本應(yīng)用筆記描述了低頻振蕩器設(shè)計(jì)和晶體選擇如何影響工作電流。當(dāng)振蕩器采用容量有限的電源(如紐扣鋰電池或超級電容器)運(yùn)行時(shí),最小化工作電流會增加工作時(shí)間。
介紹
Maxim擁有豐富的低功耗、電池備份實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)產(chǎn)品組合。Maxim設(shè)計(jì)RTC時(shí),主要考慮因素是當(dāng)RTC采用備用電源供電時(shí),將振蕩器的功耗要求降至最低,從而最大限度地延長備份電源的使用壽命。晶體振蕩器提供合理的精度,多年來的開發(fā)工作一直專注于最小化功耗。
振蕩器設(shè)計(jì)目標(biāo)包括:
提供足夠的電流和增益來啟動和維持振蕩
提供寬工作電壓范圍
將外部噪聲對精度的影響降至最低
關(guān)鍵晶體和振蕩器參數(shù)
圖1顯示了晶體諧振器的等效電路。晶體有兩個(gè)零相位的頻率,如圖2所示。較低的頻率是串聯(lián)諧振頻率。在串聯(lián)諧振頻率下,L1和C1抵消,阻抗由R1確定。 第二個(gè)更高的頻率是并聯(lián)諧振頻率。在并聯(lián)共振時(shí),電阻最大。
并聯(lián)諧振振蕩器電路(圖3)使用設(shè)計(jì)為在指定負(fù)載電容下工作的晶體。這導(dǎo)致電路在串聯(lián)諧振點(diǎn)和并聯(lián)諧振點(diǎn)之間的頻率下工作。負(fù)載電容的變化會導(dǎo)致振蕩器頻率的變化。
晶體等效串聯(lián)電阻(ESR)在經(jīng)過SMT回流焊后趨于向上移動,因此與通孔封裝晶體相似的SMT晶體可能具有更高的最大ESR規(guī)格。同樣,較小的音叉晶體通常比較大的音叉晶體具有更高的ESR規(guī)格。
圖1.晶體諧振器的等效電路。
圖2.晶體相位和阻抗響應(yīng)。
圖3.穿孔型(逆變器變化)振蕩器電路。
振蕩器電流
正如 Eric Vittoz 所觀察到的,當(dāng)晶體振蕩器電路(圖 3)中的兩個(gè)負(fù)載電容值相等時(shí),振蕩(或臨界跨導(dǎo))的最小電流可以用下面的公式近似。
g麥克利特≈ 4Ω2 × CL2 × R紅沉降率 | (公式1) |
其中 ω 是以弧度為單位的頻率,CL為等效容性負(fù)載,R紅沉降率是晶體的ESR。假設(shè)振蕩器是弱反轉(zhuǎn)工作的CMOS器件。
Vittoz 還確定振蕩器幅度和偏置電流由以下公式相關(guān):
(公式2) |
我在哪里
B0和我B1是零階和一階修改的貝塞爾函數(shù)。
因此,我們可以顯示給定振蕩器電壓下振蕩器電流與不同ESR和C值之間的關(guān)系L,如以下示例所示。假設(shè) V1= 400mVP-P紐T= 26mV,ESR = 35kΩ,CL= 6pF,然后
≈ 4,然后
IO≈ 4Ω2 × CL2 × R紅沉降率× nUT× 4
≈ 4 × (32,768 × 6.283)2 × (6e-12)2 × 35e+3 × 0.026 × 4
≈ 22.2nA。
表 1 顯示了兩個(gè) C 之間的關(guān)系L和振蕩器電流上的 ESR,使用 V 的值1和 nUT以上。
表 1.晶體 ESR 和 CL與振蕩器電流的比較
ESR (Ω) | CL(pF) | IO(nA) |
35,000 | 6 | 22.2 |
70,000 | 6 | 44.4 |
35,000 | 12.5 | 88.9 |
70,000 | 12.5 | 177.8 |
由于在g的方程中麥克利特該 CL項(xiàng)為平方,負(fù)載電容加倍具有使振蕩器電流增加四倍的效果。將晶體ESR提高兩倍會導(dǎo)致所需的振蕩器電流加倍。請注意,這是估計(jì)的最小振蕩器電流,不包括用于放大振蕩器輸出的附加電路消耗的電流,也不包括用于將頻率分頻至1Hz的器件中的電流。
振蕩器設(shè)計(jì)要求
振蕩器的設(shè)計(jì)應(yīng)使其具有足夠的增益,可以在整個(gè)工作溫度和電壓范圍內(nèi)工作。在工作條件下,幅度必須始終足以驅(qū)動以下增益和緩沖級。為了最小化振蕩器電流要求,對于給定的振蕩電壓,低CL是需要的。下 CL但是,會增加振蕩器對外部噪聲影響的敏感性。低 C 的可用性差L晶體可以選擇具有更高C的晶體L必要的,但代價(jià)是振蕩器電流增加。同樣,如果設(shè)計(jì)需要小型晶體封裝,則需要驅(qū)動高ESR晶體的振蕩器設(shè)計(jì),從而增加必要的振蕩器電流。
此外,用于添加所需功能的電路,例如用于提高振蕩器抗擾度的毛刺濾波器,或用于檢測振蕩器何時(shí)停止的電路,都會增加電路的總電流消耗。
結(jié)論
在為低功耗RTC設(shè)計(jì)振蕩器時(shí),需要考慮許多權(quán)衡。增加 CL將提高抗噪性,并可能提供更多的晶體型號可供選擇,但代價(jià)是振蕩器電流。同樣,設(shè)計(jì)振蕩器以使其以相對較高的ESR晶體運(yùn)行需要更高的振蕩器電流。增加毛刺濾波器或振蕩器停止檢測電路也增加了有益的功能,但會消耗額外的電流。
審核編輯:郭婷
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