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DC/DC評估篇損耗探討-損耗因素

北上北京 ? 來源:北上北京 ? 作者:北上北京 ? 2023-02-23 10:40 ? 次閱讀

本文將探討工作條件和損耗增加之間的關(guān)系。

損耗因素

此前介紹過在電源電路的很多部位都會產(chǎn)生損耗,整體損耗的構(gòu)成部分–特定部位的損耗在某些工作條件下會增加。所以需要先認(rèn)識到工作條件是造成損耗增加的因素之一。下面匯總了與條件相關(guān)的造成損耗的因素,同時還給出了損耗的計算公式,這樣可以更明確地理解其關(guān)聯(lián)性。

隨著負(fù)載電流 poYBAGPzDvyATO-5AAAFSOs4eFw229.gif 的增加而增加的損耗因素

?高邊側(cè)的MOSFET導(dǎo)通電阻 pYYBAGPzDv6AE3olAAAFX7Aij3w975.gif 帶來的傳導(dǎo)損耗

pYYBAGPzDv-AYFwjAAAIBxXUUFk869.gif

?低邊側(cè)的MOSFET導(dǎo)通電阻 poYBAGPzDwGACefQAAAFnxkQOsM949.gif 帶來的傳導(dǎo)損耗

pYYBAGPzDwKAO34NAAAIlrnyLkc514.gif

?電感(線圈)的DCR poYBAGPzDwSAWQFTAAAFhekdNx0811.gif 帶來的導(dǎo)通損耗

pYYBAGPzDwWANVxxAAAHWgtRgus837.gif

隨著頻率 poYBAGPzDwaABA4MAAAFrf5QUrY519.gif 的提高而增加的損耗因素

?柵極電荷損耗

pYYBAGPzDwqAVYfBAAAONXBAXME095.gif

受負(fù)載電流 poYBAGPzDvyATO-5AAAFSOs4eFw229.gif 和頻率poYBAGPzDwaABA4MAAAFrf5QUrY519.gif兩者影響的損耗因素

?開關(guān)損耗

pYYBAGPzDw6AcQJkAAAKxbmSnIM688.gif

?Dead Time損耗

poYBAGPzDxCAapQtAAAJfjNhvyI224.gif

這些是和電源電路的規(guī)格變更和條件變動有關(guān)的因素。只要理解了這些關(guān)系,就可以明白探討規(guī)格和條件變更時的注意要點。

審核編輯:湯梓紅

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