上節(jié)講了一下反激的RCD吸收電路及大致參數(shù)的選取,RCD吸收電路成本低廉,所以應(yīng)用最為廣泛,但是也有其局限性,一般用在窄輸入范圍電壓下,因?yàn)殡S著輸入電壓的變高,初級(jí)的峰值電流見(jiàn)小,自然漏感中儲(chǔ)存的能量也會(huì)見(jiàn)小,吸收電容上的電壓值就會(huì)過(guò)低,及鉗位電壓過(guò)低,如果鉗位電壓變低,可能導(dǎo)致反折電壓比鉗位電壓大,則原邊鉗位電路就會(huì)增加很大的損耗,變換器的整體效率也會(huì)變低。
下面介紹一種DD吸收(二極管和TVS,TVS是瞬態(tài)抑制二極管)電路
二極管D和TVS管組成的吸收電路
由于TVS管的擊穿電壓基本都是穩(wěn)定的,而反激變換器隨著輸入電壓變高,原邊電流見(jiàn)小,漏感儲(chǔ)存的能量也會(huì)相應(yīng)的減小,所以加TVS管吸收電路的損耗是隨著輸入電壓升高而降低的,適合寬范圍輸入的反激變換器,而且用到的TVS相比于RCD里的吸收電阻體積較小。
上圖的R1和C1也是可以不加的,加R1和C1的主要作用是:當(dāng)mos管電壓還未上升到TVS擊穿電壓時(shí),可以有一部分能量被C1儲(chǔ)存起來(lái),加RC的目的主要是為了防止線路上有震蕩,對(duì)優(yōu)化EMI有一定的好處,這個(gè)參數(shù)要自己實(shí)驗(yàn)得出。有的電路還會(huì)在TVS管和二極管D之間加一個(gè)小的電阻,也是為了防止震蕩的,對(duì)優(yōu)化EMI也有一定的用處,但是這個(gè)位置的電阻不能加的過(guò)大,否則TVS管就無(wú)法導(dǎo)通,導(dǎo)致鉗位失去作用,最終可能造成主功率管損壞。
下面介紹另一種反激變換器吸收電路
三繞組吸收反激電路
三繞組吸收反激電路
這個(gè)是利用變壓器多加一個(gè)繞組來(lái)實(shí)現(xiàn)磁復(fù)位的,一般繞組的NP和N3的繞組匝數(shù)為1:1,這種方式的效率會(huì)稍高,因?yàn)樵陂_(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí),變壓器漏感的能量會(huì)由N3繞組經(jīng)過(guò)二極管回饋到輸入端,所以損耗不大,吸收效果也較好。
但是這種結(jié)構(gòu)也會(huì)有缺點(diǎn),變壓器需要多增加一個(gè)繞組,而且要和NP繞組雙股并繞,工藝復(fù)雜,變壓器體積和成本都會(huì)增加,一般只能工作在占空比小于0.5的時(shí)候,當(dāng)占空比大于0.5,變壓器就不容易復(fù)位。
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