Rambus利用RCD技術(shù)實(shí)現(xiàn)6.4GT/s DDR5!

Rambus宣布推出最新的RCD(registeringclock driver)芯片，傳輸速度可達(dá)6400 MT/s，標(biāo)志著DDR5內(nèi)存性能的飛躍。隨著CPU頻率和核心數(shù)量的增加，如果內(nèi)存性能跟不上CPU的性能，就會(huì)迅速成為系統(tǒng)瓶頸，Rambus希望通過(guò)RCD來(lái)解決這個(gè)問(wèn)題。

內(nèi)存帶寬大小在現(xiàn)代計(jì)算中非常重要，在數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用場(chǎng)景下尤為如此。在不久的將來(lái)，DDR5內(nèi)存將提供比DDR4更大的改進(jìn)，同時(shí)可以長(zhǎng)期提高內(nèi)存的理論最大性能。RCD在服務(wù)器級(jí)內(nèi)存性能中起著至關(guān)重要的作用，使其成為DDR5發(fā)展過(guò)程中的一個(gè)重要里程碑。

為了更深入地了解最新RCD提供的具體益處，本文采訪了Rambus數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品工程副總裁John Eble，以了解這項(xiàng)技術(shù)對(duì)DDR5 DRAM系統(tǒng)設(shè)計(jì)的重要性。

我們需要一個(gè)更大的DIMM

隨著人們對(duì)AI/ML和HPC應(yīng)用興趣的不斷增加，數(shù)據(jù)中心現(xiàn)在比以往任何時(shí)候都更渴望高性能內(nèi)存。用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的DDR4標(biāo)準(zhǔn)正在接近其最大理論傳輸速度。因此，需要DDR5來(lái)實(shí)現(xiàn)內(nèi)存的持續(xù)可擴(kuò)展性。

考慮到CPU市場(chǎng)的趨勢(shì)是指向更高數(shù)量的內(nèi)核，而不是單純提高時(shí)鐘頻率，因?yàn)楹笳邥?huì)降低電源效率。特別是對(duì)于HPC應(yīng)用而言，高性能RAM是確保最大計(jì)算效率的必要條件。

“隨著核心數(shù)量的增加，整個(gè)芯片不僅需要更大的帶寬，還需要更大的容量。因?yàn)槊總€(gè)核心所需的帶寬和容量要么是平穩(wěn)增長(zhǎng)，要么是緩慢增長(zhǎng)，而且核心數(shù)量也會(huì)增加?！?/p>

在服務(wù)器級(jí)應(yīng)用中，需要在所有操作條件下保持一致的內(nèi)存性能，這就是RCD可以提供明顯優(yōu)勢(shì)的地方。RCD充當(dāng)CPU和內(nèi)存模塊之間的中介，有助于確保在不同溫度和計(jì)算負(fù)載下保持內(nèi)存速度。

DDR5速度的持續(xù)創(chuàng)新

Rambus最新的RCD實(shí)際上是他們的第三代RCD芯片，比Gen1 DDR5設(shè)備性能提高了33%。除了6.4 GT/s的驚人內(nèi)存速度外，RCD電壓僅需1.1 V，有助于提高數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中的電源效率和熱性能。更多信息可參閱DDR5 RCD 6400 MT/s產(chǎn)品簡(jiǎn)介。

6400 MT/s RCD可與Rambus的其他DDR5芯片(包括串行存在檢測(cè)(SPD)集線(xiàn)器和溫度傳感器)一起使用，以實(shí)現(xiàn)“更智能”的內(nèi)存。當(dāng)討論包含Rambus硬件的DDR5 DIMM時(shí)，Eble表示：“有了集線(xiàn)器和熱傳感器，底板管理控制器(BMC)或CPU可以讀取溫度，并根據(jù)溫度做出改變風(fēng)扇速度、節(jié)流或提高刷新率等決定。”

更好，更快，更有效的內(nèi)存

縱觀HPC的最新進(jìn)展時(shí)，很容易被處理器的計(jì)算能力所吸引，而忽略了內(nèi)存的影響。然而，內(nèi)存性能會(huì)迅速削弱最強(qiáng)大處理器的速度，并最終使系統(tǒng)性能低于標(biāo)準(zhǔn)。正是出于這個(gè)原因，Eble相信DDR5內(nèi)存將成為全球數(shù)據(jù)中心不可或缺的一部分。

用汽車(chē)工業(yè)來(lái)為例，內(nèi)存和CPU的設(shè)計(jì)必須緊密結(jié)合在一起，Eble表示“最好提前幾年進(jìn)行規(guī)劃”。

“這就像我們制造的部件是汽車(chē)發(fā)動(dòng)機(jī)的核心部件一樣，內(nèi)存與CPU緊密耦合。如果制作PCIe卡、CXL卡或SSD，那么可以進(jìn)行更多的獨(dú)立工作，因?yàn)楹竺婵梢灾谱鞑寮５孋PU真正發(fā)揮作用，它需要與內(nèi)存緊密合作。”

通常情況下，內(nèi)存模塊的整體性能取決于各種因素，所以?xún)H通過(guò)Rambus RCD并不能保證6.4 GT/s的性能。然而，Rambus的持續(xù)創(chuàng)新使DIMM制造商看到了能夠穩(wěn)步提高其產(chǎn)品性能的希望。

審核編輯 ：李倩