5G最早的用途之一會是固定無線接入(FWA),后者能夠提供千兆級網(wǎng)速。向家庭、公寓或企業(yè)提供 FWA 所花費的時間和成本僅是傳統(tǒng)電纜/光纖安裝的一小部分。就像任何其他技術(shù)進步一樣,F(xiàn)WA 帶來了新的設(shè)計難題,讓人們需要做出新的技術(shù)決策。下面我們將深入探討在設(shè)計 FWA 系統(tǒng)時需要考慮的五個因素:
頻譜選擇:毫米波(mmWave) 或 6 GHz 以下
使用天線陣列實現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)速率
全數(shù)字或混合波束形成
功率放大器 (PA) 技術(shù)選擇:硅鍺 (SiGe) 或氮化鎵 (GaN)
從現(xiàn)有的 RF 前端 (RFFE) 產(chǎn)品組合中選擇組件
#1: 頻譜選擇:毫米波還是 6 GHz 以下
第一個要做出的決策是 FWA 使用毫米波還是 6 GHz 以下頻率:
毫米波。這類較高的頻率能夠以低成本提供大量的連續(xù)頻譜。毫米波支持寬達 400 MHz 的分量載波,能夠?qū)崿F(xiàn)千兆級數(shù)據(jù)速率。其中的挑戰(zhàn)是植被、建筑和干擾等障礙的影響會導(dǎo)致路徑損耗。但是,不要認為 FWA 只能在基站與家庭之間視線障礙較少的環(huán)境中使用。實際上,F(xiàn)WA 在城市和郊區(qū)環(huán)境下都可以表現(xiàn)良好。植被和干擾確實帶來了挑戰(zhàn),但是可以使用天線陣列提供高增益來克服這些問題。
6 GHz 以下。這類較低的頻譜有助于克服障礙物導(dǎo)致的問題,但是也要付出一定代價。由于只能提供 100 MHz 的連續(xù)頻譜,因此數(shù)據(jù)速率較低。
有效使用頻率范圍 (6 GHz 以下或毫米波)對于實現(xiàn)擴展部署來說至關(guān)重要。無論在何種情形中,進行選擇時都需要均衡考慮目標(biāo)速率與覆蓋范圍。
#2: 使用天線陣列實現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)速率
FWA 系統(tǒng)還需要采用有源天線系統(tǒng)(AAS) 和大規(guī)模 MIMO(多路輸入/多路輸出),以便提供千兆級服務(wù)。
AAS提供了許多定向天線波束。這些波束在不到一微妙的時間內(nèi)重新定向,進而實現(xiàn)波束形成,用于補償高頻率下的較大路徑損耗。
大規(guī)模 MIMO使用由數(shù)十、數(shù)百甚至數(shù)千個天線組成的陣列,能夠同時向每位用戶傳輸單個或多個數(shù)據(jù)流。這既提升了容量和可靠性,又實現(xiàn)了高數(shù)據(jù)速率和低延遲。波束形成還可以減少小區(qū)間干擾并優(yōu)化信號覆蓋。
進一步了解 AAS 和 MIMO:載波網(wǎng)絡(luò)將如何實現(xiàn)5G
#3: 全數(shù)字或混合波束形成
第三個考慮因素是采用什么類型的波束形成——全數(shù)字還是混合型。
全數(shù)字方法
在毫米波基站應(yīng)用中,最顯而易見的選擇是升級當(dāng)前的平臺。您可以探索用于 6 GHz 以下頻率的全數(shù)字波束形成大規(guī)模 MIMO 擴展平臺,但這并不是即插即用型解決方案。
全數(shù)字方法存在以下限制:
功耗。數(shù)字波束形成需要使用許多低分辨率模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC)。但是,具有高采樣頻率和標(biāo)準有效位數(shù)分辨率的 ADC 可能產(chǎn)生大量功耗。這樣的功耗會成為接收器的瓶頸。對于全數(shù)字波束形成解決方案來說,具有海量帶寬的大型 AAS 是一個巨大挑戰(zhàn)。從根本上說,功耗會限制這種設(shè)計。
在密集城市環(huán)境中需要使用二維掃描。所需的掃描范圍取決于部署場景,如下圖所示。在高密度的城市部署中,方位角(約 120°)和仰角(約 90°)方向都需要較寬的掃描范圍。對于郊區(qū)部署,仰角平面的固定或有限掃描范圍 (< 20°) 可能就足夠了。郊區(qū)部署只需有限的掃描范圍或一半的有源信道,就能夠?qū)崿F(xiàn)相同的全向性輻射功率(EIRP),從而有效降低了功耗和成本。
記住:陣列大小取決于以下方面:
掃描范圍(方位角和仰角)
所需的 EIRP
EIRP是以下幾個數(shù)值的乘積::
有源信道的數(shù)量
每個信道的傳導(dǎo)發(fā)射功率
波束形成增益(陣列系數(shù))
固有天線元件增益
為了實現(xiàn) 75 dBm 的目標(biāo) EIRP 和波束形成增益,全數(shù)字解決方案在使用當(dāng)今技術(shù)的情況下將需要 16 個收發(fā)器。這相當(dāng)于 440 W 的總功耗。但是對于戶外被動冷卻、塔頂電子設(shè)備,當(dāng) RF 子系統(tǒng)的功耗超過 300 W 時,熱管理就相當(dāng)具有挑戰(zhàn)性。因此,我們需要新的技術(shù)解決方案。
高效率的 GaN Doherty PA 和數(shù)字預(yù)失真 (DPD) 相結(jié)合或可提供所需的裕度,但是這類器件在毫米波應(yīng)用中的使用仍處于研發(fā)階段。不過也不需要太久,我們就能看到全數(shù)字波束形成解決方案。以下幾個方面的發(fā)展將會使它成為現(xiàn)實:
新一代節(jié)能的數(shù)模轉(zhuǎn)換器和模數(shù)轉(zhuǎn)換器
毫米波 CMOS 收發(fā)器進步
小信號集成度提高
混合方法
另一種方法是混合波束形成,其中預(yù)編碼和組合在基帶和 RF 前端模塊 (FEM) 區(qū)域中完成。由于 RF 鏈、模數(shù)轉(zhuǎn)換器和數(shù)模轉(zhuǎn)換器的總數(shù)量有所減少,混合波束形成既能實現(xiàn)與數(shù)字波束形成相似的性能,同時又可以節(jié)省能源并降低復(fù)雜度。
混合波束形成的另一個優(yōu)勢是,可以同時滿足郊區(qū)部署的固定或有限掃描范圍(< 20°)和高密度城市部署所需的寬方位角(約 120°)和仰角(約 90°)掃描范圍。
總的來說:全數(shù)字方法和混合方法各有利弊。我們認為,目前混合方法更具吸引力和可行性,但是在未來,即將問世的新產(chǎn)品可能會使全數(shù)字方法同樣具有吸引力。
#4: PA 技術(shù)選擇:SiGe 還是 GaN
在選擇用于 FWA 前端的技術(shù)時,需要考慮系統(tǒng)在 EIRP、天線增益和噪聲系數(shù) (NF) 方面的需求。這些都由波束形成增益確定,而波束形成增益則由陣列大小確定。目前,您可以選擇使用 SiGe 前端或 GaN 前端來滿足所需的系統(tǒng)需求。
美國聯(lián)邦通信委員會 (FCC) 已經(jīng)規(guī)定了 28 GHz 和 39 GHz 頻譜的 EIRP 最高限值,如下表所示。
為了使用均勻矩形陣列實現(xiàn) 75 dBm EIRP,每個信道的 PA 功率輸出將隨著元件數(shù)量的增加(即波束形成增益的增加)而減少。如下圖所示,隨著陣列大小變得越來越大(超過 512 個有源元件),每個元件的輸出功率將變得足夠小,以便使用 SiGe PA,然后 SiGe PA 集成至核心波束形成器 RFIC 中。
從下表可以看出,SiGe PA 可以通過 1024 個有源信道實現(xiàn) 65 dBm EIRP。但是,如果前端采用 GaN 技術(shù),則實現(xiàn)相同 EIRP 所需的信道數(shù)減少到 1/16。
GaN FWA 前端還具備以下優(yōu)點:
總功耗更低。為確保比較的準確性,GaN 功耗還包括饋入前端所需的 128 個波束形成器分支的 19.2W 功耗。如下圖所示,在目標(biāo) EIRP 為 65 dBm 時,GaN 的總功耗 (127Pdiss) 低于 SiGe。這對于塔頂系統(tǒng)設(shè)計來說較為有利。
可靠性更高。GaN 比 SiGe 更為可靠,在 200°C 結(jié)溫條件下的 MTTF 超過 107 小時。而 SiGe 的結(jié)溫限制大約為 130°C。
尺寸更小,復(fù)雜度更低。GaN 的高功率能力可以減少陣列元件數(shù)量和陣列尺寸,從而簡化了裝配過程,并縮小了整個系統(tǒng)尺寸。
總而言之:在無線基礎(chǔ)設(shè)施中,設(shè)備壽命必須至少為 10 年,因此可靠性至關(guān)重要。對于 FWA 來說,綜合考慮可靠性、成本、低功耗和陣列尺寸后,選擇 GaN 比選擇 SiGe 更好。
#5: 從現(xiàn)有的 RF 技術(shù)中選擇
最后一個考慮因素是選擇實際應(yīng)用中正在使用的產(chǎn)品解決方案。多家 RF 公司已經(jīng)有意支持研發(fā) 6 GHz 以下和厘米波/毫米波 FWA 基礎(chǔ)設(shè)施。例如,Qorvo 已經(jīng)在供應(yīng)相關(guān)產(chǎn)品,用于多個第 1 層和第 2 層供應(yīng)商現(xiàn)場試驗。在整個 RF 行業(yè),F(xiàn)WA 產(chǎn)品示例包括:
6 GHz 以下頻率產(chǎn)品:雙通道開關(guān)/LNA 模塊和集成式 Doherty PA 模塊
厘米波/毫米波:集成式發(fā)送/接收模塊
此外,在 5G 基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域中,還必須考慮以下幾個因素:
集成
滿足高溫條件下的被動冷卻需求
為了響應(yīng)這些趨勢,Qorvo 已經(jīng)打造了用于厘米波/毫米波的集成發(fā)送和接收模塊,以及集成式 GaN 前端模塊。這些集成模塊包括 PA、開關(guān)和 LNA,并且具有高增益,能夠驅(qū)動核心波束形成器 RFIC。為了滿足基礎(chǔ)設(shè)施的被動式冷卻規(guī)格要求,我們采用碳化硅基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 來支持更高的結(jié)溫條件。
有關(guān) Qorvo FWA 解決方案的更多信息,請單擊以下圖片或訪問我們的5G基礎(chǔ)設(shè)施頁面,在那里您可以找到產(chǎn)品詳細信息和交互式框圖。
進一步了解以下產(chǎn)品:
QPA3503, QPA4501, QPA2705
QPB9318, QPB9319, QPB9328, QPB9329
進一步了解以下產(chǎn)品:
TGP2100, QPC1000
TGA2594-HM
QPF4005
QPF4006
FWA 時代即將到來
FWA 已經(jīng)開始實施,很快就能實現(xiàn)完全商業(yè)化。目前,我們認為混合波束形成是最佳的解決方法。此外,GaN 與 SiGe 核心波束形成可以滿足 75 dBm 的 FCC EIRP 目標(biāo)和 100 MHz 的基站目標(biāo)。這種方法還可以最大限度地降低成本、復(fù)雜度、尺寸和功耗。
審核編輯黃昊宇
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