作者:Miguel Usach Merino
數(shù)字電位計 (digiPOT) 提供了一種方便的方式來調(diào)整傳感器、電源或其他需要某種類型校準的設(shè)備的交流或直流電壓或電流輸出,時序、頻率、對比度、亮度、增益和失調(diào)調(diào)整只是其中的一小部分。數(shù)字設(shè)置幾乎避免了與機械電位計相關(guān)的所有問題,例如物理尺寸、機械磨損、游標污染、電阻漂移以及對振動、溫度和濕度的敏感性,并消除了由于需要螺絲刀訪問而導致的布局不靈活性。
digiPOT 可用于兩種不同的模式:電位計或變阻器。在電位計模式下,如圖1所示,有三個端子可用;信號連接在端子 A 和 B 上,而端子 W(如游標)提供衰減的輸出電壓。當數(shù)字比率控制輸入全為零時,游標通常連接到端子B。
圖1.電位計模式。
當游標硬連線到任一端時,電位計變成一個簡單的可變電阻或變阻器,如圖2所示。變阻器模式允許更小的外形尺寸,因為需要的外部引腳更少。一些數(shù)字POT只能作為變阻器使用。
圖2.變阻器模式。
對 digiPOT 電阻端子上出現(xiàn)的電流或電壓的極性沒有限制,但交流信號的幅度不能超過電源軌 (VDD和 V黨衛(wèi)軍)—當器件在變阻器模式下工作時,應(yīng)限制最大電流或電流密度,尤其是在較低電阻設(shè)置下。
典型應(yīng)用
信號衰減是電位計模式固有的,因為器件基本上是一個分壓器。輸出信號定義為:V外= V在×(R代數(shù)轉(zhuǎn)換器/R罐),其中R罐是 digiPOT 的標稱端到端電阻,并且R代數(shù)轉(zhuǎn)換器是W和輸入信號的參考引腳(通常是端子B)之間的數(shù)字選擇電阻,如圖3所示。
圖3.信號衰減器。
信號放大需要一個有源元件,通常是反相或同相放大器??梢允褂秒娢挥嫽蜃冏杵髂J?,并具有適當?shù)脑鲆婀健?/p>
圖4所示為一個同相放大器,該器件用作電位計,通過反饋調(diào)節(jié)增益。由于輸出的分數(shù)反饋,R嗖嗖/(R工 務(wù) 局+ R嗖嗖),必須等于輸入,理想化增益為
圖4.電位計模式下的同相放大器。
該電路的增益與R嗖嗖,迅速增加為R嗖嗖接近零,定義雙曲傳遞函數(shù)。要限制最大增益,請插入一個串聯(lián)電阻R嗖嗖(以及增益方程的分母)。
如果需要線性增益關(guān)系,變阻器模式可與固定外部電阻結(jié)合使用,如圖5所示;增益現(xiàn)在定義為:
圖5.變阻器模式下的同相放大器。
為獲得最佳性能,請將較低電容端子(較新器件中的W引腳)連接到運算放大器輸入。
數(shù)字POT在信號放大方面的優(yōu)勢
圖4和圖5所示電路具有高輸入阻抗和低輸出阻抗,可以處理單極性和雙極性信號。digiPOT可用于游標操作,通過固定外部電阻在更小的范圍內(nèi)提供更高的分辨率,并可用于帶或不帶信號反轉(zhuǎn)的運算放大器電路。此外,它們還具有較低的溫度系數(shù)——電位計模式下通常為 5 ppm/°C,變阻器模式下通常為 35 ppm/°C。
用于信號放大的 digiPOT 的局限性
處理交流信號時,digiPOT 性能受到帶寬和失真的限制。帶寬是可以通過 digiPOT 的最大頻率,由于寄生分量,衰減小于 3 dB??傊C波失真(THD)——這里定義為接下來四個諧波的均方根和與輸出基波值之比——是信號通過器件時衰減的量度。這些規(guī)范隱含的性能限制是由內(nèi)部 digiPOT 架構(gòu)引起的。分析將有助于充分了解這些規(guī)格并減少其負面影響。
內(nèi)部架構(gòu)已從經(jīng)典串行電阻陣列(如圖6a所示)演變?yōu)榉侄问郊軜?gòu)(如圖6b所示)。主要改進是減少了所需的內(nèi)部開關(guān)數(shù)量。在第一種情況下,串行拓撲,交換機的數(shù)量為N = 2n,其中 n 是以位為單位的分辨率。n = 10 時,需要 1024 個開關(guān)。
圖6.a) 傳統(tǒng)架構(gòu)。b) 分段架構(gòu)。
專有(專利)分段架構(gòu)使用級聯(lián)連接,最大限度地減少交換機總數(shù)。圖 6b 的示例顯示了一個兩段架構(gòu),由兩種類型的模塊組成:左側(cè)為 MSB,右側(cè)為 LSB。
左邊的上塊和下塊是粗位(MSB段)的開關(guān)串。右邊的塊是一串用于精細位(LSB段)的開關(guān)。MSB 開關(guān)建立與 R 的粗略近似值一個/RB率。由于LSB串的總電阻等于MSB串中的單個電阻元件,因此LSB開關(guān)在主串的任何點建立比率的精細部分。A 和 B MSB 交換機采用互補編碼。
分段架構(gòu)中的交換機數(shù)量為:
N = 2m + 1+ 2n – m,
其中 n 是 MSB 字中的總位數(shù),m 是分辨率的位數(shù)。例如,如果 n = 10 且 m = 5,則需要 96 個開關(guān)。
與傳統(tǒng)字符串相比,分段方案需要的開關(guān)更少:
差值 = 2n– (2m+ 1 + 2n – m)
在此示例中,節(jié)省的費用將是
1024 – 96 = 928!
在這兩種架構(gòu)中,開關(guān)負責在不同的電阻值之間進行選擇,因此了解模擬開關(guān)中的交流誤差源非常重要。這些 CMOS(互補金屬氧化物半導體)開關(guān)由并聯(lián)的 P 溝道和 N 溝道 MOSFET 組成。該基本雙邊開關(guān)保持相當恒定的電阻(R上) 表示最高至全電源軌的信號。
帶寬
圖7顯示了影響CMOS開關(guān)交流性能的寄生元件。
圖7.CMOS 交換機型號。
CDS= 漏源電容;CD= 漏極-柵極 + 漏極-大容量電容;CS= 源極門 + 源極大容量電容。
傳遞關(guān)系在下面的等式中定義,其中應(yīng)用了這些假設(shè):
源阻抗為 0 Ω
無外部負載貢獻
沒有來自的貢獻CDS
R低音水平 << RMSB
其中:
傳遞方程具有許多因子,并且在某種程度上依賴于代碼,因此使用以下進一步的假設(shè)來簡化方程
這CDS貢獻在傳遞方程中增加了一個零,但由于這通常發(fā)生在比極點高得多的頻率下,因此RC低通濾波器是主要響應(yīng)。簡化方程的一個很好的近似值是:
帶寬 (BW) 定義為:
哪里CL是負載電容。
BW 依賴于代碼,最壞的情況是當代碼處于半刻度時,數(shù)字值為 29AD5292和2的= 5127AD5291為128(見附錄)。圖8顯示了低通濾波效應(yīng)與各種標稱電阻和負載電容值的代碼函數(shù)關(guān)系。
圖8.各種電阻值的最大帶寬與負載電容的關(guān)系。
應(yīng)考慮PCB板的寄生走線電容,否則最大帶寬將低于預期;軌道電容可以直接計算為
例如,假設(shè)FR4板材料具有兩個信號層和電源/接地層,則εR= 4,軌道長度 = 3 厘米,寬度 = 1.2 毫米,層間距離 = 0.3 毫米;總軌道電容約為4 pF。
失真
THD用于量化器件作為衰減器的非線性度。這種非線性是由于內(nèi)部開關(guān)及其R上隨電壓變化。幅度失真的夸大示例如圖9所示。
圖9.失真。
這R上與單個內(nèi)部無源電阻的電阻相比,開關(guān)的電阻非常小,其在整個信號范圍內(nèi)的變化甚至更小。圖10顯示了一個典型的導通電阻特性。
圖 10.CMOS電阻。
電阻曲線取決于電源電壓軌;內(nèi)部開關(guān)具有最低R上在最大電源電壓下的變化。如果電源電壓降低,R上變化,因此非線性增加。圖 11 比較了 RON低壓 digiPOT 的兩個電源電平變化。
圖 11.開關(guān)電阻變化與電源電壓的關(guān)系
THD取決于多個因素,因此難以量化,但假設(shè)R的變化為10%上,以下等式可用作粗略近似:
作為一般規(guī)則,標稱數(shù)字POT電阻越高(R罐),THD 越好,因為分母越大。
權(quán)衡取舍
失真和帶寬都隨著增加而降低R罐,因此不可能在不懲罰另一個規(guī)范的情況下改進一個規(guī)范。因此,電路設(shè)計人員必須選擇合適的平衡點。在器件設(shè)計層面也是如此,因為IC設(shè)計人員必須平衡設(shè)計公式中的參數(shù):
偏 置
從實用的角度來看,必須充分利用這些規(guī)格。當使用digiPOT通過容性耦合衰減交流信號時,如果信號偏置到電源的中間值,則可實現(xiàn)最低的失真。這意味著開關(guān)正在處理電阻特性的最線性部分。
一種方法是使用雙電源,簡單地將電位計接地至電源公共電源。然后,信號可以具有正負擺動。另一種方法是,如果需要單電源,或者特定的digiPOT不支持雙電源,則添加VDD/2交流信號。必須在兩個電阻端子上增加該失調(diào)電壓,如圖12所示。
圖 12.單電源交流信號調(diào)理。
如果需要信號放大器,則采用雙電源的反相放大器(如圖13所示)優(yōu)于同相放大器,原因有二:
提供更好的THD性能,因為反相引腳上的虛擬地會將開關(guān)電阻集中在電壓范圍的中間。
由于反相引腳處于虛擬地,游標電容CDLSB,幾乎被取消以獲得帶寬的小幅增加(但必須注意電路穩(wěn)定性)。
圖 13.使用帶有反相放大器的 digiPOT 進行可調(diào)放大。
審核編輯:郭婷
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