0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

半導(dǎo)體用陶瓷絕緣基板成型方法研究

jf_tyXxp1YG ? 來源:先進(jìn)陶瓷展 ? 2023-02-08 10:22 ? 次閱讀

本文介紹了流延成型、凝膠注模成型和新型3D打印成型等幾種基板成型方法,分析了不同成型方法的特點(diǎn)、優(yōu)勢(shì)及技術(shù)難點(diǎn)。 介紹了了近年來國(guó)內(nèi)外陶瓷基板成型的研究現(xiàn)狀,并對(duì)其未來發(fā)展及應(yīng)用進(jìn)行了展望。

近年來,半導(dǎo)體器件沿著大功率化、高頻化、集成化的方向迅猛發(fā)展。 半導(dǎo)體器件工作產(chǎn)生的熱量是引起半導(dǎo)體器件失效的關(guān)鍵因素,而絕緣基板的導(dǎo)熱性是影響整體半導(dǎo)體器件散熱的關(guān)鍵。 相比于傳統(tǒng)的樹脂基片材料,陶瓷材料具有更優(yōu)異的導(dǎo)熱性及力學(xué)性能,并具有高熔點(diǎn)、高硬度、高耐磨性、耐氧化等優(yōu)點(diǎn),是高端半導(dǎo)體器件,特別是大功率半導(dǎo)體器件基片用最佳材料。

在實(shí)際應(yīng)用中陶瓷基板的平整度、表面粗糙度、尺寸穩(wěn)定性等是影響基板后續(xù)制備覆銅、刻蝕電路的關(guān)鍵因素,這對(duì)基板成型工藝提出了很高的要求。 此外,陶瓷基板屬于量大面廣的半導(dǎo)體基礎(chǔ)核心部件,其制造成本直接影響了其應(yīng)用及市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,這也對(duì)成型方法提出了生產(chǎn)成本低、效率高的要求。 由此可見,選擇合適的成型方法,是陶瓷基板質(zhì)量及成本控制的關(guān)鍵。

本文詳細(xì)介紹了目前陶瓷基板成型常用的流延成型、凝膠注模成型及新興的3D打印成型等工藝的研究進(jìn)展,在總結(jié)幾種方法提點(diǎn)的基礎(chǔ)上,對(duì)陶瓷基板成型的未來發(fā)展及應(yīng)用進(jìn)行了展望。

1.陶瓷基板制備工藝流程

作為承載半導(dǎo)體芯片及其相互聯(lián)線的關(guān)鍵部件,陶瓷絕緣基板應(yīng)具有以下性能:

(1)良好的絕緣性和抗電擊穿能力;

(2)高的熱導(dǎo)率:導(dǎo)熱性直接影響半導(dǎo)體期間的運(yùn)行狀況和使用壽命;

(3)熱膨脹系數(shù)與封裝內(nèi)其他所用材料匹配;

(4)表面光滑,厚度一致:便于在基片表面印刷電路,并確保的印刷電路的厚度均勻性;

陶瓷基板的制備與其他陶瓷部件一樣,其制備的包括混料、成型、燒結(jié)等基本步驟,具體如下圖所示。 特別地,由于陶瓷基板一般是1mm以下,甚至是0.3mm左右的超薄片體,成型和燒結(jié)都是制備的關(guān)鍵難點(diǎn),而且燒結(jié)后還需整平、磨拋等環(huán)節(jié)。

704b683e-a74d-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

圖1 陶瓷基板制備基本工藝流程

2.陶瓷基板的流延成型

流延成型又稱為刮刀成型法、帶式澆筑法等,是目前薄膜或薄片狀材料最重要的成型方法。 該方法于1947年被首次用于生產(chǎn)陶瓷片狀材料,并于1952年取得專利。 流延成型的特點(diǎn)有:

(1)生產(chǎn)效率高,可連續(xù)操作,自動(dòng)化水平高,工藝穩(wěn)定,非常適合批量化生產(chǎn);

(2)坯體致密度較好,彈性及韌性好;

(3)可實(shí)現(xiàn)坯體厚度控制;

(4)可制備多層陶瓷電子器件。

陶瓷基板流延成型的基本流程為:流延漿料調(diào)配、真空除泡、流延、排膠等。 其中獲得具有高固相含量并且年度適合的流延漿料是流延成型的關(guān)鍵。

流延成型根據(jù)溶劑種類分為非水基流延和水基流延兩種類型。 其中非水基流延采用乙醇、甲苯、二甲苯等作為有機(jī)溶劑,粘結(jié)劑、增塑劑等有機(jī)添加劑的溶解度更好,且溶劑易揮發(fā),因此更容易獲得質(zhì)量良好的流延漿料,是流延工藝中普遍采用的溶劑體系。

在制備絕緣陶瓷基板方面,徐雷等[9]以聚乙二醇、無水乙醇、三氯乙烯的混合溶液作為溶劑,配置流延漿料,制備氧化鋁基片坯體; 并通過陶瓷色料的添加,在較低的溫度下燒結(jié)制備出呈色性佳及強(qiáng)度較好的黑色氧化鋁陶瓷基板。 這種黑色的氧化鋁基板具有遮光性,可用于某些新式具有明顯的光敏性的半導(dǎo)體元器件

陳柏等[7]采用乙醇和丁酮二元混合溶劑、非水基流延成型工藝制備氧化鋯/氧化鋁(ZTA)陶瓷基片,利用氧化鋯的添加增強(qiáng)增韌氧化鋁,以獲得力學(xué)性能更好的基板。 Gutierrez等[11]采用磷酸三乙酯作分散劑,并通過控制粘合劑和增塑劑的總含量以及比例獲得了氮化硅非水基流延坯片。

非水基是目前流延批量化生產(chǎn)的主流溶劑體系,然而非水基溶劑體系的甲苯、二甲苯都是強(qiáng)致癌物,對(duì)于人員健康和環(huán)境保護(hù)具有不利影響,且有機(jī)溶劑成本較高,這些都是亟待解決的問題,因此目前以水為溶劑的水基流延成為了研究熱點(diǎn)。

水基流延要解決的關(guān)鍵問題有:

(1)水與陶瓷粉體要具有良好的表面潤(rùn)濕性,且與粉末不發(fā)生反應(yīng);

(2)水要與有機(jī)添加劑具有良好的相溶性;

(3)通過分散劑等的優(yōu)化,獲得流動(dòng)性良好的流延漿料;

(4)在流延過程中,通過流延工藝的調(diào)整,水可以及時(shí)排除并不會(huì)對(duì)基板坯體造成影響。

由于水的表面張力大,溶劑的表面張力越大,粉體顆粒越難以分散。為了獲得分散良好且穩(wěn)定的水基流延漿料,關(guān)鍵是選取適合的分散劑。常用的分散劑分為無機(jī)電解質(zhì)、表面活性劑、有機(jī)高聚物三類;分散機(jī)理主要有雙電層的靜電排斥穩(wěn)定機(jī)理和高聚物大分子的空間位阻穩(wěn)定機(jī)理[18]。

范啟兵等研究了PAA、D-3109、B03三種分散劑對(duì)陶瓷粉體在水基漿料中分散性及穩(wěn)定性的影響,經(jīng)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)采用B03分散劑,pH值為8的條件下可獲得穩(wěn)定性及分散性最好的LTCC水基流延漿料。

而白皎皎等[16]對(duì)比了PAA和六偏磷酸鈉作為水基流延分散劑的效果,二者均表現(xiàn)出良好的分散效果,六偏磷酸鈉作為分散劑時(shí)對(duì)用量及漿料的pH值變化均不敏感,可以在更寬范圍內(nèi)獲得穩(wěn)定的漿料,比PAA更具優(yōu)勢(shì)。

馮翀龍等[15]則采用聚乙酰亞胺為分散劑,獲得了韌性和強(qiáng)度較好的水基陶瓷流延膜。

Bitterlich.B等[19]則采用90%的Dolapix A88和10%的PC33的混合分散劑,獲得了柔韌性良好的氮化硅流延生坯。Liu等[20]則采用分子量30000的PAA作為氮化硅水基流延分散劑。

一些氮化物陶瓷粉體,與水易發(fā)生水解反應(yīng),往往需要在制備漿料前對(duì)粉體顆粒進(jìn)行改性。

如鐘雪等[21]采用水基流延成型法制備AlN陶瓷生帶,首先采用磷酸鹽對(duì)原料AlN粉末進(jìn)行表面改性處理,利用AlN水解表面存在羥基基團(tuán)與磷酸鹽反應(yīng)生成Al(H2PO4)3,在AlN表面形成Al-O-P鍵的致密保護(hù)層,致密保護(hù)層的存在能夠阻止AlN與水的接觸,進(jìn)而抑制AlN的進(jìn)一步水解,并且磷酸鹽在水中有很好的溶解性, 還有利于AlN在水中的分散,有利于進(jìn)行水基流延工藝制備AlN陶瓷材料。

此外由于水的極性大,具有很強(qiáng)的氫鍵,需要選擇極性與水相近的粘結(jié)劑。 目前,水基流延體系較為常用的粘結(jié)劑主要有纖維素類、乙烯類和丙烯酸類乳液等幾種,最常用的水基流延粘結(jié)劑是聚乙烯醇(PVA)。

3.陶瓷基板的凝膠注模成型

凝膠注模成型是20世紀(jì)90年代發(fā)明的一種膠態(tài)成型工藝,目前已成為陶瓷材料濕法成型的重要方法。 凝膠注模的介質(zhì)一般分為水基和非水基體系,如叔丁醇等。 其中水基凝膠注模具有成本低,環(huán)保等優(yōu)點(diǎn),缺點(diǎn)是干燥時(shí),由于水的表面張力大,容易造成坯體的變形、開裂。

凝膠注模用于基板成型目前少有批量化生產(chǎn)的實(shí)例,但相比流延成型,凝膠注模具有以下優(yōu)點(diǎn):

(1)無需昂貴設(shè)備;

(2)一般為水基,用水替代甲苯、二甲苯等有毒有機(jī)溶劑,并且添加的粘結(jié)劑少,環(huán)境友好;

(3)有機(jī)添加劑少,容易燒除,排膠時(shí)間短,節(jié)能環(huán)保;

(4)靈活方便實(shí)用性強(qiáng),厚度范圍寬。

陳大明等采用水基凝膠注模制備了氧化鋁基板,從材料組分優(yōu)化、料漿配制、模具設(shè)計(jì)、坯片干燥及形變控制、燒結(jié)工藝、整平、邊角料回收處理再利用等方面對(duì)水基凝膠注模制備氧化鋁基板技術(shù)做了系統(tǒng)研究,獲得了綜合性能已全面達(dá)到和超過了國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定指標(biāo)的氧化鋁陶瓷基片。

吳堅(jiān)強(qiáng)等采用凝膠注模方法制備了大尺寸陶瓷基板,并與干壓成型制備的樣品進(jìn)行了對(duì)比。 研究表明凝膠注模成型基板樣品燒結(jié)后致密度更高,組織結(jié)構(gòu)更均勻,抗擊穿電壓等性能更好。

張占新等則利用凝膠注模成型一定厚度的氧化鋁坯體,再利用凝膠注模濕坯的類似橡膠或果凍的易加工狀態(tài),切片加工成的一定厚度的氧化鋁基片,簡(jiǎn)化了成型工藝。

曠峰華等分析了凝膠注模成型產(chǎn)生的團(tuán)聚、氣孔、微裂紋、夾雜等常見組織缺陷,并提出了相應(yīng)的預(yù)防措施。 如針對(duì)粉體在漿料中分散不均勻出現(xiàn)團(tuán)聚的問題,可采用添加表面活性劑檸檬酸,經(jīng)過球磨處理并輔助超聲處理的方式將原始粉體的團(tuán)聚完全打散。

凝膠注模成型的基礎(chǔ)是依靠丙烯酰胺單體在交聯(lián)劑、催化劑的作用下發(fā)生聚合形成娘凝膠網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),但是由于氧會(huì)阻礙丙烯酰胺單體聚合反應(yīng),因此單體聚合時(shí)與空氣接觸部分的陶瓷坯體干燥后表面會(huì)因?yàn)闆]有聚合完全而產(chǎn)生破皮、剝落的現(xiàn)象,這種現(xiàn)象是凝膠注模成型特有的“氧阻聚”問題。 如果為了克服氧阻聚,將樣品完全置于隨性氣氛中(氮?dú)饣驓錃猓┗蛟谡婵罩羞M(jìn)行固化,顯然工藝復(fù)雜且成本高昂。

4.陶瓷基板3D打印成型

3D打印成型技術(shù)(3Dprinting technology)最早產(chǎn)生于20世紀(jì)70年代末到80年代初,是目前最受關(guān)注的技術(shù)之一。 3D打印“增材制造”的加工思想,擺脫模具對(duì)傳統(tǒng)成型的限制,在當(dāng)今市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的情況下,3D打印成型可以實(shí)現(xiàn)頻繁的產(chǎn)品試制及改型,相比于傳統(tǒng)的加工方法具有不可比擬的優(yōu)勢(shì)。

目前已有一些國(guó)內(nèi)外學(xué)者嘗試使用3D打印技術(shù)制備片狀陶瓷材料,如佟澤漢等]采用3D打印技術(shù)制備了柔性鋰離子極片。

Zhang等采用3D技術(shù)制備了在金屬Ti上制備了Ti-Si-N陶瓷涂層。 由于3D打印技術(shù)的“逐層打印、層層疊加”基本原理,3D打印技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)器件的快速、柔性化、集成化制造,對(duì)于結(jié)構(gòu)復(fù)雜的材料或器件,通過3D打印可以一次成型,大大簡(jiǎn)化了工藝步驟,實(shí)現(xiàn)快速成型。 如目前低溫共燒陶瓷(LTCC)基板以其集成密度高和高頻特性好等優(yōu)異的電學(xué)、機(jī)械、熱學(xué)及工藝特性成為當(dāng)下電子元件集成化的主流方式。 如使用流延成型則存在工藝復(fù)雜、不利于器件集成制作等問題,而3D打印技術(shù)則為L(zhǎng)TCC基板的集成化成型提供了新方法。

如尚立艷等采用3D打印技術(shù),通過優(yōu)化材料組分,精確控制打印參數(shù)與燒結(jié)工藝,成功制備出不同尺寸規(guī)格的硼硅酸鹽/氧化鋁陶瓷復(fù)合材料體系的LTCC基板,基板在2.4GHz下測(cè)試試樣的平均介電常數(shù)為5.4,滿足LTCC基板的使用要求。

Maeder等采用3D打印技術(shù)制備了LTCC基板,并開發(fā)了一種LTCC基板的新型模塊化設(shè)計(jì)。

目前3D打印技術(shù)在陶瓷制備方面還處于探索研究階,但由于3D打印所具有天生的優(yōu)勢(shì),可以期待未來該方法為陶瓷成型帶來巨大變革。

5.結(jié)語(yǔ)

對(duì)于半導(dǎo)體用陶瓷絕緣基板的批量化生產(chǎn),成型方法是亟待突破的關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)。 由于基板厚度一般不足一毫米,無法采用傳統(tǒng)的干壓成型,目前基本都采用膠態(tài)成型方法,而其中流延法仍是及效率和成本優(yōu)勢(shì)于一身的最廣泛的基板成型方案。 凝膠注模、3D打印等新型膠態(tài)成型方法也擁有各自的特色優(yōu)勢(shì),隨著技術(shù)的進(jìn)一步成熟,也將在某些基板成型領(lǐng)域得到更廣的應(yīng)用。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    334

    文章

    27589

    瀏覽量

    220659
  • 3D
    3D
    +關(guān)注

    關(guān)注

    9

    文章

    2899

    瀏覽量

    107710
  • LTCC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    28

    文章

    127

    瀏覽量

    48819
  • 制備工藝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    8

    瀏覽量

    5810
  • 陶瓷基板
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    215

    瀏覽量

    11453

原文標(biāo)題:半導(dǎo)體用陶瓷絕緣基板成型方法研究

文章出處:【微信號(hào):中科聚智,微信公眾號(hào):中科聚智】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    半導(dǎo)體基板的蝕刻方法簡(jiǎn)介

    的蝕刻溶液內(nèi)進(jìn)行蝕刻。(圖3、圖4) 在連接到陽(yáng)兢的半導(dǎo)體基板上,將連接到陰極的鉑線纏繞在夾子上的鉑電極對(duì)向,在夾子中放入氮?dú)馀菖?,通過該泡泡注入地素的半導(dǎo)體基板的蝕刻
    的頭像 發(fā)表于 03-24 16:47 ?3657次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>硅<b class='flag-5'>基板</b>的蝕刻<b class='flag-5'>方法</b>簡(jiǎn)介

    在IGBT模塊中氮化鋁陶瓷基板的應(yīng)用如何?

    IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上;IGBT模塊
    發(fā)表于 09-12 16:21

    另辟蹊徑淺談電阻技術(shù)之陶瓷基板

    溫度循環(huán)中產(chǎn)生的應(yīng)力,此應(yīng)用一般采用SiC基板。對(duì)于金屬箔電阻而言,考慮到箔片熱膨脹與陶瓷基板相匹配實(shí)現(xiàn)低溫漂因素,基板的熱膨脹系數(shù)需要重點(diǎn)考量。
    發(fā)表于 04-25 14:32

    斯利通助力氮化鋁陶瓷基板生產(chǎn)行業(yè)健康發(fā)展

    `氮化鋁陶瓷基板因其熱導(dǎo)率高、絕緣性好、熱膨脹系數(shù)低及高頻性低損耗等優(yōu)點(diǎn)廣為人知,在LED照明、大功率半導(dǎo)體、智能手機(jī)、汽車及自動(dòng)化等生活與工業(yè)領(lǐng)域得到大量應(yīng)用。但氮化鋁
    發(fā)表于 11-16 14:16

    四種功率型封裝基板對(duì)比分析

    ,使得其無法承受高溫焊接,限制了封裝結(jié)構(gòu)的優(yōu)化,不利于散熱。如何提高環(huán)氧絕緣層的導(dǎo)熱系數(shù)成為現(xiàn)階段鋁基板研究熱點(diǎn)。目前采用的是一種摻有高熱傳導(dǎo)性無機(jī)填充物(比如陶瓷粉末)的改性環(huán)氧樹
    發(fā)表于 12-23 15:20

    碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

    電子設(shè)備的能耗,因此碳化硅器件也被譽(yù)為帶動(dòng)“新能源革命”的“綠色能源器件”。各類電機(jī)系統(tǒng)在高壓應(yīng)用領(lǐng)域,使用碳化硅陶瓷基板半導(dǎo)體碳化硅功率器件,功耗降低效果明顯,設(shè)備的發(fā)熱量大幅減少,同時(shí)可減少最高
    發(fā)表于 01-12 11:48

    先進(jìn)陶瓷材料應(yīng)用——氧化鋁陶瓷基板

    設(shè)備負(fù)荷。根據(jù)“ Insight Partners”對(duì)“到2027年歐洲氧化鋁陶瓷市場(chǎng)預(yù)測(cè)– COVID-19的影響和分析–按應(yīng)用(電子和半導(dǎo)體,能源和電力,軍事和國(guó)防,汽車,工業(yè),醫(yī)療等)的研究
    發(fā)表于 03-29 11:42

    芯片荒半導(dǎo)體封裝需求激增,斯利通陶瓷封裝基板供不應(yīng)求

    需要新的、更好的、具有良好電氣性能的封裝基板。人們已經(jīng)意識(shí)到半導(dǎo)體封裝的重要性,我們的行業(yè)正處于這樣一個(gè)關(guān)口,如果我們的供應(yīng)鏈不處于良好的狀態(tài),我們根本無法滿足需求。"陶瓷封裝基板
    發(fā)表于 03-31 14:16

    為什么要選擇陶瓷基板作為封裝材料?

    PCB)和金屬基板(如MCPCB)使用受到較大限制。而陶瓷材料本身具有熱導(dǎo)率高、耐熱性好、高絕緣、高強(qiáng)度、與芯片材料熱匹配等性能,非常適合作為功率器件封裝基板,目前己在
    發(fā)表于 04-19 11:28

    《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》用于半導(dǎo)體封裝基板的化學(xué)鍍 Ni-P/Pd/Au

    書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:用于半導(dǎo)體封裝基板的化學(xué)鍍 Ni-P/Pd/Au編號(hào):JFSJ-21-077作者:炬豐科技 隨著便攜式電子設(shè)備的普及,BGA(球柵陣列)越來越多地用于安裝在高密度
    發(fā)表于 07-09 10:29

    陶瓷基板應(yīng)用于半導(dǎo)體制冷器詳解(半導(dǎo)體制冷器特點(diǎn)與工作原理)

    本文開始介紹了陶瓷基板的用途與優(yōu)點(diǎn),其次介紹了半導(dǎo)體制冷器概述與主要特點(diǎn),最后介紹了半導(dǎo)體制冷機(jī)工作原理。
    的頭像 發(fā)表于 04-19 11:38 ?1.5w次閱讀

    制備陶瓷基片的主要成型方法

    目前,流延成型廣泛應(yīng)用于多層器件(如疊層壓敏電阻、多層陶瓷電容器等)、壓電陶瓷變壓器及壓電陶瓷蜂鳴器片、厚/薄膜集成電路板、制冷器基板、片狀
    的頭像 發(fā)表于 06-01 09:46 ?3012次閱讀

    什么是DPC陶瓷基板?DPC陶瓷基板有哪些特點(diǎn)?

    在其表面上鍍銅。 DPC陶瓷基板具有以下特點(diǎn): 1. 優(yōu)異的導(dǎo)熱性能:DPC陶瓷基板的導(dǎo)熱性能非常好,通常在2-3w/m·K之間。這種高導(dǎo)熱性能可以有效地散熱,保證元件的穩(wěn)定運(yùn)行。 2
    的頭像 發(fā)表于 12-07 09:59 ?1313次閱讀

    羅杰斯高功率半導(dǎo)體陶瓷基板項(xiàng)目投產(chǎn)

    近日,羅杰斯電子材料(蘇州)有限公司正式開業(yè),標(biāo)志著羅杰斯在蘇州工業(yè)園區(qū)投資1億美元的高端半導(dǎo)體功率模塊陶瓷基板研發(fā)制造項(xiàng)目正式啟動(dòng)。
    的頭像 發(fā)表于 10-14 16:21 ?409次閱讀

    玻璃基板、柔性基板陶瓷基板的優(yōu)劣勢(shì)

    半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域,玻璃基板、柔性基板陶瓷基板各自具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì),這些特性決定了它們?cè)诓煌瑧?yīng)用場(chǎng)景中的適用性。
    的頭像 發(fā)表于 12-25 10:50 ?378次閱讀
    玻璃<b class='flag-5'>基板</b>、柔性<b class='flag-5'>基板</b>和<b class='flag-5'>陶瓷</b><b class='flag-5'>基板</b>的優(yōu)劣勢(shì)