反激變換器MOS管關(guān)斷時DS波形分析

先講連續(xù)時或臨界時MOS管DS波形，在講斷續(xù)模式下mos管Ds波形。

1，CCM模式或者CRM模式下MOS管DS波形

如圖是CCM或者是CRM模式下DS波形，鉛筆為電感l(wèi)p的電流波形

在開關(guān)管關(guān)斷時，漏感Llk儲存的能量沒有辦法對副邊釋放，關(guān)斷的瞬間開始對開關(guān)管的DS電容進(jìn)行充電，從上述t0時刻開始，當(dāng)mos管DS電壓達(dá)到輸入電壓Vin時刻，即t1時刻，等效電路如下所示

上圖是to-t1時刻的等效電路

開關(guān)管完全截止，此時副邊的二極管開始開通，主電感能量開始向副邊釋放能量，而變壓器的漏感能量會繼續(xù)給開關(guān)管的DS容及寄生容沖電，當(dāng)電壓達(dá)到Uin+Ucmin時，吸收二極管開始導(dǎo)通（這個點(diǎn)圖中忘做標(biāo)記了，這個點(diǎn)電壓是比Uin+Uclamp稍低一點(diǎn)），吸收二極管導(dǎo)通后，會對電容c繼續(xù)充電，直到達(dá)到最大電平Uin+Uclamp。在t2之前會有一個1/4的震蕩過程，這個過程是漏感Llk和電容c進(jìn)行諧振產(chǎn)生的。這個過程等效電路如下圖所示

圖示是t1-t2等效電路圖

當(dāng)電壓達(dá)到最大點(diǎn)的時候，此時漏感儲存的能量基本已經(jīng)釋放完畢，不再向吸收電容上充電，所以mos管DS兩端的電壓也開始往下掉，此時漏感會和mos管DS容及寄生容發(fā)生高頻震蕩，由于mos管DS兩端端容要遠(yuǎn)小于吸收電路的電容c，所以漏感和mos管DS容產(chǎn)生的振蕩頻率是比較高的，此時電容C上的能量也開始通過R進(jìn)行釋放，直到電平到達(dá)穩(wěn)定Uin+Uor時結(jié)束，及t3，t3后面都是主感量Lm向副邊釋放能量的過程，直到下一個開關(guān)管開通信號來臨。

2，DCM模式下MOS管DS波形

DCM模式下MOS管關(guān)斷時DS兩端波形，鉛筆為Lp電流波形

斷續(xù)模式下前面一直到t4過程都是一樣的，只是多了一個t4-t5階段

下面介紹一下t4-t5階段，在t4階段結(jié)束時，是Lp能量釋放完畢的過程，在Lm能量釋放完畢過后，開關(guān)管仍然是關(guān)閉的，此時Lp，Llk和Mos管DS電容發(fā)生振蕩的過程，振蕩波形的中心點(diǎn)電壓為Uin。

上面就是反激變換器MOS管DS波形典型波形分析，上面是個人理解，有問題請留言指正。

后面講RCD吸收電路的參數(shù)影響及如何選擇。