HS52F003N新品介紹

HS52F003N 是采用低耗高速 CMOS 工藝制造的 1T 速度 51 內(nèi)核單片機(jī)，它內(nèi)建了 16Kx8-bit 的FLASH、256 Byte的EEPROM、256Byte+512byte的SRAM，包含6路12位PWM，集成了一個(gè)12位SAR ADC。

01

產(chǎn)品特征

◆1T8051指令，4級(jí)中斷優(yōu)先設(shè)置，雙數(shù)據(jù)指針(DPTRS)

◆16K×8的程序存儲(chǔ)器，靈活代碼保護(hù)，重復(fù)寫(xiě)入1萬(wàn)次

◆256× 8位EEPROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)，重復(fù)寫(xiě)入10萬(wàn)次，10年以上保存壽命

◆256× 8位IRAM+ 512× 8位XRAM

◆T0、T1定時(shí)器兼容傳統(tǒng)8051的T0、T1定時(shí)/計(jì)數(shù)器

◆T2定時(shí)器兼容主流廠商的T2定時(shí)/計(jì)數(shù)器

◆一個(gè)增強(qiáng)型EUART

◆一個(gè)兼容傳統(tǒng)8051的UART

◆4組功能IO口，共18個(gè)IO，驅(qū)動(dòng)最大可達(dá)100mA

◆內(nèi)嵌片上調(diào)試功能，可進(jìn)行在線仿真，2線燒錄和仿真接口

◆多組中斷，T0/T1/T2,TI/RI,INT0/INT1/INT2/INT3/ADC/PWM/SPI/BTM，4級(jí)中斷優(yōu)先級(jí)設(shè)置

◆內(nèi)置 16MHz±1.5%高速振蕩器，內(nèi)置 128Khz±7%低速晶體振蕩器。

◆支持ISP和IAP模式，擁有BOOT功能，LOAD ROM可以1K、2K、3K或4K

◆內(nèi)置6級(jí)LVR

◆SPI通信接口

◆WDT可設(shè)置分頻和時(shí)鐘源

◆6路共用周期12bit PWM，可分為3組互補(bǔ)帶死區(qū)PWM

◆12路12bit ADC，可內(nèi)建1.5v、2v、3v參考基準(zhǔn)/可測(cè)VDD

◆省電模式IDLE，可任意外中斷喚醒

◆sleep模式，可外中斷、端口變化中斷、BTM溢出喚醒

◆軟件可設(shè)置主頻分頻和時(shí)鐘源切換

◆寬工作電壓范圍：2.2V 至 5.5V

◆工作溫度：-40~105℃

◆ ESD：6000V；Latch up：300mA

◆基于KEILTM開(kāi)發(fā)環(huán)境

02

應(yīng)用領(lǐng)域

1、智能家居

2、安防控制

3、儀器儀表

4、白色家電

5、智能穿戴

03

封裝信息

審核編輯：劉清