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MEMS加速度計(jì)性能成熟

星星科技指導(dǎo)員 ? 來源:ADI ? 作者:Ed Spence ? 2023-01-03 11:00 ? 次閱讀

本文回顧了展示MEMS技術(shù)發(fā)展和性能水平的數(shù)據(jù),將其與市售壓電(PZT)狀態(tài)監(jiān)測加速度計(jì)進(jìn)行比較。

對MEMS工藝技術(shù)的投資,加上設(shè)計(jì)創(chuàng)新,極大地提高了MEMS性能,足以使MEMS成為更廣泛的狀態(tài)監(jiān)測應(yīng)用的可行選擇?,F(xiàn)在,通過專門的MEMS結(jié)構(gòu)和工藝技術(shù),可以提高諧振頻率高達(dá)50 kHz,噪聲密度水平低至25 μg √Hz的加速度計(jì)。信號調(diào)理電子元件的精心設(shè)計(jì)充分利用了這些新型加速度計(jì)的低布朗運(yùn)動噪聲。

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圖1.新型高頻加速度計(jì)的噪聲頻譜密度圖。

性能和比較數(shù)據(jù)

為了評估最新的MEMS加速度計(jì)是否適合狀態(tài)監(jiān)測應(yīng)用,測量與市售的PZT型狀態(tài)監(jiān)測加速度計(jì)并行進(jìn)行。為了確保兩個傳感器具有相似的質(zhì)量并受到相同的刺激,MEMS傳感器被粘附在PZT傳感器的情況下。MEMS加速度計(jì)的單電源模擬輸出直接輸入到與PZT傳感器相同的數(shù)據(jù)記錄器的模擬輸入通道中。數(shù)據(jù)采集儀器(DAQ)被用作這些實(shí)驗(yàn)的采集系統(tǒng)。

電機(jī)錯位仿真

在振動測試儀上重現(xiàn)了真實(shí)場景,例如基于振動的狀態(tài)監(jiān)測中描述的場景,以比較使用已知刺激的設(shè)備。此示例概述了以 5100 rpm (85 Hz) 運(yùn)行的燃?xì)廨啓C(jī)和以 3000 rpm (50 Hz) 運(yùn)行的同步發(fā)電機(jī)未對準(zhǔn)的振動水平。該場景描述了使用隨機(jī)振動測試模式對振動系統(tǒng)進(jìn)行編程以產(chǎn)生的頻率和振幅。表1列出了兩種器件在目標(biāo)頻率下的幅度測量結(jié)果。

表 1.電機(jī)未對中模擬設(shè)定點(diǎn)

音調(diào) (#) 頻率(赫茲) 級別 g pk
1 50.00 0.400
2 85.00 0.400
3 100.00 0.250
4 170.00 0.250

圖2顯示了諧振頻率為21 kHz的MEMS加速度計(jì)和諧振頻率為25 kHz的PZT傳感器測量的結(jié)果頻譜。MEMS加速度計(jì)在1 kHz至10 kHz頻段內(nèi)的均方根(rms)輸出比PZT加速度計(jì)高約30 mg,即1.7%。

pYYBAGOzmmGAOW1wAAD40-S7NdA120.jpg?h=270&hash=CCAE8D7D40FEC70D78817953A3776BAB891DF566&la=en&imgver=2

圖2

圖2.PZT加速度計(jì)(上)和MEMS加速度計(jì)(下)的噪聲密度譜;在高達(dá)10 kHz時(shí),結(jié)果幾乎相同,但MEMS加速度計(jì)的低頻響應(yīng)存在關(guān)鍵差異。

與PZT器件不同,MEMS器件具有低頻響應(yīng),在0.1 Hz時(shí)為1/f,這對于風(fēng)力渦輪機(jī)等極低頻機(jī)器(也可以更快地從飽和中恢復(fù))感興趣。由于振動激勵系統(tǒng)的頻率響應(yīng)在非常低的頻率下滾落,因此通過“敲擊”測試夾具并捕獲由此產(chǎn)生的響應(yīng)來測試兩個設(shè)備的響應(yīng)。然后將記錄的時(shí)域測量轉(zhuǎn)換為頻域。結(jié)果如圖 3 所示。請注意,MEMS加速度計(jì)能夠記錄低至直流的響應(yīng)。

poYBAGOzmmSAClxMAAEkFnFzq5k661.jpg?h=270&la=en&imgver=1

圖3.兩個加速度計(jì)在點(diǎn)擊時(shí)的響應(yīng)比較。

結(jié)論

模擬輸出直接驅(qū)動DAQ的MEMS性能可與PZT傳感器相媲美。這表明MEMS加速度計(jì)非常適合重新構(gòu)建狀態(tài)監(jiān)測產(chǎn)品的輸出通道,特別是基于+5 V單電源供電半導(dǎo)體元件(如無線智能傳感器)的全新概念。

從表面上看,第一代加速度計(jì)似乎對這種應(yīng)用很有吸引力,因?yàn)樗哂懈哳l諧振(22 kHz)和±70 g、±250 g和±500 g的高滿量程范圍(FSR)。不幸的是,噪聲水平為4 mg√Hz,對于大多數(shù)狀態(tài)監(jiān)測應(yīng)用來說,這是不可接受的高。對于比較中使用的第二代器件,噪聲比第一代降低了兩個數(shù)量級,而功率降低到40%。表2總結(jié)了兩款MEMS
加速度計(jì)的性能比較,重點(diǎn)介紹了性能的改進(jìn)。

表 2.用于狀態(tài)監(jiān)測的第一代和第二代MEMS加速度計(jì)的主要規(guī)格比較

第一代加速度計(jì) 第二代加速度計(jì)
FSR ±70 至 ±500 ±50 至 ±100
F0 22千赫 21千赫
電源電流 2.5毫安 1.0毫安
自檢 是的 是的
溫度范圍 –40°C 至 +125°C –40°C 至 +125°C
5 mm × 5 mm 8 引腳 LCC 5 mm × 5 mm、
32 引腳 LFCSP
噪聲密度 4 米 √赫茲 <30 μ √赫茲

電子信號調(diào)理專業(yè)知識的融合和高分辨率MEMS加速度計(jì)的開發(fā)使性能能夠服務(wù)于狀態(tài)監(jiān)測應(yīng)用。具有低物理噪聲水平的高頻MEMS加速度計(jì),加上高性能、低噪聲和高穩(wěn)定性的信號處理設(shè)計(jì)技術(shù),解決了以前使MEMS無法提供與當(dāng)代基于PZT的狀態(tài)監(jiān)測傳感器相媲美的性能的基本限制。

審核編輯:郭婷

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