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Trench 9 LFPAK33 MOSFET驅動高達300W的動力總成系統(tǒng)

星星科技指導員 ? 來源:安世半導體 ? 作者:Richard Ogden ? 2023-02-09 09:53 ? 次閱讀

Nexperia新推出的Lexpak33封裝40 V低RDS(on) MOSFET器件系列助力緊湊型動力總成系統(tǒng)(30 W到300 W)的增長。

談及驅動效率更高的解決方案,汽車動力總成應用顯然是主要焦點之一。功率密度、熱性能和空間一直都是需要改進的關鍵領域。適用于在30~300 W范圍內對熱設計有要求的系統(tǒng)(包括水、油和燃油泵),Nexperia新推出的LFPAK33封裝40 V低RDS(on) MOSFET器件是理想的選擇。

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這款器件采用微型8-pin LFPAK33封裝,封裝面積僅為10.9mm2,間距僅為0.65 mm;與DPAK解決方案相比,能夠幫助設計人員減少84%的空間需求。此外,這一新推出的汽車級Trench 9器件可將RDS(on)顯著降低,器件的導通內阻僅為3.3 mΩ。

借助我們的超結技術,優(yōu)化了電流能力和安全工作區(qū)(SOA),使受益于LFPAK33 MOSFET的小尺寸和熱性能擴大了汽車應用范圍至300 W。

主要特性和優(yōu)勢

改進的RDS(on)和電流容量

通過更低成本的LFPKA33替換較大的封裝

較小的封裝更低RDS(on)

在較小的占位面積中驅動更高功率應用(高達300 W)

超結技術設計提高雪崩能力

強SOA能力和高性能故障條件耐受能力

符合汽車AEC-Q101標準

關鍵可靠性測試超越2倍AEC-Q101測試標準

LFPAK33的優(yōu)勢

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LFPAK33的特性和優(yōu)勢

審核編輯:郭婷

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