當(dāng)二次側(cè)MOSFET在輕負(fù)載時(shí)因諧振動(dòng)作而導(dǎo)通時(shí)的故障對(duì)策

上一篇文章中介紹了故障①“當(dāng)二次側(cè)MOSFET立即關(guān)斷時(shí)”的對(duì)策，同時(shí)也提到了相應(yīng)對(duì)策的注意事項(xiàng)。本文將介紹當(dāng)二次側(cè)MOSFET在輕負(fù)載時(shí)因諧振動(dòng)作而導(dǎo)通時(shí)的注意事項(xiàng)和處理方法。

故障②：當(dāng)二次側(cè)MOSFET在輕負(fù)載時(shí)因諧振動(dòng)作而導(dǎo)通時(shí)

以下的電路圖與上一篇文章中給出的電路圖相同，其中給出了防止二次側(cè)MOSFET誤導(dǎo)通的對(duì)策①-1，添加鐵氧體磁珠和調(diào)整濾波用電阻R1（加大）。然而，該對(duì)策中如果R1的值過(guò)大，在輕負(fù)載時(shí)二次側(cè)MOSFET有時(shí)可能會(huì)誤導(dǎo)通。下面使用右下圖來(lái)說(shuō)明其機(jī)理。

1：因決定關(guān)斷時(shí)序的R1阻值過(guò)大，故DRAIN引腳電壓的檢測(cè)延遲，VGS2無(wú)法變?yōu)長(zhǎng)ow。

2：在VGS2變?yōu)長(zhǎng)ow之前，IFET2處于逆流狀態(tài)。

3：逆流的IFET2積蓄，二次側(cè)MOSFET關(guān)斷，因此VDS2的諧振振幅增加。

4：VDS2再次變?yōu)樨?fù)電壓，VGS2變?yōu)镠igh（二次側(cè)MOSFET誤導(dǎo)通）。

5：與2同樣，流過(guò)IFET2逆流電流，反復(fù)3、4、5。

對(duì)策

針對(duì)這種故障②，大致有4種對(duì)策。不過(guò)，與故障①的對(duì)策引發(fā)故障②相同，各對(duì)策都存在需要權(quán)衡的注意事項(xiàng)。下面匯總了4種對(duì)策及其注意事項(xiàng)。

※針對(duì)故障②，使用編號(hào)“對(duì)策②-n”來(lái)表示其對(duì)策。

●對(duì)策②-1：減小DRAIN引腳連接電阻R1
通過(guò)減小濾波用電阻R1的值，使VDS2的諧振振幅降低，可防止二次側(cè)MOSFET誤導(dǎo)通。作為故障①的對(duì)策，曾提到過(guò)加大R1值的方法，但是如果R1過(guò)大，或最初的選擇值過(guò)大，就需要重新向減小的方向調(diào)整R1的值。

※注意事項(xiàng)：如果R1過(guò)小，噪聲濾除效果也會(huì)減弱，受DRAIN引腳電壓引發(fā)的噪聲影響，可能會(huì)回到故障①的“二次側(cè)MOSFET立即關(guān)斷”狀態(tài)。使用該對(duì)策反復(fù)調(diào)整均看不到明顯效果時(shí)，就需要嘗試其他對(duì)策。

●對(duì)策②-2：改用強(qiáng)制關(guān)斷時(shí)間長(zhǎng)的型號(hào)（IC）
可通過(guò)在二次側(cè)MOSFET關(guān)斷后，在比一個(gè)諧振周期（誤導(dǎo)通發(fā)生期間）長(zhǎng)的時(shí)間%E

審核編輯：湯梓紅