如何為您的電路選擇合適的保護(hù)

Diarmuid Carey

各行各業(yè)的制造商都在不斷推動(dòng)尖端性能，同時(shí)試圖在這種創(chuàng)新與久經(jīng)考驗(yàn)的強(qiáng)大解決方案之間取得平衡。設(shè)計(jì)人員面臨著平衡設(shè)計(jì)復(fù)雜性、可靠性和成本的艱巨任務(wù)。特別是一個(gè)子系統(tǒng)，電子保護(hù)，由于其性質(zhì)而拒絕創(chuàng)新的舉動(dòng)。這些系統(tǒng)可保護(hù)敏感且昂貴的下游電子設(shè)備（FPGA、ASIC 和微處理器），要求零故障率。

許多傳統(tǒng)且經(jīng)過(guò)歷史驗(yàn)證的保護(hù)方法（如二極管、保險(xiǎn)絲和TVS器件）仍保留其首選狀態(tài)，但這些方法通常效率低下、體積龐大且需要維護(hù)。為了解決這些缺陷，有源智能保護(hù)IC已經(jīng)證明它們可以滿足傳統(tǒng)方法的保護(hù)要求，但在許多方面更強(qiáng)大。由于可用的器件種類繁多，設(shè)計(jì)人員最困難的問(wèn)題就是選擇合適的解決方案。

為了幫助設(shè)計(jì)人員縮小選擇范圍，本文將傳統(tǒng)保護(hù)方法與ADI保護(hù)產(chǎn)品組合進(jìn)行了比較，介紹了這些產(chǎn)品的特性和建議的應(yīng)用。

介紹

隨著各行各業(yè)電子產(chǎn)品使用量的增加，以及昂貴的FPGA和處理器所處理功能的擴(kuò)展，保護(hù)這些設(shè)備免受惡劣環(huán)境影響的需求也隨之增加。除此之外，還需要小尺寸、高可靠性以及對(duì)過(guò)壓和過(guò)流浪涌事件的快速響應(yīng)。本文討論許多應(yīng)用中面臨的挑戰(zhàn)以及為什么需要保護(hù)。討論了傳統(tǒng)的保護(hù)方法，并將其與更新的替代解決方案進(jìn)行了比較，后者提供了更好的準(zhǔn)確性、可靠性和設(shè)計(jì)靈活性。

為什么考慮電壓和電流保護(hù)器件？

汽車、工業(yè)、通信和航空電子系統(tǒng)必須通過(guò)一系列電源浪涌運(yùn)行，如圖1所示。在這些市場(chǎng)中，瞬態(tài)事件在許多行業(yè)規(guī)范中都有定義。例如，ISO 7637-2 和 ISO 16750-2 規(guī)范涵蓋了汽車瞬變，其中概述了預(yù)期瞬變的詳細(xì)信息和測(cè)試程序，以確保這些瞬變得到一致驗(yàn)證。

浪涌事件的類型及其能量含量可能因電子設(shè)備的使用區(qū)域而異;電路可能會(huì)暴露在過(guò)壓、過(guò)流、反向電壓和反向電流條件下。最終，如果直接面對(duì)圖1所示的瞬態(tài)條件，許多電子電路將無(wú)法生存，更不用說(shuō)工作了，因此設(shè)計(jì)人員必須考慮所有輸入事件，并實(shí)施保護(hù)機(jī)制來(lái)保護(hù)電路免受這些電壓和電流浪涌的影響。

圖1.一些更嚴(yán)格的ISO 16750-2測(cè)試概述。

設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

電子系統(tǒng)中瞬態(tài)電壓和電流浪涌有許多不同的原因，但某些電子環(huán)境比其他環(huán)境更容易發(fā)生瞬態(tài)事件。眾所周知，汽車、工業(yè)和通信環(huán)境中的應(yīng)用會(huì)遇到潛在的有害事件，對(duì)下游電子設(shè)備造成嚴(yán)重破壞，但浪涌事件不僅限于這些環(huán)境。浪涌保護(hù)電路的其他可能候選者包括任何需要高電壓或高電流電源的應(yīng)用，或具有熱插拔電源連接的應(yīng)用，或具有電機(jī)或可能暴露于潛在雷電引起的瞬變的系統(tǒng)。高壓事件可能發(fā)生在從微秒到數(shù)百毫秒的寬時(shí)基范圍內(nèi)，因此靈活可靠的保護(hù)機(jī)制對(duì)于確保昂貴的下游電子設(shè)備的使用壽命至關(guān)重要。

例如，當(dāng)交流發(fā)電機(jī)（為電池充電）與電池暫時(shí)斷開(kāi)連接時(shí)，可能會(huì)發(fā)生汽車負(fù)載突降。由于這種斷開(kāi)，來(lái)自交流發(fā)電機(jī)的全部充電電流被放置在電源軌上，從而將電源軌電壓提高到非常高（>100 V）的水平，持續(xù)數(shù)百毫秒。

通信應(yīng)用可能有許多可能的浪涌原因，從熱插拔通信卡到可能暴露在雷擊下的室外安裝。大型設(shè)施中使用的長(zhǎng)電纜也可能產(chǎn)生感應(yīng)電壓尖峰。

最終，必須了解設(shè)備必須運(yùn)行的環(huán)境，同時(shí)滿足已發(fā)布的規(guī)范。這有助于設(shè)計(jì)人員將最佳保護(hù)機(jī)制組合在一起，該機(jī)制既堅(jiān)固又不引人注目，但允許下游電子設(shè)備在安全電壓水平下運(yùn)行，中斷最小。

傳統(tǒng)保護(hù)電路

有這么多不同類型的電氣事件需要考慮，電子工程師的武器庫(kù)中應(yīng)該采取什么措施來(lái)保護(hù)敏感的下游電子設(shè)備？

傳統(tǒng)的保護(hù)實(shí)現(xiàn)依賴于多個(gè)器件，而不僅僅是一個(gè)器件，例如，用于過(guò)壓保護(hù)的瞬態(tài)電壓抑制器 （TVS）、用于過(guò)流保護(hù)的串聯(lián)保險(xiǎn)絲、用于電池/電源反向保護(hù)的串聯(lián)二極管，以及用于濾除較低能量尖峰的電容器和電感器的混合。雖然分立式設(shè)置可以滿足公布的規(guī)格（保護(hù)下游電路），但它們會(huì)導(dǎo)致復(fù)雜的實(shí)現(xiàn)，需要多次選擇迭代才能正確調(diào)整濾波尺寸。

圖2.傳統(tǒng)保護(hù)裝置。

讓我們仔細(xì)看看這些設(shè)備中的每一個(gè)，觸及這種實(shí)現(xiàn)的優(yōu)缺點(diǎn)。

TVS—瞬態(tài)電壓抑制器

這是一個(gè)相對(duì)簡(jiǎn)單的器件，有助于保護(hù)下游電路免受電源上的高壓尖峰的影響。它可以分為幾種不同的類型，具有廣泛的特性（表1按響應(yīng)時(shí)間從小到大的順序排列）。

盡管它們具有一系列結(jié)構(gòu)和特性，但它們都以類似的方式工作：當(dāng)電壓超過(guò)器件閾值時(shí)分流多余的電流。TVS在很短的時(shí)間內(nèi)將輸出端的電壓箝位到額定電平。例如，TVS二極管可以在低至皮秒的時(shí)間內(nèi)做出響應(yīng)，而GDT可能需要幾微秒才能響應(yīng)，但可以處理更大的浪涌。

圖3顯示了TVS二極管保護(hù)下游電路的簡(jiǎn)單實(shí)現(xiàn)。在正常工作條件下，TVS具有高阻抗，輸入電壓僅傳遞到輸出。當(dāng)輸入端發(fā)生過(guò)壓情況時(shí)，TVS變?yōu)閷?dǎo)電，并通過(guò)將多余能量分流到地（GND）來(lái)響應(yīng)，從而箝位下游負(fù)載看到的電壓。電源軌電壓上升到典型工作值以上，但對(duì)于任何下游電路，都會(huì)被箝位到安全水平。

盡管TVS器件可有效抑制非常高的電壓偏移，但在面對(duì)持續(xù)的過(guò)壓事件時(shí)，它們不能免受損壞，因此需要定期監(jiān)控或更換器件。另一個(gè)問(wèn)題是TVS可能會(huì)短路失效，從而撬動(dòng)輸入電源。此外，根據(jù)所涉及的能量，它們可以在物理上很大以匹配裕量，從而增加解決方案尺寸。即使TVS的尺寸正確，下游電路也必須能夠處理鉗位電壓，從而導(dǎo)致下游的額定電壓要求增加。

圖3.使用傳統(tǒng)的TVS解決方案防止電壓浪涌。

直插式保險(xiǎn)絲

過(guò)流保護(hù)可以使用無(wú)處不在的直插式保險(xiǎn)絲來(lái)實(shí)現(xiàn)，保險(xiǎn)絲熔斷額定值比標(biāo)稱值高出一定余量，例如，比最大額定電流高 20%（百分比將取決于電路類型以及預(yù)期的典型工作負(fù)載）。當(dāng)然，保險(xiǎn)絲的最大問(wèn)題是一旦熔斷就必須更換。由于保險(xiǎn)絲的簡(jiǎn)單設(shè)計(jì)而節(jié)省的時(shí)間和成本可能會(huì)在以后由于相對(duì)復(fù)雜的維護(hù)而產(chǎn)生，尤其是在物理上難以到達(dá)的情況下。使用備用保險(xiǎn)絲可以降低維護(hù)要求，例如可復(fù)位保險(xiǎn)絲，當(dāng)通過(guò)設(shè)備的電流大于正常電流時(shí)，該保險(xiǎn)絲利用正溫度系數(shù)斷開(kāi)電路（增加的電流水平會(huì)增加溫度，導(dǎo)致電阻急劇增加）。

撇開(kāi)維護(hù)問(wèn)題不談，保險(xiǎn)絲的最大問(wèn)題之一是它們的反應(yīng)時(shí)間，根據(jù)所選保險(xiǎn)絲的類型，反應(yīng)時(shí)間可能會(huì)有很大差異?？梢允褂每焖偃蹟啾ｋU(xiǎn)絲，但清除時(shí)間（打開(kāi)電路的時(shí)間）仍可以從數(shù)百微秒到毫秒不等，因此電路設(shè)計(jì)人員必須考慮這些延長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)釋放的能量，以確保下游電子設(shè)備能夠生存。

串聯(lián)二極管

在某些環(huán)境中，電路會(huì)面臨電源斷開(kāi)和重新連接的風(fēng)險(xiǎn)，例如，在電池供電的環(huán)境中。在這種情況下，不能保證重新連接電源時(shí)的正確極性。極性保護(hù)可以通過(guò)在電路的正電源線上增加一個(gè)串聯(lián)二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)。雖然這種簡(jiǎn)單的添加可以有效地防止反極性，但串聯(lián)二極管的壓降會(huì)導(dǎo)致相應(yīng)的功耗。在相對(duì)低電流的電路中，權(quán)衡是最小的，但對(duì)于許多現(xiàn)代高電流軌，需要另一種解決方案。圖4顯示了對(duì)圖3的更新，顯示了TVS和增加的串聯(lián)二極管，以防止反極性連接。

圖4.添加串聯(lián)二極管可防止反極性，但在大電流系統(tǒng)中，二極管的壓降可能是一個(gè)問(wèn)題。

使用電感器和電容器的濾波器

到目前為止討論的無(wú)源解決方案都限制了通過(guò)的事件的幅度，但通常會(huì)捕獲較大的事件，同時(shí)留下一些較小的尖峰。這些較小的瞬變?nèi)詴?huì)對(duì)下游電路造成損壞，因此需要額外的無(wú)源濾波器來(lái)清潔線路。這可以使用分立電感器和電容器來(lái)實(shí)現(xiàn)，其尺寸必須衰減不需要的頻率下的電壓。濾波器設(shè)計(jì)需要在設(shè)計(jì)前進(jìn)行測(cè)試和測(cè)量，以確定濾波器的尺寸和頻率，然后才能正確確定濾波器的尺寸。這種路徑的缺點(diǎn)是BOM成本和空間要求（達(dá)到濾波水平所需的電路板面積和元件成本），以及過(guò)度設(shè)計(jì)的需求，即評(píng)估元件容差以補(bǔ)償隨時(shí)間和溫度的變化。

使用浪涌抑制器的主動(dòng)保護(hù)

克服所述無(wú)源保護(hù)解決方案的挑戰(zhàn)和缺點(diǎn)的一種方法是改用浪涌抑制器IC。浪涌抑制器通過(guò)易于使用的控制器 IC 和串聯(lián) N 溝道 MOSFET，消除了對(duì)笨重并聯(lián)電路（TVS 器件、保險(xiǎn)絲、電感器和電容器）的需求。浪涌抑制器控制器可以大大簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，因?yàn)樾枰_定尺寸和鑒定的組件很少。

浪涌抑制器持續(xù)監(jiān)控輸入電壓和電流。在標(biāo)稱工作條件下，控制器驅(qū)動(dòng) N 溝道 MOSFET 通器件的柵極完全導(dǎo)通，從而提供從輸入到輸出的低電阻路徑。當(dāng)發(fā)生過(guò)壓或浪涌情況時(shí)（閾值由輸出端的反饋網(wǎng)絡(luò)決定），IC調(diào)節(jié)N溝道MOSFET的柵極，將MOSFET的輸出電壓箝位在電阻分壓器設(shè)定的水平。

圖5顯示了浪涌抑制器的簡(jiǎn)化原理圖，以及標(biāo)稱100 V電源軌上12 V輸入浪涌的結(jié)果。浪涌抑制電路的輸出在浪涌事件期間被箝位至27 V。一些浪涌抑制器還使用串聯(lián)檢測(cè)電阻（圖5中的斷路器）監(jiān)控過(guò)流情況，并調(diào)整N溝道MOSFET的柵極以限制輸出負(fù)載的電流。

圖5.浪涌抑制器實(shí)現(xiàn)的高級(jí)圖。

浪涌抑制器有四種主要類型，按其對(duì)過(guò)壓事件的響應(yīng)分類：

線性浪涌止動(dòng)器

柵極夾

開(kāi)關(guān)浪涌抑制器

輸出斷開(kāi)保護(hù)控制器

浪涌止動(dòng)器的選擇取決于應(yīng)用，因此讓我們比較一下它們的操作和優(yōu)勢(shì)。

浪涌抑制器類型：線性

線性浪涌抑制器驅(qū)動(dòng)串聯(lián) MOSFET 與線性穩(wěn)壓器非常相似，將輸出電壓限制在預(yù)編程的安全值，從而消耗 MOSFET 中的多余能量。為了幫助保護(hù) MOSFET，該器件通過(guò)實(shí)施容性故障定時(shí)器來(lái)限制在高耗散區(qū)域花費(fèi)的時(shí)間。

圖6.

LT4363

是一款線性浪涌抑制器。

浪涌抑制器類型：柵極夾

柵極箝位浪涌抑制器的工作原理是利用內(nèi)部或外部箝位（例如，內(nèi)部31.5 V或50 V，或可調(diào)外部箝位）將柵極引腳限制在此電壓。然后，MOSFET 的閾值電壓決定輸出電壓限值。例如，對(duì)于內(nèi)部31.5 V柵極箝位和5 V的MOSFET閾值電壓，輸出電壓限制為26.5 V。柵極鉗式浪涌抑制器的示例如圖7所示。

圖7.

LTC4380

是一款柵極鉗位浪涌抑制器。

浪涌抑制器類型：開(kāi)關(guān)

對(duì)于更高功率的應(yīng)用，開(kāi)關(guān)浪涌抑制器是一個(gè)不錯(cuò)的選擇。與線性和柵極箝位浪涌抑制器一樣，開(kāi)關(guān)浪涌抑制器在正常工作時(shí)可充分增強(qiáng)調(diào)整 FET，從而在輸入和輸出之間提供低電阻路徑（最大限度降低功耗）。當(dāng)檢測(cè)到浪涌事件時(shí)，開(kāi)關(guān)浪涌抑制器和線性或柵極鉗位浪涌抑制器之間的主要區(qū)別就出現(xiàn)了。在發(fā)生浪涌時(shí)，開(kāi)關(guān)浪涌抑制器的輸出通過(guò)切換外部MOSFET調(diào)節(jié)至箝位電壓，這與開(kāi)關(guān)DC-DC轉(zhuǎn)換器非常相似。

圖8.

LTC7860

，一款開(kāi)關(guān)浪涌抑制器。

保護(hù)控制器：輸出斷開(kāi)

保護(hù)控制器不是正式的浪涌抑制器，但它確實(shí)可以阻止浪涌。與浪涌抑制器一樣，保護(hù)控制器監(jiān)控過(guò)壓和過(guò)流情況，但保護(hù)控制器不會(huì)箝位或調(diào)節(jié)輸出，而是立即斷開(kāi)輸出以保護(hù)下游電子設(shè)備。這種簡(jiǎn)單的保護(hù)電路可以具有非常緊湊的占位面積，適用于電池供電的便攜式應(yīng)用。LTC4368保護(hù)控制器如圖9所示，并示于其對(duì)過(guò)壓事件的響應(yīng)。保護(hù)控制器有多種型號(hào)可供選擇。

圖9.LTC4368，一款保護(hù)控制器。

保護(hù)控制器通過(guò)監(jiān)視輸入電壓來(lái)工作，以確保其保持在由OV/UV引腳上的電阻分壓器配置的電壓窗口內(nèi)，當(dāng)輸入超出此窗口時(shí)，通過(guò)背靠背MOSFET斷開(kāi)輸出，如圖9所示。背靠背 MOSFET 還可以防止輸入反向。輸出端的檢測(cè)電阻通過(guò)持續(xù)監(jiān)視正向電流來(lái)實(shí)現(xiàn)過(guò)流保護(hù)功能，但無(wú)需基于定時(shí)器的穿越操作。

浪涌抑制器特點(diǎn)

為了為您的應(yīng)用選擇最合適的緩沖器，您需要知道有哪些功能可用以及它們正在幫助解決哪些挑戰(zhàn)。這些設(shè)備可以在參數(shù)表中找到。

斷開(kāi)連接與穿越

某些應(yīng)用要求在檢測(cè)到浪涌事件時(shí)斷開(kāi)輸出與輸入的連接。在這種情況下，需要過(guò)壓斷開(kāi)。如果您需要輸出在面對(duì)浪涌事件時(shí)保持運(yùn)行，從而最大限度地減少下游電子設(shè)備的停機(jī)時(shí)間，則需要浪涌抑制器來(lái)應(yīng)對(duì)浪涌事件。在這種情況下，線性或開(kāi)關(guān)浪涌抑制器可以實(shí)現(xiàn)此功能（前提是功率水平對(duì)于所選拓?fù)浜虵ET來(lái)說(shuō)是合理的）。

故障定時(shí)器

穿越操作需要對(duì)MOSFET進(jìn)行一些保護(hù)，以防止持續(xù)浪涌。為了保持在FET的安全工作區(qū)（SOA）內(nèi)，可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)定時(shí)器。定時(shí)器本質(zhì)上是一個(gè)接地電容。當(dāng)發(fā)生過(guò)壓情況時(shí)，內(nèi)部電流源開(kāi)始為該外部電容器充電。一旦電容達(dá)到某個(gè)閾值電壓，數(shù)字故障引腳就會(huì)拉低，以指示調(diào)整管將很快因擴(kuò)展的過(guò)壓條件而關(guān)斷。如果定時(shí)器引腳電壓繼續(xù)上升到次級(jí)門限，則 GATE 引腳拉低以關(guān)斷 MOSFET。

定時(shí)器電壓的變化率隨MOSFET兩端的電壓而變化，也就是說(shuō)，較大電壓的定時(shí)器較短，較小電壓的定時(shí)器較長(zhǎng)。這一有用的特性使器件能夠渡過(guò)短的過(guò)壓事件，允許下游組件保持工作狀態(tài)，同時(shí)保護(hù) MOSFET 免受更持久的過(guò)壓事件損壞。某些設(shè)備具有重試功能，使設(shè)備能夠在冷卻期后再次打開(kāi)輸出。

過(guò)流保護(hù)

許多浪涌抑制器能夠監(jiān)控電流并防止過(guò)流事件。這是通過(guò)監(jiān)測(cè)串聯(lián)檢測(cè)電阻兩端的壓降并做出適當(dāng)響應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)的。還可以監(jiān)測(cè)和控制浪涌電流以保護(hù) MOSFET。響應(yīng)可能類似于過(guò)壓情況，因?yàn)槿绻娐房梢蕴幚砉β孰娖剑瑒t通過(guò)閉鎖斷開(kāi)或穿越事件來(lái)斷開(kāi)連接。

反向輸入保護(hù)

由于浪涌抑制器器件具有廣泛的工作能力（在某些器件上能夠承受低于地電位 60 V 的電壓），因此可以實(shí)現(xiàn)反向輸入保護(hù)。圖10顯示了反向電流保護(hù)的背靠背MOSFET實(shí)現(xiàn)。正常工作期間，Q2和Q1由GATE引腳導(dǎo)通，Q3沒(méi)有任何影響。但是，當(dāng)存在反向電壓條件時(shí)，Q3導(dǎo)通，將Q2的柵極下拉至負(fù)輸入并隔離Q1，從而保護(hù)輸出。

反向輸出電壓保護(hù)還具有強(qiáng)大的器件引腳保護(hù)功能，根據(jù)所選器件的不同，最高可達(dá)地電位以下 20 V。

圖 10.LT4363反向輸入保護(hù)電路。

對(duì)于需要寬輸入電壓范圍的應(yīng)用，可以使用浮動(dòng)拓?fù)淅擞恳种破鳌．?dāng)發(fā)生浪涌事件時(shí)，浪涌抑制器IC可以看到完整的浪涌電壓，因此內(nèi)部晶體管技術(shù)限制了IC的電壓范圍。利用一個(gè)浮動(dòng)浪涌抑制器（例如 LTC4366），該 IC 浮動(dòng)在剛好低于輸出電壓的位置，從而提供了更寬的工作電壓范圍。在返回管路中放置一個(gè)電阻器（V黨衛(wèi)軍），這允許IC隨電源電壓浮動(dòng)。其結(jié)果是由外部元件和MOSFET的電壓能力設(shè)置的輸入電壓限制。圖11所示應(yīng)用電路能夠在非常高的直流電源下工作，同時(shí)保護(hù)下游負(fù)載。

圖 11.LTC4366 高電壓浮動(dòng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

為我的應(yīng)用選擇合適的設(shè)備

在許多方面，由于其固有的堅(jiān)固設(shè)計(jì)，使用浪涌抑制器簡(jiǎn)化了保護(hù)電路設(shè)計(jì)。數(shù)據(jù)手冊(cè)對(duì)元件尺寸有很大幫助，已經(jīng)展示了許多可能的應(yīng)用。最困難的部分可能是選擇最合適的設(shè)備。請(qǐng)按照以下步驟縮小字段范圍：

轉(zhuǎn)到ADI的保護(hù)系列參數(shù)表。

選擇輸入電壓范圍。

選擇通道數(shù)。

過(guò)濾要素以縮小可能的選項(xiàng)范圍。

與所有產(chǎn)品選擇一樣，在尋找正確的設(shè)備之前，了解您的系統(tǒng)要求非常重要。一些重要的考慮因素是預(yù)期的電源電壓和下游電子器件的電壓容差（對(duì)于決定箝位電壓很重要），以及對(duì)設(shè)計(jì)很重要的任何特定特性。

下面顯示了一些過(guò)濾參數(shù)表示例，以供參考。這些可以在網(wǎng)站上進(jìn)一步修改以包含一些其他參數(shù)。

高壓浪涌抑制器設(shè)備可以在這里找到。

可在此處找到具有 OV 斷開(kāi)功能的保護(hù)控制器。

結(jié)論

無(wú)論采用何種浪涌抑制器類型，基于IC的有源浪涌抑制器設(shè)計(jì)都無(wú)需笨重的TVS二極管或大型電感器和電容器進(jìn)行濾波。這導(dǎo)致整體面積更小，解決方案外形更薄。輸出電壓箝位比TVS更精確，精度可達(dá)1%至2%。這可以防止過(guò)度設(shè)計(jì)，并允許選擇具有更嚴(yán)格公差的下游設(shè)備。

ADI公司提供的系統(tǒng)保護(hù)器件系列使設(shè)計(jì)人員能夠?yàn)橄掠纹骷?shí)現(xiàn)可靠、靈活、小尺寸的保護(hù)，尤其是那些面臨嚴(yán)重過(guò)壓和過(guò)流事件的器件，這些事件可能發(fā)生在許多工業(yè)、汽車、航空航天和通信設(shè)計(jì)中。

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