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優(yōu)晶N溝道MOSFET YC40N04BDE用于PCR儀TEC控制

2234303793 ? 來源:國芯思辰 ? 作者:國芯思辰 ? 2022-12-08 10:32 ? 次閱讀

YC40N04BDE是優(yōu)晶推出的N溝道MOSFET,該芯片具有小尺寸、低壓大電流等特點,廣泛應(yīng)用在DC/DC轉(zhuǎn)換、服務(wù)器的板載電源以及同步整流線路中。

某客戶在PCR項目TEC控制部分需要用到4個N溝道場效應(yīng)管來控制TEC,客戶想要了解一些國產(chǎn)廠牌的MOS,因此國芯思辰給其推薦了優(yōu)晶的N溝道場效應(yīng)管YC40N04BDE。

YC40N04BDE具有以下特點:

1、采用溝槽型功率中壓MOSFET技術(shù),VDS耐壓可以達(dá)到40V,ID可以達(dá)到40A,對于低壓設(shè)計留有足夠的余量。

2、采用高密度單元設(shè)計,RDS(on) 低至8mΩ(VGS=10V),極低的導(dǎo)通電阻,可以減少開關(guān)損耗。

3、工作溫度在-55℃-150℃之間,有較強(qiáng)的環(huán)境溫度適應(yīng)性,可以適用于低溫或者高溫的環(huán)境。

4、采用DFN3*3封裝,具有較強(qiáng)的散熱能力。

封裝示意圖:

1a15aa14-7602-11ed-8abf-dac502259ad0.png

綜上,YC40N04BDE在性能上都能滿足TEC驅(qū)動的設(shè)計要求,非常適用于PCR儀的設(shè)計。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:MOS管|優(yōu)晶N溝道MOSFET YC40N04BDE?用于PCR儀TEC控制,滿足客戶性能需求

文章出處:【微信號:國芯思辰,微信公眾號:國芯思辰】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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