輸出電容對(duì)低頻特性的影響

小川今天給大家介紹的是輸出電容對(duì)低頻特性的影響的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。

上一篇文章說到了兩種電容，也講到了其中的一種電容，這次將輸出電容對(duì)低頻特性的影響。

仿真前

仿真中

波特圖

有心的同學(xué)可以去我前兩篇文章觀察電路的區(qū)別，能從中領(lǐng)悟到一些東西。

本例測(cè)量輸出電容的影響。保持其他元件參數(shù)不變，僅輸出電容由10μF減為1μF。波特圖儀可以測(cè)量放大電路的頻率響應(yīng)分幅頻特性和相頻特性。雙擊波特圖儀圖標(biāo)，按下述要求調(diào)節(jié)：Mode區(qū)，選擇Magnitude；Horizontal區(qū)，選擇Log，F(xiàn)值為100MHz，I值為1Hz；Vertical區(qū)，選擇Log，F(xiàn)值為40dB，I值為-20dB。打開電源開關(guān)，就觀察到完整的幅頻特性曲線。拖動(dòng)讀數(shù)指針在曲線中間部位，測(cè)量出中頻時(shí)的增益，再分別求出高、低端的-3db頻率點(diǎn)，測(cè)得 f（L）=35Hz。