò)程容易導(dǎo)致開(kāi)裂,摻雜離子的加入,有效改善了內(nèi)部的熱應(yīng)力,極大減少了后續(xù)加工過(guò)程中發(fā)生的開(kāi)裂現(xiàn)象,對(duì)于提高成品率、降低成本起到了巨大的貢獻(xiàn)作用。
2、通過(guò)精確的自動(dòng)提拉控制,結(jié)合各個(gè)工藝參數(shù)的優(yōu)化,使得晶體內(nèi)部缺陷極少,光學(xué)均勻性高,從而使晶體具備體吸收小、波前畸變小的特點(diǎn)。國(guó)內(nèi)能夠批量提供α-BBO晶體及器件的廠家屈指可數(shù),福晶科技擁有數(shù)十臺(tái)自動(dòng)化生長(zhǎng)爐生產(chǎn)α-BBO晶體,能夠穩(wěn)定提供高質(zhì)量、性能優(yōu)異的α-BBO晶體及元件。
3.α-BBO晶體產(chǎn)品指標(biāo)
福晶科技可穩(wěn)定、批量供應(yīng)大尺寸、高精度的α-BBO晶體元器件,基本加工指標(biāo)如表2所示。
表2產(chǎn)品加工參數(shù)
圖9Zygo測(cè)試α-BBO波前參數(shù)
福晶科技生長(zhǎng)的α-BBO晶體內(nèi)部質(zhì)量良好,晶體吸收?。▓D9),具有良好的紫外透過(guò)(圖10)。
圖10α-BBO晶體的吸收測(cè)試
審核編輯:劉清
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原文標(biāo)題:福晶小課堂 | α-BBO晶體一種性能優(yōu)良的雙折射晶體
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