如何把GaN的特性完全發(fā)揮出來呢

要想把GaN的特性完全發(fā)揮出來，需要優(yōu)秀的電源管理芯片(PMIC)來支持。

在實(shí)現(xiàn)高頻率、高效率的同時(shí)，還要確保電源在各種極端應(yīng)用場(chǎng)景下可靠、穩(wěn)定且無噪音的工作。

芯茂微第二代內(nèi)置GaN高頻QR驅(qū)動(dòng)器

為提升工程師布板的便利性，簡(jiǎn)化客戶的工作量，芯茂微推出合封Gan芯片LP88G24DCD

LP88G24DCD內(nèi)置650V級(jí)聯(lián)型結(jié)構(gòu)的GaN功率器件，采用QFN8*8封裝，進(jìn)一步減小芯片占板面積，底部采用一體化銅基板設(shè)計(jì)，具有極佳的散熱性能。

芯片引腳間爬電距離2mm

為適應(yīng)各種惡劣場(chǎng)景下使用，如：潮濕、極寒、極熱和高海拔地區(qū)；這些場(chǎng)合，需要充足的爬電距離，才能在極端情況下確保高低壓之間不發(fā)生擊穿；

LP88G24DCD HV引腳、Drain引腳，高壓引腳與低壓信號(hào)引腳之間的爬電距離拉遠(yuǎn)到了2mm；因此，在各種電源應(yīng)用場(chǎng)合中都具有極高的可靠性。

優(yōu)異的EMC性能

由于LP88G24DCD 合封芯片將主控和GaN的驅(qū)動(dòng)腳都外置，且相鄰布置，可以方便的通過串聯(lián)電阻來改善EMC性能。

豐富的保護(hù)功能，根據(jù)保護(hù)后動(dòng)作的不同
分為：

在QR模式下，工作頻率25kHz~500kHz，并具有谷底鎖定開通模式

內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)（HV）和X電容泄放功能

極輕載時(shí)“軟跳頻”工作模式可實(shí)現(xiàn)低功耗、無噪音

芯片內(nèi)置輸出電流感應(yīng)和計(jì)算單元，可以準(zhǔn)確控制電源的輸出過流點(diǎn)

單&雙 繞組變壓器可選?靈活的方案設(shè)計(jì)

雙繞組：可以減少高壓輸出時(shí)的功耗

單繞組：利用VccH供電，無需外接LDO電路

35V的VccL腳被設(shè)定為優(yōu)先供電腳，當(dāng)VccL的電壓低于9V時(shí)才接通VccH供電；可以很方便的用這兩個(gè)管腳組成雙繞組供電方式，以節(jié)約高輸出電壓時(shí)的功率消耗；

亦可以只使用VccH管腳（耐壓200V），以節(jié)約外部LDO器件或Vcc繞組及整流濾波電路的成本。

65W PD Demo

具有精簡(jiǎn)的設(shè)計(jì)線路，外圍簡(jiǎn)單，進(jìn)一步縮小產(chǎn)品體積

高壓轉(zhuǎn)換效率94%以上

低壓轉(zhuǎn)換效率92%以上

優(yōu)異的待機(jī)功耗

優(yōu)異的EMI特性

AC115V/50Hz-20V/3.25A CE-L AC115V/50Hz-20V/3.25A CE-N

AC230V/50Hz-20V/3.25A CE-L AC230V/50Hz-20V/3.25ACE-N

AC115V/50Hz-20V/3.25A 垂直 AC115V/50Hz-20V/3.25A 水平

AC230V/50Hz-20V/3.25A 垂直 AC230V/50Hz-20V/3.25A 水平

審核編輯：劉清