在氧化鎵基日盲雪崩探測器研究領(lǐng)域取得新突破！

近日，北京郵電大學(xué)理學(xué)院吳真平教授研究組聯(lián)合南開大學(xué)、香港理工大學(xué)有關(guān)研究組創(chuàng)新性地引入晶格和能帶工程調(diào)控，成功研發(fā)了單極勢壘型氧化鎵（Ga?O?）基日盲雪崩探測器，器件性能突破現(xiàn)有日盲紫外探測器的探測極限，達(dá)到目前商業(yè)應(yīng)用的光電倍增管水平，為發(fā)展高性能日盲雪崩探測器提供了新的設(shè)計思路。2023年1月26日，相關(guān)成果以“Enhanced Gain and Detectivity of Unipolar Barrier Solar Blind Avalanche Photodetector via Lattice and Band Engineering”為題，發(fā)表于國際學(xué)術(shù)期刊《Nature Communications》。

北京郵電大學(xué)理學(xué)院博士研究生張清怡為該文第一作者，吳真平教授為共同通訊作者。該研究受到國家自然科學(xué)基金、信息光子學(xué)與光通信國家重點實驗室基金、天津市自然科學(xué)基金、中央高?；究蒲袠I(yè)務(wù)費專項基金以及香港研究資助局等項目資助。

研究背景

一直以來，高靈敏日盲紫外探測多采用真空紫外光電倍增管，但是這種傳感器有著體積大、工作電壓高等缺點。近年來，得益于寬禁帶半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)研究和材料制備工藝的進展和突破，為新型半導(dǎo)體紫外探測器件開發(fā)帶來了新的希望。

氧化鎵（Ga?O?）是近年來備受關(guān)注的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度（~ 4.9 eV）與日盲波段匹配，是公認(rèn)的制備日盲探測器最有競爭力的材料，在臭氧空洞檢測、紫外通訊等領(lǐng)域具有十分重要的潛在應(yīng)用。中科院&科睿唯安《2021研究前沿?zé)岫戎笖?shù)》將“基于Ga?O?的日盲紫外光電探測器”列為物理學(xué)十大前沿研究熱點之一。如何進一步提高器件性能成為日盲探測領(lǐng)域重要問題。

研究內(nèi)容與結(jié)果

研究組在前期Ga?O?/ITO n-n型雪崩探測器件成果的基礎(chǔ)上（ACS Nano，2021，15：16654），經(jīng)過不斷探索，通過插入合適的寬帶隙材料（MgO）對勢壘高度進行了調(diào)整，成功研發(fā)了由β-Ga?O?/MgO/Nb:SrTiO?異質(zhì)結(jié)組成的n-Barrier-n單極勢壘型雪崩光電探測器，其較大的導(dǎo)帶偏移量提高了反向擊穿電壓并顯著抑制了暗電流，極小的價帶偏移則促進了異質(zhì)結(jié)的少數(shù)載流子的流動（見圖1）。該器件獲得了高達(dá)5.9 × 10?的雪崩增益，以及2.33 × 101? Jones的比探測率，其出色的性能可以與目前廣泛應(yīng)用的商業(yè)光電倍增管相媲美（見圖2）。

圖1. n-B-n單極勢壘異質(zhì)結(jié)構(gòu)與n-n型異質(zhì)結(jié)構(gòu)雪崩探測器的性能比較

圖2. Ga?O?/MgO/Nb:STO n-B-n單極勢壘型雪崩探測器與以往報道中雪崩光電探測器和光電倍增管的性能比較 該研究創(chuàng)造性地提出了一種通過晶格和能帶工程調(diào)控并設(shè)計n-B-n單極勢壘型Ga?O?雪崩探測器的方法，這種設(shè)計使器件性能得到了顯著提升，同時展示出Ga?O?在下一代高耐壓功率器件和光電器件中的超大潛力。這種開創(chuàng)性的設(shè)計也為未來更高性能的Ga?O?電子器件研究提供了嶄新的思路。原文

審核編輯 ：李倩