兆馳半導體在Micro LED領(lǐng)域多項關(guān)鍵技術(shù)上取得突破

近幾年，Micro LED顯示技術(shù)因其顯著的優(yōu)勢得到快速發(fā)展，但由于該技術(shù)不成熟、成本壁壘等因素，讓Micro LED顯示大規(guī)模商業(yè)化障礙重重。

兆馳半導體作為LED芯片領(lǐng)域的新銳企業(yè)，其科研團隊一直致力于攻克Mini/Micro LED技術(shù)難題，目前，公司已在Micro LED領(lǐng)域多項關(guān)鍵技術(shù)上取得突破，可有效解決Micro LED芯片良率低、光效低、巨量轉(zhuǎn)移難度高的技術(shù)痛點，進一步提高良率、降低成本，初步形成具備獨創(chuàng)性的關(guān)鍵工藝技術(shù)方案，并相應進行了大量的自主知識產(chǎn)權(quán)布局。

01 外延技術(shù)

對于Micro LED而言，一張4寸外延的片內(nèi)波長差小于2nm才勉強滿足使用要求，除此之外Micro LED對更高光效的外延也提出了要求；如何通過對外延結(jié)構(gòu)以及生長方法和工藝進行一系列優(yōu)化從而降低外延缺陷密度，增加電子和空穴的傳輸?shù)鹊?；為此公司在外延技術(shù)方面進行知識產(chǎn)權(quán)布局。涉及多種不同外延結(jié)構(gòu)，工藝制程等領(lǐng)域，如：CN114566575A中就是一項關(guān)于解決現(xiàn)有技術(shù)中外延層中雜質(zhì)擴散至發(fā)光層中，導致發(fā)光效率低下的技術(shù)問題；CN114566575A是一種提高外延層生長平坦化的方法，提高了晶體質(zhì)量等等。

02 芯片技術(shù)

隨著芯片尺寸進入Micro量級，一系列尺寸效應也接踵而至。常規(guī)LED制備時，刻蝕工藝對芯粒的側(cè)壁損傷將變的不可忽略。芯粒尺寸減小帶來的同輸入電流下電流密度激增從而導致的溫度效應對缺陷復合產(chǎn)生一系列影響以及帶來的潛在可靠性問題都變得至關(guān)重要。在此問題上公司技術(shù)人員積極創(chuàng)新，如：CN107658371B中提出來基于激光直寫的Micro-LED的制造方法，CN113206176B是一種選區(qū)刻蝕外延Micro-LED芯片技術(shù)的新方法等。

03 巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)

另一個技術(shù)難題就是“巨量轉(zhuǎn)移”問題。巨量轉(zhuǎn)移簡而言之就是將千萬數(shù)量級的Micro尺寸級別的芯粒轉(zhuǎn)移到基板上。如：CN115692460A中提出來一種巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)的對位方式及提高芯片轉(zhuǎn)移利用率的方法；CN110660717A提出來一種用于轉(zhuǎn)移Micro-LED的轉(zhuǎn)移裝置及轉(zhuǎn)移方法; CN109449266A中基于巨量轉(zhuǎn)移原理改進芯片結(jié)構(gòu)提高巨量轉(zhuǎn)移效率的方法等等。

04 全彩化技術(shù)

Micro LED的終極目標是實現(xiàn)單像素的全彩化，而具體全彩化方式則多種多樣，如CN115411160B、CN115425127B等就是在垂直RGB像素的一種創(chuàng)新；CN115172403A、CN115662982A等等是一種扇出型封裝RGB領(lǐng)域的設計；CN114759061A、CN109768135B等則是在全彩化電子控制方向的設計。

當前，在國家政策的戰(zhàn)略性支持背景下，新一輪視覺革命蓄勢待發(fā)，以Mini/Micro LED等新型顯示技術(shù)為核心的戰(zhàn)略格局正加速形成。兆馳半導體此次新攻克的Micro LED難點，從技術(shù)領(lǐng)域和產(chǎn)品應用領(lǐng)域等層面豐富和完善了公司在Micro LED超高清顯示芯片產(chǎn)業(yè)的布局，進一步加強公司在前沿技術(shù)的領(lǐng)先優(yōu)勢，鞏固其核心競爭力。

審核編輯 ：李倩