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電源ESD鉗位電路在pin-to-pin ESD時的作用及設計方案

CHANBAEK ? 來源:臣揚 ? 作者:陳陽 ? 2022-12-02 17:05 ? 次閱讀

前言

ESD設計在芯片的可靠性中尤為重要,而其中電源的ESD鉗位電路的設計對芯片的ESD表現(xiàn)的影響更為顯著。本文簡單介紹了電源的ESD鉗位電路是如何影響芯片的ESD工作,以及介紹一種常用的電源ESD鉗位電路。

電源ESD鉗位電路在pin-to-pin ESD時的作用

圖片

圖1 pin-to-pin ESD測試時的ESD電流通路 (一個pin加ESD電壓,另一個pin接地)

圖1給出了pin-to-pin ESD測試時的ESD電流泄放通路,在進行該測試時,一個輸入引腳被施加一個正向ESD電壓,而其他的引腳中的一部分相對于該引腳接地,同時VDD和VSS浮空。輸入PAD的正向ESD電壓此時先通過輸入保護二極管Dn1泄放電荷到VSS上,之后通過輸出PAD上的NMOS泄放電荷到輸出接地引腳。然而,在Dn1發(fā)生擊穿以泄放ESD電流之前,ESD電流會通過正偏二極管Dp1流向浮空的VDD電源線,之后ESD電流會通過電源線流向IC的內部電路并通過內部電路泄放電荷到VSS,從而造成IC的損壞(如圖1中虛線所示)。

造成上述結果的主要原因是圖1中還沒有考慮電源線之間的ESD保護,一般在電源之間常采用柵極接地NMOS(gate-grounded NMOS,GGNMOS)作為ESD鉗位器件進行ESD過壓保護,如圖2所示。

圖片

2 使用GGNMOS作為VDD與VSS之間的ESD鉗位器件后,pin-to-pin ESD測試時的ESD電流通路

如圖2所示電路,在進行pin-to-pin或者VDD-to-VSS的ESD測試時,VDD和VSS之間的ESD電壓通過GGNMOS的snapback-breakdown現(xiàn)象被鉗位,ESD放電通過GGNMOS完成,從而對IC內部進行了保護。同時,需要保證GGNMOS具有足夠強的能力,足夠快的速度處理絕大部分的ESD放電電流以避免IC內部電源線之間出現(xiàn)能夠發(fā)生損壞的泄放電流。

電源ESD鉗位電路設計

為了更高效地在內部電路被損壞之前鉗位VDD和VSS之間ESD電壓,可以采用如圖3所示的ESD瞬態(tài)檢測電路負責打開VDD和VSS之前ESD鉗位NNMOS。ESD瞬態(tài)檢測電路用來檢測ESD的觸發(fā)從而控制ESD鉗位NMOS的柵壓,因此ESD鉗位NMOS通過柵極正電壓被導通而不是漏極的snapback-breakdown,ESD鉗位NMOS因此可以在內部電路被ESD過壓損壞前被及時導通以對ESD電路進行泄放。

圖片

3 使用ESD瞬態(tài)檢測電路后,pin-to-pin ESD測試時的ESD電流通路

在pin-to-pin ESD發(fā)生時,ESD電流從輸入pin流入浮空的VDD,浮空的VSS初始狀態(tài)通過輸出pin NMOS的寄生二極管Dn2和輸出接地pin來偏置至“地”,因此,ESD瞬態(tài)檢測電路被ESD電壓偏置從而導通ESD鉗位NMOS以提供VDD和VSS之前的短路路徑來泄放ESD電流,ESD電流因此可以有效地通過Dp1,ESD鉗位NMOS,Dn2這一路徑進行泄放,如圖3中的虛線所示。(工作在正偏下的器件可以支持比反偏時更高的ESD電流)。但是,當IC工作在正常供電的狀態(tài)時,ESD鉗位NMOS必須保持斷開以避免VDD和VSS之前存在電流導致額外的功耗浪費。

圖片

圖4 基于RC的ESD檢測電路組成的電源ESD鉗位電路

圖4為一個常用的基于RC的ESD檢測電路,該電路可在ESD電壓出現(xiàn)在VDD和VSS之間時工作,而在IC正常供電時關閉,而為了實現(xiàn)上述功能,RC的時間常數(shù)一般被設計在0.1-1us的范圍內(比ESD上電慢,比正常上電快)。

初始狀態(tài)下,整個IC浮空且不供電,圖4中的節(jié)點Vx和VG具有和VSS相同大小的電壓。當VDD上出現(xiàn)ESD過壓時,電容C將會被充電,Vx節(jié)點的電壓因此升高。ESD過壓觸發(fā)的時間一般在10ns左右,因為RC電路的時間常數(shù)在us級別,因此Vx電壓的升高遠慢于VDD電壓升高。由于Vx節(jié)點電壓升高的延遲,Mp在這段延遲時間內導通并將ESD鉗位NMOS的柵電壓抬高,ESD鉗位NMOS因此被導通來泄放從VDD到VSS的ESD電流,VDD和VSS之間的電壓因此可以被鉗位在很低的電壓值,IC內部電路也因此被保護。ESD鉗位NMOS導通的時間可以通過改變RC時間常數(shù)來進行調整。

在電路正常上電時,VDD上電時間一般在ms級,對如此慢的上電時間,Vx可以保持及時跟隨VDD變化從而保證Mp斷開,而Mn保持導通,VG因此保持為0V,ESD鉗位NMOS因此可在VDD正常上電或者正常工作時保持關斷,不會有額外的電流損耗。

然后,實際的放電通路還和電源ESD鉗位電路與pin的距離有關,為了保證pin-to-pin ESD觸發(fā)時圖3所示的泄放通路總能在內部電路被損壞之前形成并泄放ESD電流,在電路設計時應該設計足夠短的電源ESD鉗位電路至pin之間的距離,或者是在pin之間插入足夠多的電源ESD鉗位電路。

總結

本文簡單介紹了電源的ESD鉗位電路是如何影響芯片的ESD,以及介紹一種常用的電源ESD鉗位電路,希望對讀者有所幫助,不足之處多多指正。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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