有刷電機驅(qū)動方法：通過單開關(guān)電路和半橋電路進行驅(qū)動

作為有刷電機驅(qū)動方法的最后一篇文章，本文將介紹通過有刷電機“單開關(guān)電路”和“半橋電路”進行驅(qū)動的方法。兩種方法均適用直流驅(qū)動和PWM驅(qū)動。

通過單開關(guān)電路進行驅(qū)動

這是使用一個開關(guān)創(chuàng)建兩種狀態(tài)的電路，一種狀態(tài)是將直流電源的（+）和（-）連接到電機，另一種狀態(tài)是斷開電機與直流電源的（+）或（-）的連接。因其可以通過一個開關(guān)實現(xiàn)而被稱為“單開關(guān)電路”。

當開關(guān)導(dǎo)通時，電機根據(jù)極性在一個方向上旋轉(zhuǎn)；而當開關(guān)關(guān)斷時，電壓消失，電機空轉(zhuǎn)后停止。開關(guān)的位置可以在①的（-）側(cè)，也可以在③的（+）側(cè)。也可以用半導(dǎo)體功率晶體管（圖中的MOSFET）代替開關(guān)來構(gòu)成電子電路。如②所示設(shè)置在（-）側(cè)時，使用Nch MOSFET；如④所示設(shè)置在（+）側(cè)時，使用Pch MOSFET。

使用功率晶體管時有一些注意要點。在該電路中，在開關(guān)剛剛OFF后，電機的電感量即試圖使電流繼續(xù)保持流動，因此在①中，電機（-）側(cè)的電壓達到電源電壓以上；在③中，電機（+）側(cè)的電壓達到GND以下。該電壓超過電源電壓的幾倍。因此，在使用功率晶體管時，需要按照②和④電路圖所示，將功率二極管與電機并聯(lián)連接，并通過用二極管的正向電壓抑制（鉗制）產(chǎn)生的電壓來保護晶體管。

當有該鉗位二極管時，在電機產(chǎn)生的電壓高于二極管正向電壓期間內(nèi)，電機產(chǎn)生的電流將流過該二極管，因此轉(zhuǎn)矩的作用方向與旋轉(zhuǎn)方向相反，成為短路制動動作，電機快速停止。

在該電路中也可以使用PWM驅(qū)動；也可以通過檢測電機電流并負反饋，從而進行電流驅(qū)動。

通過半橋電路進行驅(qū)動

如圖所示，在電源之間級聯(lián)連接兩個開關(guān)的電路，因其是使用四個開關(guān)的H橋（全橋）的一半而被稱為“半橋電路”。另外，由于一個H橋按1ch計算，因此有時也被稱為“0.5ch”。

當在①中接通SW2、在③中接通SW1時，電機將根據(jù)極性在固定方向上旋轉(zhuǎn)。在①中，如果在旋轉(zhuǎn)狀態(tài)下關(guān)斷SW2并同時接通SW1，就會發(fā)生短路制動動作，電機會迅速停止。在③中則相反，當關(guān)斷SW1的同時接通SW2時，將發(fā)生短路制動動作。此外，當在旋轉(zhuǎn)狀態(tài)下將①和③的SW2和SW1都關(guān)斷時，電壓消失，電機空轉(zhuǎn)后停止。

與前述的單開關(guān)電路一樣，①和③的開關(guān)部分可以用半導(dǎo)體功率晶體管替代。在該電路示例中，在直流電源的（-）側(cè)使用了Nch MOSFET，（+）側(cè)使用了Pch MOSFET。由于MOSFET有寄生二極管，因此即使在空轉(zhuǎn)狀態(tài)將Q1和Q2斷開，與電機并聯(lián)連接的MOSFET的寄生二極管也會再生電流，從而產(chǎn)生與短路制動相同的動作。只要電機的產(chǎn)生電壓不降到寄生二極管的正向電壓以下，這種短路制動狀態(tài)就會持續(xù)。

與H橋電路一樣，由于在半橋電路中也有兩個串聯(lián)在電源和GND之間的開關(guān)（晶體管），因此預(yù)驅(qū)動電路中也需要防止同時導(dǎo)通控制功能，以確保開關(guān)切換時兩個開關(guān)不會同時導(dǎo)通。如果兩個開關(guān)同時導(dǎo)通，則稱為“直通電流”的大電流可能會流過電源間，并可能會損壞開關(guān)（晶體管）。

另外，為了創(chuàng)建旋轉(zhuǎn)、制動和空轉(zhuǎn)這三種輸出狀態(tài)，需要準備兩個二進制輸入或一個三進制輸入。如果只有一個二進制輸入，則只能從三種輸出狀態(tài)中選擇兩種。

該電路也可以使用PWM驅(qū)動；也可以通過檢測電機電流并負反饋來進行電流驅(qū)動。

審核編輯黃宇