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      廈門(mén)云天Fine Pitch光刻工藝突破2um L/S

      半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 來(lái)源：半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 作者：半導(dǎo)體芯科技SiS ? 2022-11-30 17:07 ? 次閱讀

      來(lái)源：云天半導(dǎo)體

      廈門(mén)云天半導(dǎo)體繼九月初8&12吋 “晶圓級(jí)封裝與無(wú)源器件生產(chǎn)線(xiàn)”正式通線(xiàn)后，經(jīng)過(guò)團(tuán)隊(duì)的不懈努力， 8英寸晶圓Fine Pitch光刻工藝開(kāi)發(fā)終破2/2um L/S大關(guān)；

      以下為部分工藝條件及成果展示：

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      膠厚均勻性 3.4%

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      CD開(kāi)口均勻性 3%

      在Test Vehicle光罩下，測(cè)試了長(zhǎng)線(xiàn)條&短線(xiàn)條，結(jié)果不論是在正性光阻還是負(fù)性光阻下， 2um的L/S下的線(xiàn)條都是完整而清晰的，而且沒(méi)有任何顯影不潔或過(guò)顯的外觀(guān)異常；

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      2um 短線(xiàn)條（光刻后）

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      2um長(zhǎng)線(xiàn)條-負(fù)膠（光刻后）

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      2um長(zhǎng)線(xiàn)條-正膠（光刻后）

      SEM切片效果圖如下，膠厚：3.308um，CD上開(kāi)口：2.272um，CD下開(kāi)口：1.716um，側(cè)壁垂直度約85.2°；

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      2um孔徑SEM

      2um長(zhǎng)線(xiàn)條經(jīng)過(guò)電鍍及種子層刻蝕后，線(xiàn)寬及線(xiàn)距均在工藝管控范圍內(nèi)，未出現(xiàn)線(xiàn)路Peeling及斷短路等外觀(guān)異常；

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      2um長(zhǎng)線(xiàn)條-負(fù)膠（電鍍后）

      b832eb3f2f064d8491a3dec5c748de48~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1670403531&x-signature=l%2B6anMV946dwRtR%2FkgiOzDRD64Q%3D

      2um長(zhǎng)線(xiàn)條-負(fù)膠（PVD刻蝕后）

      廈門(mén)云天半導(dǎo)體目前量產(chǎn)化最小L/S為10/10um，工程樣品能力最小L/S為7/7um，2/2um的L/S工藝的成功開(kāi)發(fā)是二期通線(xiàn)后的一次重大突破。目前2/2um的L/S工藝還需進(jìn)一步的開(kāi)拓驗(yàn)證，為后續(xù)量產(chǎn)化的導(dǎo)入做足準(zhǔn)備。廈門(mén)云天半導(dǎo)體將持續(xù)追求“創(chuàng)新、卓越、合作、奮斗”的精神，不斷挑戰(zhàn)極限、勇攀高峰！

      審核編輯黃昊宇

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        發(fā)表于 03-31 16:27 ?3413次閱讀
        <b class='flag-5'>光刻工藝</b>流程示意圖：半導(dǎo)體制造的核心環(huán)節(jié)