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納芯微推出高精度、高帶寬、寬靈敏度范圍的線性霍爾效應(yīng)電流傳感器芯片新品NSM203x系列

焦點(diǎn)訊 ? 來源:焦點(diǎn)訊 ? 作者:焦點(diǎn)訊 ? 2022-12-20 14:57 ? 次閱讀

近日,納芯微 (NOVOSENSE) 推出全新NSM203x系列線性霍爾效應(yīng)電流傳感器芯片,為基于聚磁環(huán)的大量程電流檢測(cè)提供高精度的解決方案,可被廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車電驅(qū)系統(tǒng)的相電流檢測(cè)、工業(yè)系統(tǒng)中例如工業(yè)電機(jī)控制和光伏逆變器等電流模塊的大電流檢測(cè)。

納芯微全新線性霍爾效應(yīng)電流傳感器芯片NSM203x系列

NSM203x產(chǎn)品系列包含了5個(gè)產(chǎn)品型號(hào),即NSM2031、NSM2032、NSM2033、NSM2034和NSM2035??紤]過流保護(hù)輸出、參考電壓輸出、存儲(chǔ)器類型(單次可編程OTP、可重復(fù)編程MTP)、封裝形式等多個(gè)維度,NSM203x系列可以全面覆蓋各個(gè)應(yīng)用場(chǎng)景下的不同系統(tǒng)需求。各產(chǎn)品類型均有車規(guī)和工規(guī)型號(hào),其中車規(guī)級(jí)別產(chǎn)品滿足AEC-Q100 Grade 0的可靠性要求,可在-40~150℃的嚴(yán)苛環(huán)境下勝任工作。

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表:NSM203x功能列表

高精度標(biāo)準(zhǔn),高溫度穩(wěn)定性

NSM203x系列實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的高精度與低溫漂性能,部分型號(hào)在全溫度范圍內(nèi)的靈敏度誤差小于±1%,零點(diǎn)誤差小于±5mV,非線性度誤差<±0.2%。

高帶寬,快速響應(yīng)

為了支持電控系統(tǒng)的低延時(shí)、低失真的電流采樣需求以及快速過流保護(hù),納芯微的信號(hào)調(diào)理電路設(shè)計(jì)專利可以在保證低噪聲的同時(shí),實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的高帶寬與低響應(yīng)時(shí)間。NSM203x分別有240kHz帶寬/2.2μs響應(yīng)時(shí)間, 400kHz帶寬/1.5μs響應(yīng)時(shí)間的型號(hào),過流保護(hù)時(shí)間快至1.5μs,大大降低了系統(tǒng)過載、短路等異常情況下造成重大傷害的風(fēng)險(xiǎn)。

選型靈活,支持低壓編程

NSM203x系列支持比例輸出或固定輸出,比例輸出版本輸出信號(hào)(靈敏度、零點(diǎn)電壓)隨供電電壓的變化而等比例變化;而固定輸出的版本輸出不隨著供電電壓的變化而變化,提高了在電源擾動(dòng)的應(yīng)用場(chǎng)景中的輸出穩(wěn)定性。

該系列產(chǎn)品支持較寬的靈敏度編程范圍,0.4 ~ 30 mV/G,對(duì)應(yīng)磁感應(yīng)強(qiáng)度范圍 ±150~±4500 Gauss,大大降低了用戶的磁芯設(shè)計(jì)難度、提高了競(jìng)品替代的便利性。

NSM203x全系列產(chǎn)品支持3.3V版本與5V版本,以支持不同電壓等級(jí)的控制系統(tǒng)。同時(shí),該產(chǎn)品系列支持低壓編程,在5V供電條件下采用納芯微擁有專利的單線通信協(xié)議(OWI協(xié)議)進(jìn)行OTP或MTP的編寫,不需要高壓,降低了對(duì)板上共電源的周邊元器件的影響。

多種封裝形式,兼容性強(qiáng)

TO94(X)封裝,分為厚款封裝(1.55mm)與薄款封裝(1.00mm),每種封裝均可提供多種引腳彎折形式,包括不同高度的L形彎折與V形彎折,支持PCB表貼以及客戶不同的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),是電流傳感模塊廠商和集成式電驅(qū)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的理想選擇。

多種診斷形式,行業(yè)領(lǐng)先的可靠性設(shè)計(jì)

NSM203x部分產(chǎn)品型號(hào)支持過壓保護(hù)、欠壓保護(hù)以及開路診斷,當(dāng)上述系統(tǒng)異常出現(xiàn)以后,產(chǎn)品輸出轉(zhuǎn)變?yōu)楦咦杩範(fàn)顟B(tài),客戶可通過配合外部的上拉電阻或者下拉電阻實(shí)現(xiàn)診斷高或者診斷低的目的,以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)更高的功能安全。

該產(chǎn)品系列具有業(yè)界領(lǐng)先的ESD性能,HBM模式高達(dá)±8kV,CDM模式高達(dá)±2kV,提高了在組件的生產(chǎn)制造與終端客戶應(yīng)用中的魯棒性。

審核編輯:湯梓紅

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