0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

石英坩堝和石墨坩堝升級換代 可重復(fù)利用的高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝5項(xiàng)優(yōu)勢助力我國單晶硅行業(yè)提質(zhì)增效

科技新領(lǐng)軍 ? 來源:科技新領(lǐng)軍 ? 作者:科技新領(lǐng)軍 ? 2022-12-14 16:27 ? 次閱讀

石英坩堝和石墨坩堝升級換代 可重復(fù)利用的高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝5項(xiàng)優(yōu)勢助力我國單晶硅行業(yè)提質(zhì)增效

石英坩堝在單晶硅行業(yè)的應(yīng)用

目前,國內(nèi)拉制半導(dǎo)體單晶硅和拉制光伏單晶硅常用的是石英坩堝配合石墨坩堝同時(shí)進(jìn)行的,制造單晶硅所用的石英坩堝規(guī)格通常是18英寸-36英寸的,也有個(gè)別廠家使用40英寸及以上的太陽能級石英坩堝或半導(dǎo)體級石英坩堝。

當(dāng)前國內(nèi)石英坩堝生產(chǎn)大廠的坩堝生產(chǎn)技術(shù)都比較成熟,大多采用電弧熔制法配合旋轉(zhuǎn)塑模法制作拉制單晶硅棒的石英坩堝,該方法是利用旋轉(zhuǎn)帶來的離心力使高純石英砂在潔凈環(huán)境中堆積于具有坩堝形狀模具的內(nèi)表面,再通過電弧放電加熱使堆積于內(nèi)表面的石英粉熔融、玻璃化,并最終成形為呈現(xiàn)半透明狀拉制單晶硅石英坩堝。生產(chǎn)拉制單晶硅石英坩堝具有內(nèi)外兩層結(jié)構(gòu),由于石英坩堝內(nèi)層影響最終的單晶硅片質(zhì)量,所以一般采用進(jìn)口美國高純石英砂或挪威高純石英砂,石英坩堝外層主要用來散熱,所以使用國產(chǎn)石英砂通常就能滿足需求。

拉制單晶硅的石英坩堝的不足之處

由于經(jīng)涂層技術(shù)處理后石英坩堝僅能一次性使用,每拉制一爐單晶硅就需要更換一個(gè)石英坩堝。可以這么說,石英坩堝就是用來裝高溫狀態(tài)下硅原料的容器件,是光伏硅片和半導(dǎo)體硅片加工環(huán)節(jié)中的關(guān)鍵耗材,也是硅片品質(zhì)的重要保障,所以說石英坩堝是拉制單晶硅棒不可或缺的耗材和剛需。

當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)占據(jù)超過60%的單晶硅片需求量,但是近兩年由于新能源太陽能光伏電池行業(yè)需求大爆發(fā),進(jìn)口高純石英砂和國產(chǎn)純石英砂在新能源太陽能光伏電池行業(yè)需求推動下,石英砂價(jià)格一路上行,進(jìn)口高純石英砂因?yàn)樵蠅艛喔窬?,價(jià)格更是蹭蹭往上漲。據(jù)業(yè)內(nèi)資深人士透露,由于石英砂原料價(jià)格上漲,目前一個(gè)石英坩堝的價(jià)格在1.2萬元左右,大約是去年同期的3倍還多。

pYYBAGOZh6-Af0efAAGPWmXao8E571.png

▲石英坩堝配合石墨坩堝同時(shí)應(yīng)用于拉制單晶硅棒

受進(jìn)口高純石英砂原料壟斷格局的影響,石英坩堝不僅價(jià)格高而且質(zhì)脆易破,在使用溫度下易軟化,需配合石墨坩堝同時(shí)使用,這種石英坩堝+石墨坩堝方式廣泛應(yīng)用于太陽能和半導(dǎo)體領(lǐng)域拉制大直徑單晶硅棒的生產(chǎn)工藝中,石英坩堝+石墨坩堝方式支持高溫條件下連續(xù)拉制大直徑單晶硅棒的生產(chǎn)工藝不僅造成資源浪費(fèi),增加回收成本,同時(shí)增加了單晶硅的生產(chǎn)成本,不利于單晶硅氧含量的降低和太陽能光伏電池的轉(zhuǎn)化效率的提升。

尋找新的材料,開發(fā)節(jié)能降耗的坩堝,以降低單晶硅生產(chǎn)成本、提高單晶硅片的品質(zhì)與電池的轉(zhuǎn)換效率是當(dāng)前太陽能光伏行業(yè)和半導(dǎo)體單晶硅片行業(yè)內(nèi)研究和產(chǎn)業(yè)化關(guān)注的重點(diǎn)。

氮化硅坩堝是拉制單晶硅棒或熔煉多晶硅錠中使用的石英坩堝升級迭代產(chǎn)品

在單晶硅或多晶硅鑄造過程中,影響多晶硅錠或單晶硅棒質(zhì)量主要是雜質(zhì),雜質(zhì)的一個(gè)主要來源是熔煉多晶硅錠或拉制單晶硅棒中使用的石英坩堝,液態(tài)硅在高溫下嚴(yán)重侵蝕石英坩堝,其反應(yīng)方程式如下:

Si+SIO2→2SiO

部分SiO從硅熔體表面揮發(fā),部分SiO在硅熔體中分解,其反應(yīng)方程式如下:

SiO→Si+O

石英分解的氧便進(jìn)入熔體中,最終引入硅晶體,石英分解的氧成為影響多晶硅錠或單晶硅棒質(zhì)量的有害物質(zhì)。

在單晶硅或多晶硅鑄造過程中,熔煉多晶硅錠或拉制單晶硅棒中如果直接使用的氮化硅坩堝,則不存在石英坩堝此類情況。氮在硅晶體中不是一種重要雜質(zhì),在物理法多晶硅的生產(chǎn)過程中還有不少廠家是使用氮?dú)獗Wo(hù),由于氮氧復(fù)合體是淺能級,且氮的固溶度很低,所以對單晶硅或多晶硅材料影響不大。

氮化硅是強(qiáng)共價(jià)化合物,化學(xué)性能穩(wěn)定,耐高溫性能及致密性好;氮化硅自擴(kuò)散系數(shù)低,抗雜質(zhì)擴(kuò)散和防水汽滲入透過能力強(qiáng);氮化硅具有良好的抗腐蝕、抗氧化、耐摩擦、自潤滑等性能;氮化硅不與熔融硅Si發(fā)生反應(yīng),與Si硅熔液不粘連,具有優(yōu)異的抗侵蝕性和可脫離性。

目前單晶硅和多晶硅燒結(jié)工藝,是向石英坩堝內(nèi)表面噴涂一層高純氮化硅粉制成的漿料,其作用一是便于成品脫膜;二是提高制成品的透明度和色澤的一致性。

在導(dǎo)熱性能方面,拉制單晶硅的石英坩堝與無氧氮化硅坩堝顯然不在一個(gè)層級上。無氧氮化硅坩堝導(dǎo)熱系數(shù)最高幾十倍于石英坩堝,使用高純度高導(dǎo)熱無氧氮化硅坩堝替代石英坩堝,在拉制單晶硅時(shí)可以大幅壓縮熔硅時(shí)間和隨爐冷卻時(shí)間,不僅生產(chǎn)效率得以提高,而且用電量也得以減少,節(jié)省能源和生產(chǎn)運(yùn)行成本。

與石英坩堝相比,可重復(fù)使用的高純度高導(dǎo)熱無氧氮化硅坩堝還具有優(yōu)異高溫性能和抗熱震性,而優(yōu)異高溫性能和抗熱震性為實(shí)現(xiàn)連續(xù)拉晶投料提供了有效的性能保障,連續(xù)拉晶投料不僅可以實(shí)現(xiàn)縮短單晶硅制備時(shí)間周期,提高產(chǎn)量和生產(chǎn)效率,而且還避免了反復(fù)進(jìn)行熔硅、降溫開爐等工序,也將使拉制單晶硅的用電量進(jìn)一步降低。

使用的氮化硅坩堝熔煉多晶硅錠或拉制單晶硅棒有如此多優(yōu)勢,國內(nèi)已有廠家在熔煉多晶硅錠或拉制單晶硅棒的石英坩堝上使用氮化硅涂層,由此可以說,一步到位無需氮化硅涂層,可重復(fù)利用的高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝是熔煉多晶硅錠或拉制單晶硅棒中使用的石英坩堝升級迭代產(chǎn)品。

氮化硅坩堝與石英坩堝的物理性能指標(biāo)對比

poYBAGOZh6-AQ5CBAAC2uZ5rykc535.png

可重復(fù)利用的高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝助力我國單晶硅行業(yè)發(fā)展

威海圓環(huán)先進(jìn)陶瓷股份有限公司是一家專業(yè)從事Si?N?可重復(fù)利用的高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝、高熱導(dǎo)率氮化硅陶瓷基板、氮化硅微珠、氮化硅陶瓷球、氮化硅陶瓷結(jié)構(gòu)件、氮化硅陶瓷磨介等系列氮化硅精密陶瓷材料的生產(chǎn)企業(yè)。

pYYBAGOZh7CAJpifAAji6xJqrCM600.png

▲威海圓環(huán)生產(chǎn)的可重復(fù)利用的高純度高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝

威海圓環(huán)為突破現(xiàn)有的氮化硅坩堝尺寸及熱導(dǎo)率,現(xiàn)已開發(fā)出可在太陽能光伏新能源行業(yè)和集成電路芯片半導(dǎo)體領(lǐng)域重復(fù)利用的高純度高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝。威海圓環(huán)制備的高純度、高熱導(dǎo)氮化硅坩堝,可重復(fù)多次使用,避免了石英坩堝一次性使用造成的資源浪費(fèi),且其高熱導(dǎo)及耐高溫性能優(yōu)越,抗壓強(qiáng)度及抗折強(qiáng)度高可以替代石英坩堝+石墨坩堝的雙層作用,可降低單晶硅棒的氧含量,不僅提高太陽能電池轉(zhuǎn)換效率,而且對單晶硅性能起到積極作用,極大地提高硅晶圓產(chǎn)品產(chǎn)量、質(zhì)量和降低生產(chǎn)成本。

威海圓環(huán)制備的可重復(fù)多次使用的高純度、高熱導(dǎo)氮化硅坩堝可以實(shí)現(xiàn)與硅錠輕松脫落不粘硅,并能大幅提高單晶硅棒制成品的色澤的一致性和透明度。

威海圓環(huán)的無氧氮化硅坩堝可以制備出氧含量極低的高品質(zhì)單晶硅棒,可以完全克服由于石英坩堝中氧原子對單晶硅棒的氧施主效應(yīng)的缺陷,以及硼氧復(fù)合體存在所造成太陽能光伏電池的光致衰減等固有缺點(diǎn)。

然而,目前燒結(jié)大尺寸氮化硅陶瓷坩堝需要大口徑和壓力的冷等靜壓機(jī)和爐體內(nèi)腔尺寸足夠大的氣氛氣壓燒結(jié)爐等各種成型方式大型專業(yè)設(shè)備。更大規(guī)格的坩堝需要更大腔體的燒結(jié)爐來燒結(jié)制成,特大型專業(yè)設(shè)備限制了大口徑大尺寸氮化硅陶瓷坩堝的生產(chǎn)和使用。因此,購置和開發(fā)出符合要求的特大尺寸的成型和燒結(jié)專業(yè)裝備是當(dāng)務(wù)之急。

威海圓環(huán)可重復(fù)利用的高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝可以按照用戶特殊要求定制。關(guān)于大尺寸、超大尺寸可重復(fù)利用的高純度高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝性能、規(guī)格、技術(shù)參數(shù),配套氮化硅陶瓷結(jié)構(gòu)件等問題——威海圓環(huán) 顏輝 l86O64ll446隨時(shí)歡迎各位同行、各位同仁交流探討!我們一起解決問題,一起學(xué)習(xí)各種設(shè)備或大型工業(yè)裝置關(guān)鍵部件改進(jìn)新技術(shù)、新方法。隨時(shí)歡迎可重復(fù)利用的高純度高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝、配套耐磨損氮化硅陶瓷結(jié)構(gòu)件、耐高溫氮化硅陶瓷結(jié)構(gòu)件、耐高溫氮化硅陶瓷結(jié)構(gòu)件、高硬度氮化硅陶瓷結(jié)構(gòu)件加工定制,按用戶特殊要求定制。石英坩堝和石墨坩堝升級換代 可重復(fù)利用的高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝5項(xiàng)優(yōu)勢助力我國單晶硅行業(yè)提質(zhì)增效。

威海圓環(huán)多年來與國內(nèi)在精密陶瓷材料領(lǐng)域具有一定權(quán)威和建樹的高等院校和科研機(jī)構(gòu)建立了校企研發(fā)合作關(guān)系,擁有了一批多年從事研制、開發(fā)的中高級技術(shù)人員和管理人員,使我們具有精湛的技術(shù)、嚴(yán)謹(jǐn)?shù)闹螌W(xué)態(tài)度、高度的敬業(yè)精神、高效的管理水平。威海圓環(huán)公司研發(fā)及生產(chǎn)測試團(tuán)隊(duì)具有豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn),核心工程師擁有十余年的精密陶瓷技術(shù)積累和強(qiáng)大的應(yīng)用開發(fā)能力。威海圓環(huán)始終致力于高性能及高可靠性氮化硅陶瓷設(shè)計(jì)開發(fā)和生產(chǎn)銷售,打造可重復(fù)利用的高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝生產(chǎn)領(lǐng)軍品牌,持續(xù)通過技術(shù)創(chuàng)新為客戶及時(shí)提供高性價(jià)比的氮化硅陶瓷材料產(chǎn)品和服務(wù)。

石英坩堝和石墨坩堝升級換代 可重復(fù)利用的高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝5項(xiàng)優(yōu)勢助力我國單晶硅行業(yè)提質(zhì)增效(顏輝)

審核編輯黃昊宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    334

    文章

    27580

    瀏覽量

    220549
  • 單晶硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    7

    文章

    191

    瀏覽量

    28310
  • 氮化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    73

    瀏覽量

    325
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    電源濾波器的升級換代對性能提升有多大空間?

    電源濾波器升級換代提升濾波效果、過載能力及智能化,適應(yīng)復(fù)雜電源環(huán)境,保障電子設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行,助力電子科技行業(yè)發(fā)展,未來將繼續(xù)優(yōu)化材料、結(jié)構(gòu),注重綠色設(shè)計(jì)。
    的頭像 發(fā)表于 01-15 10:57 ?24次閱讀
    電源濾波器的<b class='flag-5'>升級換代</b>對性能提升有多大空間?

    國產(chǎn)替代新材料 | 先進(jìn)陶瓷材料

    國產(chǎn)化率約為40%。高端氮化硅陶瓷產(chǎn)品在一些關(guān)鍵性能指標(biāo)上與國外仍有差距,部分依賴進(jìn)口,但中低端產(chǎn)品已基本實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化,國內(nèi)企業(yè)在技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)工藝上不斷進(jìn)步,逐步
    的頭像 發(fā)表于 01-07 08:20 ?148次閱讀
    國產(chǎn)替代新材料 | 先進(jìn)<b class='flag-5'>陶瓷</b>材料

    芯片制造工藝:晶體生長、成形

    1.晶體生長基本流程下圖為從原材料到拋光晶圓的基本工藝流程:2.單晶硅的生長從液態(tài)的熔融中生長單晶硅的及基本技術(shù)稱為直拉法(Czochralski)。半導(dǎo)體工業(yè)中超過90%的單晶硅
    的頭像 發(fā)表于 12-17 11:48 ?337次閱讀
    芯片制造工藝:晶體生長、成形

    為什么晶圓是圓的?芯片是方的?

    )上旋轉(zhuǎn)生長出來的。多晶被融化后放入一個(gè)坩堝(QuartzCrucible)中,再將子晶放入坩堝中勻速轉(zhuǎn)動并且向上拉,則熔融的會沿著子
    的頭像 發(fā)表于 12-16 17:28 ?229次閱讀
    為什么晶圓是圓的?芯片是方的?

    氮化硅薄膜的特性及制備方法

    氮化硅(Si?N?)薄膜是一種高性能介質(zhì)材料,在集成電路制造領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。作為非晶態(tài)絕緣體,氮化硅薄膜不僅介電特性優(yōu)于傳統(tǒng)的二氧化硅,還具備對移動離子的強(qiáng)阻擋能力、結(jié)構(gòu)致密
    的頭像 發(fā)表于 11-29 10:44 ?505次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>薄膜的特性及制備方法

    氮化硅薄膜制備方法及用途

    一、氮化硅薄膜制備方法及用途 氮化硅(Si3N4)薄膜是一種應(yīng)用廣泛的介質(zhì)材料。作為非晶態(tài)絕緣體,氮化硅薄膜的介電特性優(yōu)于二氧化硅,具有對
    的頭像 發(fā)表于 11-24 09:33 ?551次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>薄膜制備方法及用途

    天水華天傳感器CYB系列單晶硅與無線壓力變送器產(chǎn)品介紹

    在現(xiàn)代工業(yè)和科技應(yīng)用中,單晶硅技術(shù)和無線壓力變送器技術(shù)的發(fā)展正扮演著至關(guān)重要的角色。單晶硅以其優(yōu)異的物理特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域而備受關(guān)注。而無線壓力變送器則代表了壓力測量領(lǐng)域的創(chuàng)新進(jìn)展,為工業(yè)生產(chǎn)和智能化系統(tǒng)的發(fā)展提供了重要支持。
    的頭像 發(fā)表于 09-09 14:25 ?517次閱讀

    東芝 BiCD 單晶硅集成電路TB6560AHQ/AFG規(guī)格數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《東芝 BiCD 單晶硅集成電路TB6560AHQ/AFG規(guī)格數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 05-22 14:09 ?0次下載

    單晶硅的少子壽命是指什么?表面形態(tài)對單晶硅少子壽命有何影響?

    單晶硅的少子壽命是指非平衡少數(shù)載流子(電子或空穴)在半導(dǎo)體材料中從產(chǎn)生到消失(即通過復(fù)合過程失去)的平均時(shí)間。
    的頭像 發(fā)表于 04-19 16:11 ?3513次閱讀
    <b class='flag-5'>單晶硅</b>的少子壽命是指什么?表面形態(tài)對<b class='flag-5'>單晶硅</b>少子壽命有何影響?

    單晶硅電阻率的控制原理介紹

    本文介紹了摻雜其他元素的目的、分凝現(xiàn)象、電阻率與摻雜濃度之間的關(guān)系、共摻雜技術(shù)等知識,解釋了單晶硅電阻率控制原理。
    的頭像 發(fā)表于 04-07 09:33 ?2023次閱讀
    <b class='flag-5'>單晶硅</b>電阻率的控制原理介紹

    單晶硅壓力變送器和擴(kuò)散的區(qū)別

    在現(xiàn)代工業(yè)控制領(lǐng)域中,傳感器作為感知的核心元件,其性能的優(yōu)劣直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。而單晶硅和擴(kuò)散壓力變送器作為壓力測量領(lǐng)域的兩大主流。更是受到越來越多企業(yè)、工程師的青睞。那么今天浙江
    的頭像 發(fā)表于 03-15 11:53 ?1118次閱讀
    <b class='flag-5'>單晶硅</b>壓力變送器和擴(kuò)散<b class='flag-5'>硅</b>的區(qū)別

    晶體制備技術(shù):碳化硅襯底成本降低的關(guān)鍵路徑

    液相法的核心在于使用石墨坩堝作為反應(yīng)器,通過在熔融純中加入助溶劑,提高其對碳的溶解度。在坩堝靠近壁面的高溫區(qū)域,碳溶解于熔融
    發(fā)表于 02-20 14:29 ?824次閱讀
    晶體制備技術(shù):碳<b class='flag-5'>化硅</b>襯底成本降低的關(guān)鍵路徑

    擴(kuò)散、單晶硅、電容式壓力差壓變送器的區(qū)別與選擇

    擴(kuò)散、單晶硅、電容式壓力差壓變送器的區(qū)別與選擇? 擴(kuò)散、單晶硅和電容式壓力差壓變送器是常用于工業(yè)領(lǐng)域中測量流體壓力的儀器。它們各自具有不同的特點(diǎn)和適用場景。下面將詳細(xì)介紹這三種壓力
    的頭像 發(fā)表于 01-30 15:06 ?5889次閱讀

    怎么選擇擴(kuò)散壓力變送器、單晶硅壓力變送器、電容式壓力變送器

    怎么選擇擴(kuò)散壓力變送器、單晶硅壓力變送器、電容式壓力變送器? 選擇擴(kuò)散壓力變送器、單晶硅壓力變送器和電容式壓力變送器是根據(jù)應(yīng)用場景和具體要求進(jìn)行的。下面將詳細(xì)介紹這三種壓力變送器的
    的頭像 發(fā)表于 01-30 15:06 ?1838次閱讀

    激光材料之王:為何陶瓷成首選?

    目前常用的固體激光基質(zhì)材料有三種主要類型:玻璃、單晶陶瓷。在這些材料中,陶瓷因其低熱膨脹系數(shù)和低折射率等特性,受到高功率激光器青睞。高功率激光器的使用會產(chǎn)生熱梯度,而熱梯度會導(dǎo)致光束畸變或熱雙折射
    的頭像 發(fā)表于 01-18 09:32 ?652次閱讀
    激光材料之王:為何<b class='flag-5'>陶瓷</b>成首選?