搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統(tǒng)消息
      • 評(píng)論與回復(fù)
      VIP于 到期 續(xù)費(fèi)
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學(xué)習(xí)在線課程
      • 觀看技術(shù)視頻
      • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
      會(huì)員中心
      創(chuàng)作中心
      發(fā)布
      創(chuàng)作活動(dòng)

      完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>

      3天內(nèi)不再提示

      8Gbps DDR5內(nèi)存來(lái)襲，聯(lián)合設(shè)計(jì)是否會(huì)成為常態(tài)？

      lPCU_elecfans ? 來(lái)源：未知 ? 2022-12-12 07:10 ? 次閱讀
      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）在服務(wù)器面臨的內(nèi)存容量和帶寬限制下，不少新設(shè)計(jì)的服務(wù)器都選了集成多個(gè)DIMM內(nèi)存插槽，將單個(gè)服務(wù)器的最高內(nèi)存擴(kuò)充至TB級(jí)，力求打破“內(nèi)存墻”。DIMM這種內(nèi)存模塊基于原生的64位數(shù)據(jù)通道，可以提供更快的速率，也隨著DDR4、DDR5等內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)展，迎來(lái)了更大的帶寬。
      根據(jù)Exactitude Consultancy的統(tǒng)計(jì)，從2021年到2026年，全球DIMM市場(chǎng)將實(shí)現(xiàn)22%的年復(fù)合增長(zhǎng)率，總市值在2026年突破100億美元。三星、SK海力士、美光等廠商也都紛紛在近年推出新品，爭(zhēng)搶快速增長(zhǎng)的服務(wù)器市場(chǎng)份額，除了自身跟進(jìn)CXL等新技術(shù)的同時(shí)，也有的廠商選了與CPU、SPD廠商聯(lián)手提升內(nèi)存性能。

      DDR5 DIMM

      2021年7月，JEDEC發(fā)布了JESD79-5這一DDR5 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)，這也昭示著服務(wù)器內(nèi)存正式開始轉(zhuǎn)向DDR5 DIMM。在新的標(biāo)準(zhǔn)中，DDR5內(nèi)存接口芯片改善了從主機(jī)內(nèi)存控制器發(fā)往DIMM的指令與地址信號(hào)完整性。
      DDR5 DIMM的芯片組將上一代的DDR4 SPD IC換成了一個(gè)SPD Hub IC和兩個(gè)溫度傳感器IC，而SPD Hub IC內(nèi)部本身也有集成的溫度傳感器。通信總線也從DDR4的I2C換成了I3C，速度有了10倍的提升，加強(qiáng)了實(shí)時(shí)控制。
      更重要的是DDR5本身支持片上ECC這樣的高級(jí)RAS特性，與標(biāo)準(zhǔn)的ECC不同，片上ECC主要用于解決越來(lái)越先進(jìn)的制造工藝下提高良率的問(wèn)題，保護(hù)DRAM內(nèi)存陣列中的數(shù)據(jù)完整性，而不會(huì)去防止內(nèi)存控制器與內(nèi)存模組之間傳輸數(shù)據(jù)時(shí)可能會(huì)發(fā)生的錯(cuò)誤。也正因如此，片上ECC更像是一個(gè)降低DDR5成本的手段。

      最快服務(wù)器內(nèi)存模塊面世

      近日，SK海力士宣布他們已經(jīng)開發(fā)出了DDR5 MCR DIMM的工程樣品，并將其稱為市面上最快的DRAM產(chǎn)品。這一新產(chǎn)品的速率最低也有8Gbps，比已有的4.8Gbps DDR5內(nèi)存要快上80%。
      根據(jù)SK海力士的介紹，MCR DIMM是由他們與英特爾、瑞薩聯(lián)合開發(fā)的產(chǎn)品。MCR DIMM設(shè)計(jì)之初的目的就是為了提高DDR5運(yùn)行速度，解決過(guò)去速率完全依賴于DRAM芯片的問(wèn)題，而MCR則是通過(guò)提升整個(gè)模塊的速度而不是單個(gè)RCD芯片的速度，從而為服務(wù)器提供性能最強(qiáng)的內(nèi)存產(chǎn)品。

      MCR DIMM DDR5內(nèi)存 / SK海力士
      MCR全名為Multiplexer Combined Ranks，即復(fù)用組合Rank，SK海力士稱這是來(lái)自英特爾的技術(shù)，在主板上連接多個(gè)DRAM芯片的同時(shí)，利用數(shù)據(jù)緩沖器讓兩面的rank同時(shí)工作來(lái)提高速度。如此一來(lái)就能將每個(gè)rank傳輸?shù)?4字節(jié)數(shù)據(jù)，變成組合傳輸128字節(jié)的數(shù)據(jù)，傳輸給CPU的速率達(dá)到最小8Gbps，也就是近乎單個(gè)DRAM速率的兩倍。
      當(dāng)然了，盡管SK海力士宣稱MCR DIMM的帶寬要比傳統(tǒng)DDR5 DIMM高出66%，等同于所謂的DDR5-8000，速率也要高上80%，但并沒有給出具體的測(cè)試條件，比如是否需要用到英特爾的Xeon處理器等等。所以實(shí)際應(yīng)用中可能不會(huì)獲得同樣的性能提升，但單單是紙面參數(shù)上的提升就已經(jīng)相當(dāng)驚艷了。

      小結(jié)

      從SK海力士展示的新一代DDR5 DIMM內(nèi)存來(lái)看，未來(lái)內(nèi)存性能的突破可能不只在存儲(chǔ)廠商的工藝、封裝上，也可以從結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、電源管理等方向突破，就像MCR DIMM中英特爾提供的MCR技術(shù)，來(lái)自瑞薩的緩存技術(shù)等。更何況現(xiàn)在還只是DDR5剛剛發(fā)力的早期，未來(lái)的DDR5已經(jīng)定下了8800MT/s的超高指標(biāo)，如果能夠結(jié)合MCR這類技術(shù)的話，DDR5說(shuō)不定可以同時(shí)在容量和帶寬上找到比HBM更大的優(yōu)勢(shì)。

      聲明：本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng)，轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明以上來(lái)源。如需入群交流，請(qǐng)?zhí)砑游⑿舉lecfans999，投稿爆料采訪需求，請(qǐng)發(fā)郵箱huangjingjing@elecfans.com。


      更多熱點(diǎn)文章閱讀

      • 馬斯克：預(yù)計(jì)6個(gè)月后進(jìn)行大腦芯片的人體試驗(yàn)，愿意給自己孩子植入
      • 硅料降價(jià)拐點(diǎn)來(lái)臨，光伏市場(chǎng)有望重啟裝機(jī)潮
      • 造車新勢(shì)力11月銷量：哪吒第一，蔚理進(jìn)前三，小鵬依舊墊底
      • 行業(yè)機(jī)構(gòu)頻發(fā)警報(bào) 2023年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)面臨下滑風(fēng)險(xiǎn)
      • 富士康失去iPhone 14 Pro獨(dú)家代工資格！立訊和碩上位，果鏈格局大變？

      原文標(biāo)題：8Gbps DDR5內(nèi)存來(lái)襲，聯(lián)合設(shè)計(jì)是否會(huì)成為常態(tài)？

      文章出處：【微信公眾號(hào)：電子發(fā)燒友網(wǎng)】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

      原文標(biāo)題：8Gbps DDR5內(nèi)存來(lái)襲，聯(lián)合設(shè)計(jì)是否會(huì)成為常態(tài)？

      文章出處：【微信號(hào)：elecfans，微信公眾號(hào)：電子發(fā)燒友網(wǎng)】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

      收藏 人收藏

        評(píng)論

        相關(guān)推薦

        國(guó)產(chǎn)DDR5內(nèi)存上市,內(nèi)存市場(chǎng)價(jià)格戰(zhàn)一觸即發(fā)

        隨著國(guó)產(chǎn)DDR5內(nèi)存的上市，內(nèi)存市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)即將迎來(lái)新的變化。DRAM內(nèi)存作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的明星產(chǎn)品，據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)Trendforce預(yù)估，2024年全球DRAM
        的頭像 發(fā)表于 01-07 15:53 ?357次閱讀

        雷克沙推出全新戰(zhàn)神之翼系列DDR5內(nèi)存條

        近期，雷克沙重磅推出全新戰(zhàn)神之翼系列 DDR5 內(nèi)存條 ——ARESRGB DDR5 6000C26。此款內(nèi)存條專為 AMD 平臺(tái)精心定制，具備卓越性能，不僅精準(zhǔn)契合 AMD 官方力薦
        的頭像 發(fā)表于 12-12 14:51 ?425次閱讀

        DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異

        DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異 隨著技術(shù)的發(fā)展，內(nèi)存技術(shù)也在不斷進(jìn)步。DDR5
        的頭像 發(fā)表于 11-29 14:58 ?697次閱讀

        瑞薩電子發(fā)布全新DDR5 MRDIMM內(nèi)存接口芯片組

        全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）宣布率先推出面向第二代DDR5多容量雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）的完整內(nèi)存接口芯片組解決方案。
        的頭像 發(fā)表于 11-22 18:09 ?452次閱讀

        DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 DDR5和DDR4的主要區(qū)別

        DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 1. DDR5內(nèi)存簡(jiǎn)介 DDR5（Double Data Rate 5
        的頭像 發(fā)表于 11-22 15:38 ?1716次閱讀

        DDR5內(nèi)存面臨漲價(jià)潮，存儲(chǔ)巨頭轉(zhuǎn)向HBM生產(chǎn)

        近日，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)傳來(lái)重大消息，SK海力士正式通知市場(chǎng)，其DDR5內(nèi)存產(chǎn)品將漲價(jià)15%至20%，這一舉動(dòng)無(wú)疑給市場(chǎng)投下了一枚震撼彈。此次漲價(jià)的根源在于，SK海力士、美光、三星等存儲(chǔ)芯片巨頭紛紛調(diào)整
        的頭像 發(fā)表于 08-15 10:19 ?807次閱讀

        Introspect DDR5/LPDDR5總線協(xié)議分析儀

        DDR5 RDIMM及支持下一代MR-DIMM單體測(cè)試驗(yàn)證系統(tǒng) (DDR5 MR-DIMM Module Test System), 支持的速率可高達(dá)17.4Gbps. DDR5
        發(fā)表于 08-06 12:03

        DDR5 MRDIMM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)將發(fā)，存儲(chǔ)廠商方案先行

        MRDIMM產(chǎn)品的研發(fā)，并發(fā)布了相關(guān)產(chǎn)品方案。DDR5 MRDIMM將為下一代高性能計(jì)算、AI應(yīng)用提供動(dòng)力。JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)提到，DDR5多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊（Multiplexed
        的頭像 發(fā)表于 07-31 18:26 ?5388次閱讀
        <b class='flag-5'>DDR5</b> MRDIMM<b class='flag-5'>內(nèi)存</b>標(biāo)準(zhǔn)將發(fā)，存儲(chǔ)廠商方案先行

        DDR5內(nèi)存條上的時(shí)鐘走線

        DDR5標(biāo)準(zhǔn)JESD79-5文件中沒有明確的控制阻抗建議,DDR4時(shí)代基本內(nèi)存條上時(shí)鐘阻抗還是跟著芯片、主板走的70-80歐姆。線寬相對(duì)而言比較細(xì)。不知道你開始使用
        的頭像 發(fā)表于 07-16 17:47 ?2024次閱讀
        <b class='flag-5'>DDR5</b><b class='flag-5'>內(nèi)存</b>條上的時(shí)鐘走線

        0706線下活動(dòng) I DDR4/DDR5內(nèi)存技術(shù)高速信號(hào)專題設(shè)計(jì)技術(shù)交流活動(dòng)

        01活動(dòng)主題DDR4/DDR5內(nèi)存技術(shù)高速信號(hào)專題設(shè)計(jì)技術(shù)交流活動(dòng)時(shí)間：2024年7月6日（本周六）10：00地點(diǎn)：深圳市南山區(qū)科技南十二路曙光大廈1002（深圳地鐵1號(hào)線，高新園地鐵站D出口200
        的頭像 發(fā)表于 07-06 08:12 ?382次閱讀
        0706線下活動(dòng) I <b class='flag-5'>DDR</b>4/<b class='flag-5'>DDR5</b><b class='flag-5'>內(nèi)存</b>技術(shù)高速信號(hào)專題設(shè)計(jì)技術(shù)交流活動(dòng)

        Rambus 通過(guò) DDR5 服務(wù)器 PMIC 擴(kuò)展適用于高級(jí)數(shù)據(jù)中心內(nèi)存模塊的芯片組

        提供業(yè)界領(lǐng)先的 DDR5 服務(wù)器 PMIC，滿足AI及其他高級(jí)工作負(fù)載對(duì)最高性能與容量內(nèi)存模塊的需求 通過(guò)全新PMIC系列支持多代基于 DDR5 的高性能服務(wù)器 為 DDR5 服務(wù)器
        發(fā)表于 06-21 11:29 ?318次閱讀
        Rambus 通過(guò) <b class='flag-5'>DDR5</b> 服務(wù)器 PMIC 擴(kuò)展適用于高級(jí)數(shù)據(jù)中心<b class='flag-5'>內(nèi)存</b>模塊的芯片組

        南亞科技明年初試產(chǎn)DDR5內(nèi)存顆粒，四款1Bnm制程DRAM產(chǎn)品已投產(chǎn)

        據(jù)悉，現(xiàn)有的南亞科技已投入8/4Gb DDR4內(nèi)存以及16Gb DDR5內(nèi)存的1B nm制程試生產(chǎn)中。他們計(jì)劃下半年少量推出
        的頭像 發(fā)表于 05-30 15:41 ?1051次閱讀

        談?wù)?b class='flag-5'>DDR5技術(shù)規(guī)格的那些事

        沒有ECC模組下提供類似糾錯(cuò)功能。Chrent「理所當(dāng)然」的提升數(shù)據(jù)傳輸率初期DDR5可提供超過(guò)DDR450%數(shù)據(jù)傳輸率，最終預(yù)期可達(dá)2.6倍8.4Gbps。回顧
        的頭像 發(fā)表于 05-09 08:27 ?1044次閱讀
        談?wù)?b class='flag-5'>DDR5</b>技術(shù)規(guī)格的那些事

        DDR5內(nèi)存接口芯片組如何利用DDR5 for DIMM的優(yōu)勢(shì)？

        2021 年，JEDEC 宣布發(fā)布 JESD79-5 DDR5 SDRAM 標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)志著行業(yè)向 DDR5 dual-inline memory modules （DIMM） 的過(guò)渡。
        的頭像 發(fā)表于 03-17 09:50 ?3187次閱讀
        <b class='flag-5'>DDR5</b><b class='flag-5'>內(nèi)存</b>接口芯片組如何利用<b class='flag-5'>DDR5</b> for DIMM的優(yōu)勢(shì)？

        瀾起科技：DDR5第三子代RCD芯片將隨新一代CPU平臺(tái)規(guī)模出貨

        瀾起科技近日在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)分享了關(guān)于DDR5內(nèi)存子代RCD芯片的最新動(dòng)態(tài)。據(jù)瀾起科技預(yù)測(cè)，DDR5第二子代RCD芯片的需求將在2024年超過(guò)第一子代RCD芯片。更進(jìn)一步，DDR5第三
        的頭像 發(fā)表于 02-02 10:27 ?1033次閱讀