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串聯(lián)的電阻R1到底是放在靠近IC端還是靠近MOS端?

MEANWELL1982 ? 來源:硬件工程師煉成之路 ? 2022-12-30 09:37 ? 次閱讀

前一段時間有個兄弟問了個問題,把我問住了,問題是這個:

6434eca2-879d-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

如上圖,串聯(lián)的電阻R1到底是放在靠近IC端,還是靠近MOS端?(注意,圖中的L1是走線寄生電感,并不是這里放了個電感器件)

我們具體溝通的情況是這樣的:

6454d206-879d-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

這位兄弟說大部分工程師和IC原廠都是這么做的,但是沒有說為什么,我當時也不清楚。但是這個問題確實是個好問題,現(xiàn)實中的確存在。

任何一個問題都是提升技術(shù)的機會,所以,我記了下來,然后花時間看了看。

在這之前,為了讓所有兄弟都能跟上節(jié)奏,那必須先得搞清楚這個串聯(lián)的電阻是干什么用的。

簡單說,這個串聯(lián)的電阻就是抑制振蕩用的,具體怎么回事,我以前專門寫過文章,不知道的可以去瞅瞅——“LC串聯(lián)諧振的意義-MOS管柵極電阻”

真實情況如何

首先,這位兄弟說大部分都是放靠近MOS端。關(guān)于這一點,我先去求證了下,看實際情況是否真是如此?

一般這種驅(qū)動MOS的電路,開關(guān)電源電機驅(qū)動居多,因此,我就去找了這兩類IC的廠商,去看看它們的demo板是怎么Layout的。

1、TI無刷電機驅(qū)動芯片DRV8300的demo板

Demo板硬件設(shè)計可以直接在Ti官網(wǎng)下載,如下圖,可以看到,串聯(lián)電阻是放置在MOS管端的。

6473ea10-879d-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

2、Ti的POE方案TPS23753A的Demo板

原理圖如下:

64c12d34-879d-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

PCB如下圖,串聯(lián)電阻也是放置在靠近MOS管端。

64d7d8ea-879d-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

3、 MPS的無刷電機驅(qū)動芯片MP6535。

如下圖,6個MOS的柵極串聯(lián)電阻R18,R19,R20,R21,R22,R23放置在中間。

從走線長度看,Q1,Q2,Q3串聯(lián)的電阻離MOS較近,離驅(qū)動IC較遠。Q4,Q5,Q6串聯(lián)的電阻在MOS和驅(qū)動IC中間。

6506de74-879d-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

就上面3個例子來說,兄弟說的“大部分情況柵極串聯(lián)電阻靠近MOS管放置”確實是屬實的。

那我聊天記錄里面說的“放源端比較好,就像高速信號的阻抗匹配放源端”,這一點又是考慮了什么呢?

是否需要考慮阻抗匹配

考慮到阻抗匹配,那就是將信號看作是高速信號,那么到底柵極驅(qū)動信號是不是高速信號呢?

一般來說,高速信號的認定規(guī)則是這樣的:信號的上升沿小于6倍的傳輸延時。那我們大致算一下就知道是不是高速信號了。

PCB上信號傳輸速度為6inch/ns,也就是0.1524m/ns

以DRV8300為例子,可以從手冊中看到柵極驅(qū)動信號波形,如下圖的GHA就是:

654de72e-879d-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

上升沿大概是400ns,如果要將其看成是高速信號,那么需要滿足公式:

400ns<6*L/(0.1524m)

算得L>10.16m

顯然,我們的柵極走線遠小于10m,所以柵極走線不用看成是高速信號線,也就說不用考慮阻抗匹配的問題,用集總參數(shù)模型分析即可。

一般情況下,我們的柵極走線長度不會超過10cm。那么當走線是10cm時,如果要將其看成是高速信號,那么對應(yīng)的Tr<3.9ns。

我印象中,MOS管驅(qū)動電路,上升時間都不會這么小,所以,都是不用將其考慮成高速信號的了,也就是說從這個維度考慮,這個電阻不必放置到靠近源端IC。

放置到靠近MOS端有什么好處

既然不必放到靠近IC,那么放到靠近MOS有什么好處呢?

657bfc2c-879d-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

其實從上面兩個模型看來, 對于MOS柵極來說,它們收到的信號沒有任何的差別。

為什么這么說呢?因為電感和電阻始終是串聯(lián)的,如果把它們看成一個整體,阻抗就是R+jwL,對于整個電路來說完全是相同的,等效為下面這個:

658d2740-879d-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

所以,我不覺得串聯(lián)電阻靠近MOS放置有什么特別的作用。

小結(jié)

以上就是,我目前對于MOS管柵極串聯(lián)電阻放在哪兒的看法。

我覺得放在哪里無所謂,靠近MOS,靠近驅(qū)動IC都行,放中間也行,重要的總的走線長度要短(這一點在很多手冊中都有提到,主要為了降低走線寄生電感)。






審核編輯:劉清

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原文標題:PCB Layout時,MOS管柵極串聯(lián)電阻放哪兒?

文章出處:【微信號:南山掃地僧,微信公眾號:南山掃地僧】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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