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LT1533超低噪聲開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器,適用于高電壓或高電流應(yīng)用

星星科技指導(dǎo)員 ? 來(lái)源:ADI ? 作者:Jim Williams ? 2023-03-07 14:20 ? 次閱讀

LT1533 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器1, 2通過(guò)使用實(shí)現(xiàn) 100μV 輸出噪聲 圍繞其輸出的閉環(huán)控制 開(kāi)關(guān)以嚴(yán)格控制 開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換時(shí)間。放緩 下行開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換消除了 高頻諧波,大大 減少傳導(dǎo)和輻射 噪聲。

該器件的 30V、1A 輸出晶體管 限制可用功率。這是可能的 在保持 低噪聲性能 使用適當(dāng)設(shè)計(jì)的輸出 階段。

高壓輸入穩(wěn)壓器

LT1533 的 IC 工藝限制 集電極擊穿至 30V。一個(gè)復(fù)雜的 因素是變壓器 使收集器擺動(dòng)兩次 電源電壓。因此,15V 代表 允許的最大輸入 供應(yīng)。許多應(yīng)用需要 更高的電壓輸入;電路 圖 1 使用級(jí)聯(lián)編碼3輸出 達(dá)到如此高電壓的階段 能力。此 24V 至 5V (V在= 20V– 50V)轉(zhuǎn)換器讓人聯(lián)想到: 以前的 LT1533 電路,除了 Q1 和 Q2 的存在。4這些 器件,插入 IC 之間 和變壓器,構(gòu)成一個(gè)級(jí)聯(lián) 高壓級(jí)。他們提供 隔離IC時(shí)的電壓增益 從其較大的漏極電壓擺幅。

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圖1.低噪聲24V至5V轉(zhuǎn)換器(V在= 20V–50V):級(jí)聯(lián)編碼 MOSFET 可承受 100V 變壓器擺幅,因而允許 LT1533 控制 5V/2A 輸出。

通常,高壓級(jí)聯(lián) 設(shè)計(jì)為簡(jiǎn)單地提供電壓 隔離。對(duì) LT1533 進(jìn)行級(jí)聯(lián)編碼 特殊注意事項(xiàng),因?yàn)?變壓器的瞬時(shí)電壓 并且當(dāng)前信息必須是 準(zhǔn)確傳輸,盡管傳輸較低 幅度,以達(dá)到 LT1533。如果這是 如果不這樣做,穩(wěn)壓器的壓擺控制環(huán)路將無(wú)法工作,從而導(dǎo)致 輸出噪聲顯著增加。這 交流補(bǔ)償電阻分壓器 與 Q1–Q2 柵極漏極相關(guān) 偏置服務(wù)于此目的,防止 變壓器擺幅通過(guò) 柵極溝道電容從 破壞級(jí)聯(lián)的波形傳輸 保真度。第 3 季度及相關(guān) 組件提供穩(wěn)定的直流端接 對(duì)于分隔器,而 保護(hù) LT1533 免受高電平影響 電壓輸入。

圖 2 顯示的結(jié)果 Cascode 響應(yīng)是忠實(shí)的,即使 100V 擺動(dòng)。跟蹤 A 是 Q1 的來(lái)源; 跡線 B 和 C 是其柵極和漏極, 分別。在這些條件下, 在 2A 輸出時(shí),噪聲在 400μV 以?xún)?nèi) 峰。

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圖2.基于 MOSFET 的級(jí)聯(lián)代碼允許穩(wěn)壓器控制 100V 變壓器擺幅,同時(shí)保持低噪聲 5V 輸出。跡線 A 是 Q1 的源,跡線 B 是 Q1 的柵極,跡線 C 是漏極。通過(guò)級(jí)聯(lián)實(shí)現(xiàn)的波形保真度允許適當(dāng)?shù)臄[動(dòng)控制操作。

電流提升

圖3提升了穩(wěn)壓器的1A 輸出能力超過(guò)5A。它確實(shí)如此 這是使用簡(jiǎn)單的發(fā)射器跟隨器(Q1– 問(wèn)題 2)。從理論上講,追隨者 保持T1的電壓和電流 波形信息,允許 LT1533 的擺動(dòng)控制電路至 功能。在實(shí)踐中,晶體管 必須是相對(duì)較低的 beta 類(lèi)型。在 3A 集電極電流,其 beta 為 20 通過(guò) Q150–Q1 基極提供 ≈2mA 電流 路徑,足以實(shí)現(xiàn)適當(dāng)?shù)幕剞D(zhuǎn)環(huán)路 操作。5追隨者損失限制 效率達(dá)到68%左右。更高的輸入 電壓將跟隨者感應(yīng)降至最低 損耗,允許低效率 70% 范圍。

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圖3.一個(gè) 10W 低噪聲 5V 至 12V 轉(zhuǎn)換器 : Q1–Q2 提供了 5A 輸出容量,同時(shí)保留了 LT1533 的電壓 / 電流轉(zhuǎn)換控制。效率為68%。更高的輸入電壓可最大限度地減少跟隨器損耗,將效率提高到 71% 以上。

圖4顯示了噪聲性能。 紋波測(cè)量 4mV (走線 A) 使用 單個(gè)LC部分,頻率高 內(nèi)容只是可辨別的。添加 可選的第二個(gè)液相色譜部分 將紋波降至 100μV 以下 (跡線 B),高頻含量為 在 180μV 以?xún)?nèi)(注 ×50 垂直比例因子變化)。

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圖4.圖3在10W輸出時(shí)的波形:跡線A顯示了基波紋波,頻率殘余較高,剛好可以辨別??蛇x的LC部分產(chǎn)生走線B的180μVQ-1寬帶噪聲性能。

審核編輯:郭婷

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