大家知道，為實(shí)現(xiàn)低相位噪聲性能，尤其是超低相位噪聲性能，必須使用低噪聲電源才能達(dá)到最佳性能。但文獻(xiàn)上沒有詳細(xì)說明如何通過一種系統(tǒng)化方法來量化電源噪聲電壓電平對相位噪聲的影響。本文旨在改變這種狀況。
本文提出了電源調(diào)制比(PSMR)理論，用來衡量電源缺陷如何被調(diào)制到RF載波上。通過電源噪聲對RF放大器相位噪聲的貢獻(xiàn)來驗(yàn)證這一理論；測量結(jié)果表明，可以計(jì)算并且相當(dāng)準(zhǔn)確地預(yù)測該貢獻(xiàn)?；诖私Y(jié)果，本文還討論了描述電源特性的系統(tǒng)化方法。
審核編輯：劉清
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原文標(biāo)題：PSMR與PSRR不同之處
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