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共模扼流線圈的主要性能和選擇標(biāo)準(zhǔn)

星星科技指導(dǎo)員 ? 來源:KEMET ? 作者:KEMET ? 2023-02-16 09:52 ? 次閱讀

雖然全球碳中和努力正在加速,但汽車市場中BEV和PHEV的增長速度也在迅速加快。2020年,電動汽車占全球銷量的3%。一些官方出版物估計,到15年將增長到2025%,到39年將增長到2030%,到66年將增長到2035%。

因此,電氣元件在汽車應(yīng)用中的使用正在增加,這導(dǎo)致ECE R10(2011年首次發(fā)布的聯(lián)合國EMC法規(guī))中的應(yīng)用范圍擴(kuò)大。因此,針對汽車產(chǎn)品的EMC措施已成為必須的。

共模扼流線圈的基本原理

磁通量:

當(dāng)電流流過磁芯時,通過線圈產(chǎn)生磁通量。

pYYBAGPtjFmAdrg-AAJmjItKDkg280.png

圖1

共模扼流線圈有兩根纏繞的導(dǎo)線,使信號電流的磁通相互抵消,共模電流相互加強(qiáng)磁通。共模線圈的優(yōu)點是它們消除了共模噪聲,而不會影響電源和信號線。此外,元件產(chǎn)生的漏磁通也有助于消除差模噪聲。共模扼流線圈的性能主要取決于磁性材料。所需頻率點的阻抗越高,噪聲抑制越有效。居里溫度(Tc)也應(yīng)與操作環(huán)境一起檢查。

磁性材料的電感和性能的理論公式:

環(huán)形磁芯電感的理論公式如下所示(圖2)。根據(jù)該公式,磁導(dǎo)率越大,電感越高(圖3)。然而,磁導(dǎo)率越高,材料飽和越快,因此根據(jù)噪聲抑制的頻段選擇磁芯材料至關(guān)重要。

poYBAGPtjFuAHlqRAACSe4BoqmM385.png

圖2

pYYBAGPtjF2AGqgqAAA-P10cLa4298.png

poYBAGPtjGCAQKgnAABalYg2ei0223.png

圖3 –磁導(dǎo)率與頻率的關(guān)系

磁性材料的溫度特性:

溫度特性在共模扼流線圈的選擇中也很重要。圖4顯示了磁導(dǎo)率與溫度之間的關(guān)系。

pYYBAGPtjGOAE4TvAABYeHz6zLM608.png

圖 4 – 滲透率與溫度的關(guān)系

磁導(dǎo)率下降點周圍是磁芯的耐熱溫度,稱為Tc。KEMET SCR-XV 系列使用高磁導(dǎo)率 S15H 材料 (Tc 》120°C) 實現(xiàn)高電感,SCT-XV 系列使用高耐熱性 7HT 材料 (Tc 》180°C),可根據(jù)用途進(jìn)行選擇。

絕緣結(jié)構(gòu)

這些 SCR-XV 和 SCT-XV 系列使用高 CTI 性能塑料作為絕緣外殼,以確保 5 mm 的絕緣距離。因此,它實現(xiàn)了業(yè)界最高的額定電壓 1,000 V,可用于 BEV 和 PHEV 系統(tǒng)中的更高電壓應(yīng)用。

poYBAGPtjGSANGBZAABGLs-4i8U064.jpg

圖5

爬電距離可避免因基于IEC60664-1的跟蹤而發(fā)生故障:

pYYBAGPtjGaAEid6AAC3q8YSBiI701.png

表1

污染程度:2

僅發(fā)生非導(dǎo)電污染,但偶爾會因冷凝而產(chǎn)生暫時的導(dǎo)電性。

材料組: I. 600 ≤ CTI(比較漏電起痕指數(shù))

爬電距離:

5,00 V 時為 1.000

mm

EMI 濾波器配置和衰減性能

EMI濾波器由扼流線圈和電容器組成。在許多情況下,使用共模扼流線圈和電容器的多種組合。根據(jù)EMI對策頻率點將它們組合成適當(dāng)?shù)呐渲梅浅V匾1竟?jié)將介紹衰減性能如何根據(jù)公共扼流線圈和電容器的組合方式而變化。

EMI濾波器的基本結(jié)構(gòu)和作用元件:

圖6中的EMI濾波器配置是共模和差模衰減的二階配置,使用共模扼流圈和X、Y級安全電容。KEMET 產(chǎn)品用于模擬此配置,由此產(chǎn)生的衰減特性如圖 7 和圖 8 所示。

元件值: CMC: SCR25XV-150-1R6A010JV (15 A, 1 mH) Cx: R475N3330CK01M (0.33 μF) Ccy:

P295BE471M500C (470 pF)

poYBAGPtjGiAY7ByAAAutqfa6eo287.png

圖6

– 共模衰減: CMC(Lc)-Cy

– 差模衰減: CMC(Ln*)-Cx

* Ln = 漏感

poYBAGPtjGmABMaTAAA43fnP1Jo870.png

圖7

poYBAGPtjGuAK6kLAAA6KEvgsQo589.png

圖8

接下來,讓我們看看當(dāng)使用兩個共模扼流線圈時,基于電容器位置的衰減性能差異。電路中引入了一個額外的共模扼流圈,并仿真了圖9所示的配置。衰減特性如圖10和圖11所示。具有兩個共模扼流圈的配置 – 1:CMC1-CMC2-Cx & Cy:

poYBAGPtjGyACzvzAAA15samfBc136.png

圖9

共模衰減: CMC1(Lc)-CMC2(Lc)-Cy

差模衰減: CMC1(Ln)-CMC2(Ln)-Cx 元件值: CMC1: SCR25XV-150-1R6A010JV (15 A, 1 mH) CMC2: SCR25XV-150-1R6A010JV (15 A, 1 mH) Cx

R475N3330CK01M (0.33 μF) C: P295BE471M500C (470 pF)

poYBAGPtjG6AQVdtAAA486dlMig481.png

圖10

pYYBAGPtjG-AV1pvAAA5ESKAdQU242.png

圖11

由于CMC組件的增加,衰減性能有所改善,這略有效果。但是,這仍然是二階噪聲濾波器配置。

然后重新排列濾波電路,仿真圖12所示的配置。具有兩個共模扼流圈-2的配置:CMC1-Cx和Cy-CMC2:

poYBAGPtjHGARUztAAA2ZSTSsfo649.png

圖12

共模衰減: CMC1(Lc)-Cy-CMC2(Lc) 差模衰減: CMC1(Ln)-Cx-CMC2(Ln)

元件值: CMC1: SCR25XV-150-1R6A010JV (15 A, 1 mH) Cx: R475N3330CK01M (0.33 μF) Ccy: P295BE471M500C (470 pF) CMC2:

SCR25XV-150-1R6A010JV (15 A, 1 mH)

pYYBAGPtjHKANBGLAAAwDmOCzlM511.png

圖13

pYYBAGPtjHOAENvNAAAwatOsP2I435.png

圖14

更改組件的配置會產(chǎn)生三階噪聲濾波器。圖13和圖14顯示了使用此配置得到的衰減性能。

當(dāng)我們將這種性能與以前的濾波器配置(圖15和16)進(jìn)行比較時,與以前的濾波器配置相比,衰減性能在很寬的頻率范圍內(nèi)得到了改善。

pYYBAGPtjHWAWspdAABSvzEXRVI102.png

圖15

pYYBAGPtjHaAVev6AAA9Fuv1Ir0359.png

圖16

如上所述,衰減性能根據(jù)共模扼流線圈和濾波器內(nèi)電容器的位置而有很大差異。因此,元素的配置至關(guān)重要。

SCR-XV 和 SCT-XV 系列規(guī)格

如上所述,可以在芯材S15H(SCR-XV)和7HT(SCT-XV)之間進(jìn)行選擇。可用的磁芯尺寸在水平和垂直方向上均為 19、25 和 29 mm。該系列的額定電壓為 1,000 V,額定電流高達(dá) 35 A。

poYBAGPtjgaAM-RKAAHnWodh7JY536.png

總結(jié)

隨著汽車市場中BEV和PHEV的增加,需要更高電壓的組件。

顯著的優(yōu)點是:

? SCR-XV 的高電感 ? SCT-XV 的高耐熱性 ? 額定電壓高達(dá) 1,000 V

? 額定電流從 5 A 到 35 A

? 完全符合 AEC Q200 標(biāo)準(zhǔn)

審核編輯:郭婷

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