LTC1436-PLL低噪聲開關(guān)穩(wěn)壓器有助于控制EMI

電磁干擾 （EMI） 是一個(gè)潛在的問(wèn)題 對(duì)于電路設(shè)計(jì)人員。開關(guān)穩(wěn)壓器可能導(dǎo)致 許多產(chǎn)品中的電磁干擾。凌力爾特已發(fā)展 擴(kuò)頻調(diào)制、鎖相同步和自適應(yīng)功率等新技術(shù)?模式 這可以減少不必要的干擾量。

新IC解決老問(wèn)題

LTC?1436-PLL 是一款恒定頻率、電流型 模式、同步降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器 控制外部 N 溝道 MOSFET，實(shí)現(xiàn)非常高效 電源轉(zhuǎn)換。它還具有自適應(yīng)電源 模式，提供恒定頻率切換 在輕負(fù)載電流下具有良好的效率。圖1a 顯示 5V 輸出產(chǎn)生的音頻 圖2中的電路，同時(shí)提供3mA負(fù)載 電流（滿載的 0.1%）使用周期跳躍模式 的操作。此模式可能會(huì)導(dǎo)致許多周期 在輸出電容的能量突發(fā)之間跳躍。這些能量爆發(fā)侵入音頻頻段 足夠低的輸出電流。圖 1b 顯示 音頻噪聲完全消除 相同條件下的自適應(yīng)電源模式。

圖 1a. 周期跳躍模式下的音頻生成

.

圖 1b. 自適應(yīng)電源模式操作下的音頻幅度。

圖2.兩個(gè)輸出 LTC1436-PLL 電路。

傳統(tǒng)上，犧牲效率是為了完成 音頻響應(yīng)如圖1b所示。大 同步 MOSFET 用于強(qiáng)制連續(xù) 開關(guān)頻率下的電感電流，與 的負(fù)載。相關(guān)的柵極電荷損耗和 電感紋波電流相對(duì)較大引起的損耗 導(dǎo)致輕負(fù)載時(shí)效率非常低。適應(yīng)性強(qiáng) 電源模式僅使用小型 （SOT-23） MOSFET，Q3 和 D2 在常規(guī)降壓模式下，以允許恒定 頻率，不連續(xù)電感電流操作， 這大大降低了功率損耗。源頭之門 小型MOSFET的電容明顯更小 比兩個(gè)大型MOSFET中的任何一個(gè)都要好。根據(jù) 組件選擇，可能有 50 比 1 的差異 在Q3和Q1/Q2之間的柵極-源極電容中， 因此Q3只需要2%的柵極驅(qū)動(dòng)功率 Q1/Q2的（虧損）。這提供了大幅增加 輕負(fù)載時(shí)的效率。

新功能提供新的 EMI 控制

除了音頻頻率抑制外， LTC1436-PLL 具有三個(gè)額外的射頻 EMI 控制 機(jī)制：

LTC1436-PLL 允許開關(guān)頻率 調(diào)制以擴(kuò)展開關(guān)頻譜 噪聲。通過(guò)頻率調(diào)制，峰值能量 在很寬的頻率范圍內(nèi)減少和擴(kuò)散 如圖3所示。正常的190kHz開關(guān) 頻率及其諧波用黑色表示 跟蹤。彩色跡線顯示了調(diào)制鎖相環(huán)低通濾波器（PLL LPF）引腳的結(jié)果 具有 100Hz 鋸齒波。開關(guān)頻率 調(diào)制時(shí)能量降低20dB以上;第二 而三次諧波在此衰減得更大 例。圖4顯示了高達(dá)100MHz的頻譜 由相同條件下的 PLL LPF 調(diào)制產(chǎn)生 條件如圖 3 所示。

通過(guò)選擇適當(dāng)?shù)?a target="_blank">振蕩器電容值，開關(guān)頻率可以在 50kHz 至 400kHz 范圍內(nèi)進(jìn)行編程。這放置了諧波 遠(yuǎn)離 455kHz 等敏感頻率。

開關(guān)頻率可鎖相至 一個(gè)外部系統(tǒng)時(shí)鐘，使得開關(guān)頻率的諧波和邊帶與 系統(tǒng)生成的那些。此相位鎖定可以是 保持在 F 附近 ±30% 的頻率范圍內(nèi)理學(xué)學(xué)士。.

附加功能

LTC1436-PLL 提供了一個(gè)上電復(fù)位定時(shí)器 標(biāo)記超出范圍的輸出電壓條件的功能，以及控制 一個(gè)外部PNP晶體管，用于額外的低噪聲， 線性穩(wěn)壓輸出。LTC1437 具有 LTC1436-PLL 的所有功能以及一個(gè)內(nèi)部比較器 帶有可用于檢測(cè)低電量的參考 條件或提供其他有用的功能?；?LTC1436 以鎖相環(huán)功能換取 LTC1437 中的附加比較器。

審核編輯：郭婷