華秋電子與松下電器機(jī)電友好合作，助力中國(guó)電容器市場(chǎng)發(fā)展

01 電容市場(chǎng)發(fā)展

電容器是三大電子被動(dòng)元器件之一，是電子線路中不可缺少的基礎(chǔ)元件，約占全部電子元件用量的40%，產(chǎn)值的66%。中國(guó)電容器行業(yè)規(guī)模增速持續(xù)高于全球規(guī)模增速，中國(guó)市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)成為拉動(dòng)全球電容器行業(yè)規(guī)模增長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿Α?/p>

我國(guó)電容器行業(yè)自從上世紀(jì)80年代發(fā)展以來(lái)，已日益成為全球最大的電容器市場(chǎng)，占全球市場(chǎng)比重超過(guò)七成。中國(guó)固態(tài)電容器需求量為451.15億只，而中國(guó)固態(tài)電容器產(chǎn)能為202.27億只，同比增長(zhǎng)5.49%。

受5G通訊、消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、新能源及新興產(chǎn)業(yè)等下游市場(chǎng)的需求拉動(dòng)，中國(guó)固態(tài)電容器市場(chǎng)仍較快發(fā)展。中國(guó)固態(tài)電容器銷(xiāo)售量為322.47億只，同比增長(zhǎng)9.45%。我國(guó)電容器行業(yè)雖起步較晚，但發(fā)展速度較快，其中陶瓷電容器和鋁電解電容器占據(jù)較大市場(chǎng)份額。

在濾波，儲(chǔ)能電路的設(shè)計(jì)中，陶瓷電容，液態(tài)鋁電解電容，聚合物電容三足鼎立。在聚合物電容這個(gè)大類(lèi)中，松下電器機(jī)電的疊層鋁（SP-Cap），鉭（POSCAP），不管是產(chǎn)能還是技術(shù)都走在行業(yè)的前列，為中國(guó)的網(wǎng)絡(luò)通信，大數(shù)據(jù)運(yùn)算，物聯(lián)網(wǎng)，人工智能領(lǐng)域做出了巨大貢獻(xiàn)。

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松下導(dǎo)電性高分子電容

松下電器機(jī)電（中國(guó)）有限公司成立于1996年，負(fù)責(zé)松下集團(tuán)在中國(guó)市場(chǎng)的電子材料，電子元器件，電池，汽車(chē)電子設(shè)備，工廠和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備及方案等的銷(xiāo)售。在中國(guó)市場(chǎng)耕耘數(shù)年，為中國(guó)的電子電器行業(yè)的發(fā)展做出貢獻(xiàn)。

電子產(chǎn)業(yè)一站式服務(wù)平臺(tái)華秋電子與松下建立了友好合作關(guān)系，廣大客戶(hù)現(xiàn)可通過(guò)華秋商城購(gòu)買(mǎi)松下機(jī)電產(chǎn)品！

松下備齊了行業(yè)各種導(dǎo)電性高分子電容器，相較一般類(lèi)型低的ESR，長(zhǎng)壽命。針對(duì)客戶(hù)的各種需求，松下可提供相匹配的電容器。

導(dǎo)電性高分子電容器是指通過(guò)將導(dǎo)電性高分子用于電解質(zhì)，實(shí)現(xiàn)了低ESR，適用于儲(chǔ)能、濾波電路，有效縮減板上面積，降低成本。主要特長(zhǎng)如下：

卓越的低ESR和高頻特性

不依存于溫度、電壓的特性的穩(wěn)定性

比一般鉭電解的安全性高

導(dǎo)電性聚合物電容的應(yīng)用

SP-Cap 高可靠性產(chǎn)品“JX” 系列 / 特點(diǎn)

?高溫: +125℃, 3,000hrs (期待壽命: 85℃ 5年)

?高濕: +85℃, 85%相對(duì)濕度, 1,000hrs

?低ESR: 3mΩ to 15mΩ

SP-Cap 高可靠性產(chǎn)品“KX” 系列 / 特點(diǎn)

?高溫: +125℃, 5,500hrs (期待壽命: 85℃ 10年)

?高濕: +85℃, 85%相對(duì)濕度, 1,000hrs

?低ESR: 9mΩ

POSCAP 高可靠性產(chǎn)品“TLE” 系列 / 特點(diǎn)

?高溫: +125℃, 2,000hrs (期待壽命: 90℃ 10年)

?小尺寸：3.5 x 2.8 x2.0mm

?低ESR: 12mΩ to 35mΩ

OSCON 高可靠性產(chǎn)品“SVPT” 系列 / 特點(diǎn)

?高溫: +105℃, 20,000hrs (期待壽命: 90℃ 10年)

?高壓?高容：2.5V2700uF、6.3V820uF、16V1000uF、25V330uF、35V120uF、50V68uF

?低ESR: 10mΩ to 35mΩ

審核編輯黃昊宇